薄膜磁头制造技术

一种薄膜磁头具有最好用强磁性铁镍合金形成的、带台阶结构的成型磁性薄膜。该薄膜设置于环绕线圈的绝缘层和第二磁极层Ｐ２下方之间，从而形成一个双磁轭。薄膜在台阶区域具有隅角用于磁畴牵制点，从而使Ｐ２层的磁化方向适当对准，进而改进正被记录的数据信号。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄膜磁头，这种薄膜磁头具有校正磁头磁轭的磁极层材料磁化强度不稳定性的结构。薄膜磁头，或换能器通常具有两个磁性薄膜层，这种磁性薄膜层由强磁性铁镍合金材料形成，并通常表示为P1和P2磁极。P1和P2层之间夹有由绝缘材料包围的线圈。线圈部分和后封闭区构成了磁头结构相对大的主要部分，而相邻于换能间隙的磁极尖区则窄得接近于一个相对小的漏斗形部分。可以看到，漏斗形磁极尖部的强磁性铁镍合金材料的畴壁正交放置且不与沿易磁化轴(easyaxis)的所需磁化相对准。这种畴壁的不对准是由出现在窄磁极尖区的挤压应力造成的。结果，薄膜磁头记录数据时，在写信号的末尾出现跳动(glitch)，称作“扭动”(wiggle)现象。P2层中出现的这些跳动将使记录的数据失真，并在写信号波形中带来不希望有的信号延迟。本专利技术的一个目的是提供一种薄膜磁头，这种薄膜磁头的畴壁与磁头磁性磁极层的磁极尖区基本对准。本专利技术的另一个目的是提供一种具有极小的扭动且具有改进的记录数据信号的薄膜磁头。根据本专利技术，一种薄膜磁头具有两个成形层，它们用P2Y1和P2Y2表示。这些成形层在形成磁轭的P2磁极层之前被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁头，包括：一个磁轭，它包括由磁性材料形成的第一和第二磁极层，所述磁轭包括磁极尖和由所述磁极尖限定的换能间隙；一个用于连接外部电路的线圈；所述磁轭由包括所述线圈的主部分和包括所述磁极尖的漏斗形部分形成；环绕所述线圈的绝缘材料，所述绝缘材料和所述线圈设置于所述磁极层之间；第一和第二成形的磁性薄膜，它们设置于所述绝缘材料和一个所述磁极层之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1992-7-20 07/915,5151.一种薄膜磁头，包括一个磁轭，它包括由磁性材料形成的第一和第二磁极层，所述磁轭包括磁极尖和由所述磁极尖限定的换能间隙；一个用于连接外部电路的线圈；所述磁轭由包括所述线圈的主部分和包括所述磁极尖的漏斗形部分形成；环绕所述线圈的绝缘材料，所述绝缘材料和所述线圈设置于所述磁极层之间；第一和第二成形的磁性薄膜，它们设置于所述绝缘材料和一个所述磁极层之间。2.如权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述一个磁极层包括一个弯曲部分，该弯曲部分起始于所述磁轭的所述主部分最接近于所述换能间隙的端部，并向所述磁极尖延伸。3.如权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得G比肖夫，华一钦佟，约翰尼CH陈，
申请(专利权)人：里德莱特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]