一种OLED阳极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED阳极的制备方法。OLED阳极的制备方法包括：在基板表面形成阳极图案；在所述阳极图案远离所述基板的表面形成绝缘层；所述绝缘层包括阳极开口，所述阳极开口暴露出至少部分所述阳极图案；在所述阳极图案远离所述基板的表面形成导电层，所述导电层覆盖所述绝缘层和暴露的所述阳极图案；采用研磨工艺去除位于所述阳极开口以外的所述导电层，以及去除部分所述绝缘层。本发明专利技术实施例可以避免相邻阳极图案间导电层材料的残留，从而避免因相邻阳极之间短路导致的显示异常，提高产品良率。产品良率。产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED阳极的制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种OLED阳极的制备方法。

技术介绍

[0002]目前市场对显示器件的多样性及高性能性的需求扩大，极大的推动着显示技术的发展。OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置因其具有超轻、超薄、高亮度以及宽视角等优势，越来越受到人们的青睐。在现有技术中，采用刻蚀工艺制备阳极，然而，由于刻蚀工艺存在刻蚀均一性和残留等工艺问题，现有的阳极制备方法存在相邻阳极之间短路导致显示异常的问题，降低了产品的良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种OLED阳极的制备方法，以避免相邻阳极图案间导电层材料的残留，从而避免因相邻阳极之间短路导致的显示异常，提高产品良率。
[0004]本专利技术实施例提供了一种OLED阳极的制备方法，包括：
[0005]在基板表面形成阳极图案；
[0006]在所述阳极图案远离所述基板的表面形成绝缘层；所述绝缘层包括阳极开口，所述阳极开口暴露出至少部分所述阳极图案；
[0007]在所述阳极图案远离所述基板的表面形成导电层，所述导电层覆盖所述绝缘层和暴露的所述阳极图案；
[0008]采用研磨工艺去除位于所述阳极开口以外的所述导电层，以及去除部分所述绝缘层。
[0009]可选地，所述研磨工艺包括：化学机械抛光工艺。
[0010]可选地，研磨后剩余的所述绝缘层远离所述基板的表面与研磨后剩余的所述导电层远离所述阳极图案的表面齐平。
[0011]可选地，研磨前所述绝缘层的厚度是所述阳极图案的厚度的1.5
‑
2倍。
[0012]可选地，研磨前所述绝缘层的厚度是所述阳极图案的厚度的1.5倍。
[0013]可选地，所述导电层与所述阳极图案的厚度之和小于研磨前所述绝缘层的厚度。
[0014]可选地，形成所述导电层的工艺包括：溅射工艺。
[0015]可选地，所述绝缘层为无机薄膜或有机薄膜。
[0016]可选地，形成所述绝缘层的工艺包括：薄膜工艺；
[0017]形成所述阳极开口的工艺包括：曝光显影工艺。
[0018]可选地，所述阳极图案的材料为铝或银；
[0019]所述导电层的材料为氧化铟锡或氮化钛。
[0020]本专利技术实施例所提供的OLED阳极的制备方法中，先形成绝缘层，再形成导电层；其中，绝缘层的厚度大于阳极图案的厚度，导电层覆盖绝缘层和暴露出的阳极图案。这样设置，可以保证在后续制备过程中能够使用研磨工艺去除位于阳极开口以外的导电层。在研
磨过程中，通过控制研磨厚度，可以使位于阳极开口以外的导电层被全部去除，而位于阳极开口内的导电层被保留。这样，既能保证导电层与阳极图案的良好接触，又能有效避免阳极开口以外导电层材料的残留，使相邻的阳极图案之间绝缘效果更好。因此，与现有技术相比，本专利技术实施例可以避免相邻阳极图案间导电层材料的残留，从而避免因相邻阳极之间短路导致的显示异常，提高产品良率。
附图说明
[0021]图1是现有技术中的一种OLED阳极的制备方法在各步骤中的结构示意图；
[0022]图2是现有技术中的一种图1中区域A的放大结构示意图；
[0023]图3是本专利技术实施例提供的一种OLED阳极的制备方法的流程示意图；
[0024]图4是本专利技术实施例提供的一种OLED阳极的制备方法在各步骤中的结构示意图；
[0025]图5是本专利技术实施例提供的一种阳极图案的制备方法在各步骤中的结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0027]正如
技术介绍
