蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术关于蚀刻装置，其包括蚀刻腔室、开闭蚀刻腔室的开闭单元及选择性地约束开闭单元的锁定单元。元的锁定单元。元的锁定单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻装置


[0001]本专利技术关于一种能够提高蚀刻性能的蚀刻装置。

技术介绍

[0002]氮化硅膜在半导体制程中用作代表性的绝缘膜，氮化硅膜具有与硅氧化膜、多晶硅膜、硅物件体表面等接触的结构，通过CVD(Chemical vapor deposition，化学气相沉积)制程而沉积，其通过干法蚀刻装置及湿法蚀刻装置而去除。
[0003]干法蚀刻装置的干法蚀刻主要加入氟类气体和惰性气体等，在真空状态下进行，用于执行干法蚀刻的装备价格昂贵，因而在商业应用方面存在界限。因此，利用磷酸的湿法蚀刻比干法蚀刻应用更广泛。
[0004]湿法蚀刻装置的湿法蚀刻是通过蚀刻液的化学反应而选择性地在物件体(基板等)中蚀刻期望的物件层，可以根据要求的特性或蚀刻度等，简便地混合组成具有与此相符的配比的蚀刻液而进行作业，提供比干法蚀刻进一步提高的作业相容性，一次可以处理大量的物件体，装置的价格低廉。
[0005]这种湿法蚀刻装置由能够开闭并在内部放置物件体的蚀刻腔室、用于向蚀刻腔室供应蚀刻液的蚀刻液供应部、用于向蚀刻腔室供应清洗液的清洗液供应部、用于使蚀刻腔室开闭的驱动部等构成。
[0006]可是，以往的湿法蚀刻装置在蚀刻制程时，在蚀刻腔室的内部维持在加压气氛的情况下，高压力作用于蚀刻腔室，因而要求坚固的封闭结构，以便蚀刻腔室的封闭状态不变。
[0007]另外，以往的湿法蚀刻装置在进行蚀刻时，蚀刻液的一部分气化，物件体的温度会因气化热而下降，由于蚀刻液的气化，蚀刻液的浓度控制困难，因而发生损失，因此，为了既定地维持蚀刻液的浓度，现在正在使大量的去离子水及蚀刻液投入蚀刻槽来执行物件体的蚀刻，因大量去离子水及蚀刻液的投入导致经济上的损失加大。
[0008]作为与本专利技术相关的现有文献，有韩国授权专利第10
‑
0691479号(2007年2月28日)，在该现有文献中公开了一种大面积基板的蚀刻装置。

