一种温度控制系统及方法、装置、存储介质制造方法及图纸

本申请实施例提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质，其中，所述方法包括：获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。以控制所述反应窗口的温度。以控制所述反应窗口的温度。

【技术实现步骤摘要】
一种温度控制系统及方法、装置、存储介质


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种温度控制系统及方法、装置、存储介质。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，集成电路器件的特征尺寸不断缩小，为了制造出高品质的集成电路器件，对集成电路的制造工艺及工艺结果要求越来越严苛，因为每一道工艺的处理结果都有可能影响集成电路器件的特性、品质以及使用寿命。
[0003]在半导体领域，晶圆是制造集成电路的基础材料，在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构。通常，晶圆被传输至工艺腔体，工艺腔中的气压和温度对晶圆生产有很大的影响，温度过高或过低，都会生成副产物掉落到晶圆上，影响晶圆的品质，降低晶圆的良率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质。
[0005]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]一方面，本申请实施例提供一种温度控制方法，所述方法包括：
[0007]获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；
[0008]对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；
[0009]基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。
[0010]另一方面，本申请实施例提供一种温度控制装置，应用于半导体机台中，所述装置包括：
[0011]获取模块，用于获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；
[0012]温度比较模块，用于对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；
[0013]调节模块，用于根据所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。
[0014]再一方面，本申请实施例提供一种温度控制系统，应用于半导体机台中，所述系统包括：
[0015]温度感应组件，控制组件以及排气调节组件；其中，
[0016]所述温度感应组件，设置于所述半导体机台的工艺腔室的反应窗口上，用于对所述反应窗口的温度进行感应；
[0017]所述控制组件，与所述温度感应组件连接，用于：从所述温度感应组件获取所述反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，控制所述排气调节组件调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度；
[0018]所述排气调节组件，设置于所述工艺腔室的排气通道上，与所述控制组件连接，用
于控制所述排气通道的排气量。
[0019]又一方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述方法中的步骤。
[0020]本申请实施例中，基于工艺腔室中的反应窗口的温度变化调整工艺腔室的排气通道的排气量，从而控制反应窗口温度，能够有效稳定反应窗口的温度，有利于提高工艺进程的稳定性和均匀性。
附图说明
[0021]图1为本申请实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；
[0022]图2为本申请另一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；
[0023]图3A为本申请另一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；
[0024]图3B为本申请又一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；
[0025]图4A为本申请实施例提供的一种温度控制系统的组成结构示意图；
[0026]图4B为本申请实施例提供的一种控制组件的组成结构示意图；
[0027]图5A为本申请实施例提供的一种温度控制系统的组成结构示意图；
[0028]图5B为本申请实施例提供的一种控制组件的组成结构示意图；
[0029]图6为本申请实施例提供的温度控制装置的组成结构示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步详细阐述，所描述的实施例不应视为对本申请的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0031]在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
[0032]如果申请文件中出现“第一/第二”的类似描述则增加以下的说明，在以下的描述中，所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
[0033]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。
[0034]为了更好地理解本申请实施例提供的温度控制方法，下面先对相关技术中半导体机台的工艺腔室中存在的问题进行说明。
[0035]专利技术人在实施本申请的过程中发现，相关技术中半导体机台的工艺腔室中存在以下问题：一方面，机台排气系统没有温度反馈系统，没有应用自动控制开度的技术，是纯自然全开排气，不会随着反应窗口的温度变化而调整排气量从而控制温度；另一方面，当机台发生报警时，反应窗口的加热器排气依旧全开，温度会快速降低，工程师没有时间处理；此
外，在晶圆生产过程中，仅靠控制反应窗口的加热器输出功率并不能稳定反应腔体内的温度。
[0036]本申请实施例提供一种温度控制方法，如图1所示，所述方法包括：
[0037]步骤S101：获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；
[0038]这里，工艺腔室可以用于进行晶圆工艺处理，处理工艺可以是对晶圆进行等离子刻蚀处理，反应窗口可以是位于等离子体产生器，例如变压器耦合等离子体的上方，通过加热反应窗口来控制工艺腔室内的温度；处理工艺也可以是在带光刻胶的晶圆上溅射沉积金属，反应窗口可以位于溅射源上方，通过加热反应窗口来控制溅射金属时工艺腔室内的温度；还可以是其他需要控制温度的处理工艺。
[0039]在实施时，可以通过在反应窗口设置温度传感器来获取反应窗口的当前温度，也可以通过在反应窗口设置温度感应器来获取反应窗口的当前温度。
[0040]步骤S102：对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；
[0041]这里，预设温度至少包括一个温度值，可以是一个具体的温度值，也可以是一个温度范围，在这个温度范围内，机台可以正常工作并且副产物生成量较小，晶圆损坏的可能性也较低。例如，预设温度可以是机台能够正常工作并且生产的晶圆良率最高时对应的温度值或温度范围，例如，在118摄氏度时，生产晶圆的良率是99.1％，在120摄氏度时，生产的晶圆良率99.9％，在125摄氏度时，生产的晶圆良率是99％，那么，预设温度就可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺腔室的排气通道具有排气阀；所述基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，包括：基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设温度包括第一预设温度；所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，包括：对所述当前温度与所述第一预设温度进行比较，得到比较结果；所述基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度大于所述第一预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设温度还包括第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，还包括：对所述当前温度与所述第二预设温度进行比较，得到比较结果；所述在所述当前温度大于所述第一预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度大于所述第二预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度至全开。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为120摄氏度，所述第二预设温度为125摄氏度。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度小于所述第一预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设温度还包括第三预设温度，所述第三预设温度小于所述第一预设温度；所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，还包括：对所述当前温度与所述第三预设温度进行比较，得到比较结果；所述在所述当前温度小于所述第一预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度小于所述第三预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度至全闭。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三预设温度为115摄氏度。9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取所述半导体机台中反应窗口的加热组件的工作状态；所述获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度，包括：在所述加热组件的工作状态为开启的情况下，获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述加热组件的工作状态为关闭的情况下，减小所述排气阀的开度至全闭。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国庆，杨苏，孙多才，洪兴峰，李义群，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：