所述，现有的OLED产品，尤其是在微显示领域，由于刻蚀工艺问题，产品显示区域会因相邻阳极之间短路导致显示异常。下面对现有的工艺问题进行具体说明。
[0028]图1是现有技术中的一种OLED阳极的制备方法在各步骤中的结构示意图。参见图1，OLED阳极为层叠结构，沿基板10指向阳极图案21的方向，OLED阳极包括反射层和导电层30。其中，反射层和导电层30均由导电材料制成；示例性地，反射层本身可包括多层层叠设置的导电材料；并且，反射层包括阵列排布的多个阳极图案21。现有的OLED阳极的制备步骤包括：
[0029]S11、在基板10表面形成阳极图案21。
[0030]S12、在阳极图案21远离基板10的表面形成导电层30。
[0031]S13、在导电层30远离阳极图案21的表面涂布光刻胶层40，并进行光刻，以使光刻胶层40覆盖至少部分阳极图案21。
[0032]例如，如图1所示，经过光刻后剩余的光刻胶层40完全覆盖阳极图案21，而暴露出位于相邻阳极图案21之间的导电层30。
[0033]S14、刻蚀不被光刻胶层40覆盖的导电层30。
[0034]其中，在现有的OLED阳极的制备方法中，导电层30可以使用湿法刻蚀工艺进行刻蚀，也可以使用干法刻蚀工艺。对于Mirco OLED等微显示领域的产品，使用湿法刻蚀工艺无法满足产品的精度需求，因此采用刻蚀精度更高的干法刻蚀工艺刻蚀导电层30。但无论何种刻蚀工艺，都存在刻蚀均一性和残留等工艺问题，且刻蚀过程还可能产生金属污染。图2是现有技术中的一种图1中区域A的放大结构示意图。如图2所示，刻蚀后的导电层30在相邻的阳极图案21之间存在残留材料31，残留材料31可能会形成相邻阳极图案21间的连接通路，导致相邻的阳极短路，进而导致显示异常，降低产品的良率。
[0035]为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种OLED阳极的制备方法。图3是本专利技术实施例提供的一种OLED阳极的制备方法的流程示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种OLED阳极的制备方法在各步骤中的结构示意图。参见图3和图4，该OLED阳极的制备方法包括以下步骤：
[0036]S110、在基板110表面形成阳极图案121。
[0037]其中，基板110可以是硅基基板。示例性地，基板110可以是采用非晶硅、微晶硅或者是低温多晶硅薄膜晶体管制成的背板；对于Micro OLED微型显示装置，基板110可以是采用单晶硅芯片制成的背板。以单晶硅芯片为基底可以将单像素尺寸降低至传统显示装置的1/10左右，且单晶硅具有高迁移率，有利于实现更高的分辨率。
[0038]图5是本专利技术实施例提供的一种阳极图案的制备方法在各步骤中的结构示意图。下面结合图5，对阳极图案121的制备步骤进行具体说明，但不作为对本专利技术的限定。参见图5，示例性地，阳极图案121的制备步骤包括：
[0039]S111、采用薄膜工艺在基板110的表面形成反射层120。
[0040]其中，反射层12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED阳极的制备方法，其特征在于，包括：在基板表面形成阳极图案；在所述阳极图案远离所述基板的表面形成绝缘层；所述绝缘层包括阳极开口，所述阳极开口暴露出至少部分所述阳极图案；在所述阳极图案远离所述基板的表面形成导电层，所述导电层覆盖所述绝缘层和暴露的所述阳极图案；采用研磨工艺去除位于所述阳极开口以外的所述导电层，以及去除部分所述绝缘层。2.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，所述研磨工艺包括：化学机械抛光工艺。3.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，研磨后剩余的所述绝缘层远离所述基板的表面与研磨后剩余的所述导电层远离所述阳极图案的表面齐平。4.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，研磨前所述绝缘层的厚度是所述阳极图案的厚度的1.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：程保龙，周文斌，王卫卫，徐超，盛嫦娥，曹云岭，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山梦显电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：