技术实现思路

[0009]解决的技术问题
[0010]本专利技术提供一种能够提高蚀刻性能的蚀刻装置。
[0011]技术方案
[0012]本专利技术的蚀刻装置特征在于，包括蚀刻腔室、开闭该蚀刻腔室的开闭单元及选择性地约束该开闭单元的锁定单元。
[0013]另外，该锁定单元可以在约束该开闭单元移动的约束位置与解除约束的解除位置之间移动。
[0014]另外，该开闭单元可以具备：腔室开闭部，该腔室开闭部选择性地打开该蚀刻腔
室；及开闭驱动部，该开闭驱动部使该腔室开闭部驱动。
[0015]另外，可以还具备：引导该腔室开闭部的移动的第一引导部。
[0016]另外，可以还具备：将该蚀刻腔室维持在加压气氛的加压维持部。
[0017]另外，该加压维持部可以具备：加压部，该加压部使该蚀刻腔室维持在设置的压力；及排气部，该排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。
[0018]另外，该锁定单元可以约束该开闭单元，使得加压气氛的该蚀刻腔室封闭，当解除加压气氛时，可以解除该开闭单元的约束。
[0019]另外，可以还具备：第一约束部，该第一约束部配备于该开闭单元；及第二约束部，该第二约束部配备于该锁定单元，与该第一约束部联动，约束该开闭单元的移动。
[0020]另外，可以还具备：引导该第二约束部的移动的第二引导部。
[0021]另外，该加压维持部可以将该腔室单元内的压力维持在0.1帕至10帕。
[0022]可以还具备：向该蚀刻腔室供应蚀刻液的蚀刻液供应部。
[0023]另外，该蚀刻液可以选择性地使用氢氟酸(HF)、硝酸(NHO3)、双氧水(H2O2)、异丙醇(IPA)、氨水(NH4OH)、水(H2O)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)中至少一种或一种以上的混合物。
[0024]专利技术效果
[0025]本专利技术一个实施例的蚀刻装置在蚀刻腔室封闭位置被约束，因而在将蚀刻腔室维持在加压气氛时，可以防止蚀刻腔室因高压力而打开。
[0026]而且，使蚀刻时蚀刻腔室的内部维持在加压气氛，从而可以防止气化现象，可以既定地维持蚀刻液的浓度，可以提高蚀刻选择比。
[0027]另外，由于蚀刻液的浓度保持既定，因而不要求用于维持蚀刻液浓度的另外的去离子水及蚀刻液的追加投入，可以提高制品回收率，可以实现减少蚀刻液消耗量等，在经济方面可以极大节省费用。
[0028]而且，在物件体浸于蚀刻液的状态下实现蚀刻，因而可以较厚地形成蚀刻液的液膜，可以提高蚀刻性能。
附图说明
[0029]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0030]图1是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的立体图。
[0031]图2是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室打开状态的主视图。
[0032]图3是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室封闭状态的主视图。
[0033]图4是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室打开状态的侧视图。
[0034]图5是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室封闭状态的侧视图。
[0035]图6是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室封闭状态的主视剖面图。
[0036]图7是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室和第一喷嘴及第二喷嘴的立体图。
[0037]图8是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第二腔室和第一喷嘴及第二喷嘴的仰视图。
[0038]图9是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的第一喷嘴和第二喷嘴的立体图。
[0039]图10是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的蚀刻液供应部和冲洗液供应部及清洗液供应部间的连接结构的构成图。
[0040]图11是用于显示本专利技术一个实施例的蚀刻装置的蚀刻液供应部和冲洗液供应部、清洗液供应部及加压存储部间的连接结构的构成图。
[0041]图12是用于显示本专利技术另一实施例的蚀刻装置的主视剖面图。
[0042]图13是用于显示本专利技术另一实施例的蚀刻装置的第二腔室打开后供应物件体的过程的主视剖面图。
[0043]图14是用于显示本专利技术另一实施例的蚀刻装置的托架的立体图。
[0044]图15是用于显示本专利技术另一实施例的蚀刻装置的升降部的立体图。
[0045]图16是用于显示本专利技术实施例的蚀刻装置的运转的框图。
[0046]图17是用于显示本专利技术实施例的蚀刻装置中的蚀刻过程的框图。
具体实施方式
[0047]下面参照附图，详细说明本专利技术的较佳实施例。
[0048]如果参照后面与附图一同详细叙述的实施例，本专利技术的优点及特征以及达成其的方法将会明确。
[0049]但是，本专利技术并非限定于以下公开的实施例，可以以互不相同的多样形态体现，不过，本实施例提供用于使本专利技术的公开更完整，向本专利技术所属
的具有通常知识者完整地告知专利技术的范畴，本专利技术只由权利要求书的范畴所定义。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻装置，其包括：一蚀刻腔室；一开闭单元，该开闭单元开闭该蚀刻腔室；及一锁定单元，该锁定单元选择性地约束该开闭单元。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中该锁定单元在约束该开闭单元移动的一约束位置与解除约束的一解除位置之间移动。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中该开闭单元包括：一腔室开闭部，该腔室开闭部选择性地打开该蚀刻腔室；及一开闭驱动部，该开闭驱动部使该腔室开闭部驱动。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其进一步包括：一引导该腔室开闭部的移动的一第一引导部。5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其进一步包括：将该蚀刻腔室系维持在加压气氛的一加压维持部。6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其中该加压维持部包括：一加压部，该加压部使该蚀刻腔室维持在设置的压力；及一排气部，该排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昇勋，牟圣元，李铸炯，奇范洙，朴成焕，赵显东，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：