一种MicroOLED显示器结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种应用于Micro OLED显示器技术领域的Micro OLED显示器结构，本发明专利技术还涉及一种Micro OLED显示器结构的制备方法，所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为：封装层(D)制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合，其中AlO、TiO、ATO由ALD设备制备，SiN、SiO、SiON由PECVD设备制备；利用光刻技术，在封装层(D)表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构(E)；制备OC层及其余彩胶层，点胶贴合玻璃盖板(F)，本发明专利技术所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构及制备方法，增加封装层与OC层之间的接触面积，在不添加粘附层的前提下，提高粘附力，减少因封装层与OC层分离造成的产品失效。减少因封装层与OC层分离造成的产品失效。减少因封装层与OC层分离造成的产品失效。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro OLED显示器结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于Micro OLED显示器
，更具体地说，是涉及一种Micro OLED显示器结构，本专利技术还涉及一种Micro OLED显示器结构的制备方法。

技术介绍

[0002]当前，Micro OLED显示器(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，已经广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在彩色屏体制作中，由于彩膜工艺要使用多次涂布&曝光&显影功能，出于薄膜封装(TFE)进行保护，普遍采用在其(TFE)表面镀一层OC。但该显示器易出现OC1与TFE分离，造成封装失效，使用寿命降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，在进行Micro OLED显示器结构制备时，有效增加封装层与OC层之间的接触面积，在不添加粘附层的前提下，有效提高粘附力，减少因封装层与OC层分离造成的产品失效，降低成本，提升产品性能和使用寿命的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法。
[0004]要解决以上所述的技术问题，本专利技术采取的技术方案为：
[0005]本专利技术为一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为：
[0006]S1.封装层D制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合，其中AlO、TiO、ATO由ALD原子层沉积设备制备，AlO、TiO、ATO厚度选择20um～50nm，SiN、SiO、SiON由PECVD等离子层沉积设备制备，SiN、SiO、SiON厚度选择0.5um～2um；
[0007]S2.利用光刻技术，在封装层D表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构E；
[0008]S3.制备OC层及其余彩胶层，点胶贴合玻璃盖板F，并进行组装，完成显示器制作。
[0009]所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在硅基底上制作CMOS电路A的步骤。
[0010]所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在COMS电路A上制备Anode层B、OLED层C、PDL层D的步骤，在硅基底上制作CMOS电路A后，在COMS电路A上制备Anode层B、OLED层C、PDL层D。
[0011]所述的AlO、TiO、ATO由ALD原子层沉积设备制备时，厚度优选40nm；所述的SiN、SiO、SiON由PECVD等离子层沉积设备制备时，厚度优选1um。
[0012]所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在OC1层F与OC2层G之间制备彩胶层(J)。
[0013]本专利技术还涉及一种结构简单，在进行Micro OLED显示器结构制备时，有效增加封装层与OC层之间的接触面积，在不添加粘附层的前提下，有效提高粘附力，减少因封装层与
OC层分离造成的产品失效，降低成本，提升产品性能和使用寿命的改善粘附力的Micro OLED显示器结构。
[0014]所述的Micro OLED显示器结构包括硅基底、CMOS电路A、Anode层B、OLED层C、PDL层D、封装层E、OC1层F、OC2层G、玻璃盖板H，封装层E表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起的微结构I，OC1层F表面设置OC1层凸起或OC1层凹槽。
[0015]所述的硅基底上制作CMOS电路A，CMOS电路A一侧设置Anode层B，Anode层B上设置OLED层C，OLED层C一侧设置封装层E。
[0016]所述的封装层E表面刻蚀出的封装层凹槽的微结构I与OC1层F表面的OC1层凸起配合。
[0017]所述的封装层E表面刻蚀出的封装层凸起的微结构I与OC1层F表面的OC1层凹槽配合。
[0018]所述的OC1层F与OC2层G连接，OC2层G另一侧设置玻璃盖板H；OC1层F与OC2层G之间还设置彩胶层(J)。
[0019]采用本专利技术的技术方案，能得到以下的有益效果：
[0020]本专利技术所述的Micro OLED显示器结构及制备方法，封装层D制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合，其中AlO、TiO、ATO由ALD原子层沉积设备制备，AlO、TiO、ATO厚度选择20um～50nm，SiN、SiO、SiON由PECVD等离子层沉积设备制备，SiN、SiO、SiON厚度选择0.5um～2um；S2.利用光刻技术，在封装层表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构；制备OC层及其余彩胶层，点胶贴合玻璃盖板，并进行组装，完成显示器制作。在制备时，通过在Micro OLED显示器选定薄膜封装层(TFE)结构，并在封装层表面做出微结构(凸起或凹槽)，这样，能够有效增加TFE与OC层的接触面积，在不添加粘附层的前提下提高粘附力，从而减少因TFE与OC层分离造成的产品失效问题，提升产品质量。本专利技术所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构及制备方法，结构简单，步骤简单，在进行Micro OLED显示器结构制备时，有效增加封装层与OC层之间的接触面积，在不添加粘附层的前提下，提高粘附力，减少因封装层与OC层分离造成的产品失效，降低成本，提升产品性能和使用寿命的改善粘附力。
附图说明
[0021]下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
[0022]图1为本专利技术所述的Micro OLED显示器结构的微结构为凸起时的结构示意图；
[0023]图2为本专利技术所述的Micro OLED显示器结构的微结构为凹槽时的结构示意图；
[0024]图3为图1所述的Micro OLED显示器结构的凸起的局部剖视结构示意图；
[0025]图4为凸2所述的Micro OLED显示器结构的凹槽的局部剖视结构示意图；
[0026]附图中标记分别为：A、CMOS电路；B、Anode层；C、OLED层；D、PDL层；E、封装层(TFE层)；F、OC1层；G、OC2层；H、玻璃盖板(CG层)；I、微结构；J、彩胶层。
具体实施方式
[0027]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步
的详细说明：
[0028]如附图1
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附图4所示，本专利技术为一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为：S1.封装层D制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为：S1.封装层(D)制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合，其中AlO、TiO、ATO由ALD设备制备，AlO、TiO、ATO厚度选择20um～50nm，SiN、SiO、SiON由PECVD设备制备，SiN、SiO、SiON厚度选择0.5um～2um；S2.利用光刻技术，在封装层(D)表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构(E)；S3.制备OC层及其余彩胶层，点胶贴合玻璃盖板(F)，并进行组装，完成显示器制作。2.根据权利要求1所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在硅基底上制作CMOS电路(A)的步骤。3.根据权利要求1或2所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在COMS电路(A)上制备Anode层(B)、OLED层(C)、PDL层(D)的步骤，在硅基底上制作CMOS电路(A)后，在COMS电路(A)上制备Anode层(B)、OLED层(C)、PDL层(D)。4.根据权利要求1或2所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的AlO、TiO、ATO由ALD(原子层沉积)设备制备时，厚度优选40nm；所述的SiN、SiO、SiON由PECVD(等离子层沉积)设备制备时，厚度优选1um。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成志，曹君，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：