【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及oled显示，尤其是涉及一种oled显示器件结构及其制造方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)是新一代显示技术，具有自发光、响应快等显示特性，并且应用于各种显示终端领域。目前应用在微显示领域的micro-oled技术也让人们重新关注到oled另外一种应用方法，由于micro-oled其亮度较高，发光效率相对较低因此热量聚集较为严重，严重影响了器件的寿命性能。同时由于不同的区域产生的热量不同，如果局部热量差异较大会导致驱动电路tft分配不均，电流分布差异也会进而导致颜色差异，严重影响产品的亮度和颜色均一性能。
2、目前调节器件内部温度的方法众多，大部分是直接在基板或者盖板上贴附各种类型的散热组件，但是由于贴附的膜层中间有导热性较差的粘胶膜会影响散热，因此总体的导热效果并不是很好。
3、如中国专利cn111105713a公开的一种具备温度调节装置，该装置位于基板远离出光的基板一侧，包含半导体导热单元和散热单元，半导体散热片被配置为响应于加载的直流电压吸收导热单元的热量并通过散热单元散热。能够实现对oled面板的主动散热。
4、如中国专利cn111799237a公开的一种具备温度调节装置该装置，该装置位于基板或者衬底的上方，先行放置温度调节单元进行散热，散热单元之上进行发光单元的制作，该单元可以对驱动单元和有机发光单元进行降温增加显示产品自身散热能力。
5、又如中国专利cn110729339a公开的一种具备温度调节装置该装置，该装置位于封装膜层之上，有多个条形半导
6、置于发光单元上侧的类似的方案还有中国专利cn102760749a公开的一种发光器件及其制作方法，其散热单元位于oled发光单元阴极的顶部通过半导体热电制冷给阴极散热降低器件内部热量累积。温度调节结构若置于有机发光单元组件之上，则会影响产品像素开口率或者视角等光学特性水平。
7、以上几个专利的实施方法均是在oled有机发光单元不同区域设置温度调节单元，而且均使用无机类型的半导体进行单独工艺制备，需要增加独立的工艺制程，提升了整体组件的复杂性。
技术实现思路
1、针对现有技术不足，本专利技术提供一种oled显示器件结构及其制造方法，其可利用现有工艺制程构筑温度调节单元结构实现温度调节功能，制备简便。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案为：
3、一种oled显示器件结构，包括像素区和非像素区以及用于器件内部热量传导散热的温度调节单元结构，所述温度调节单元结构包括有机半导体层和金属导体，所述有机半导体层包括对应p型区设置的p型半导体和对应n型区设置的n型半导体，金属导体连接对应的两个p型半导体和n型半导体形成回路。
4、所述温度调节单元结构包括像素区周围温控结构和非像素区温控结构。
5、所述非像素区在器件的硅基板上对应n型区导出直流电源正极，对应p型区导出直流电源负极。
6、所述p型半导体包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层。
7、所述n型半导体包括电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层。
8、所述金属导体为金属或金属混合物，通过蒸镀方式形成导体结构。
9、一个所述金属导体连接对应的两个p型半导体和n型半导体形成一个回路单元，一组所述回路单元串联设置。
10、所述直流电源正极和直流电源负极分开两侧导出设置。
11、一种所述oled显示器件结构的制造方法，包括以下步骤：
12、s1、制作驱动背板：
13、在硅基板上通过磁控溅射或者热蒸发制作驱动电路，通过曝光掩膜版的不同区域设计，分为像素区和非像素区，在像素区域制作驱动电路，在非像素区制作导电和供电膜层，膜层在和驱动电路由同一工艺制程完成；
14、s2、制作有机半导体层：
15、在像素区有机半导体层部分使用整体开口蒸镀的方法，在非像素区公共层该层分为两个区域，即p型区和n型区，通过增加掩膜版的开口在非像素区中的p型区和n型区分别沉积p型半导体和n型半导体；
16、s3、制作金属导体：
17、在有机类材料蒸镀结束后，像素区进行阴极蒸镀，同样在非像素区通过掩膜版开口在非像素区域蒸镀同样的金属导体，每个金属导体分别连接上一膜层的p型半导体和n型半导体，形成回路；回路连接p型半导体和n型半导体，最终的n端和p端分别导出直流电源正极和直流电源负极。
18、进一步的，所述直流电源正极和直流电源负极进行切换。
19、本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：
20、该oled显示器件结构及其制造方法设计合理，利用现有工艺制程构筑温度调节单元结构可实现温度调节功能，无需增加独立工艺制程，制备简便；并且结构可构筑于像素周围或者不发光单元区域，也可以构筑于显示像素区周边的非像素区，只需在预制作区域进行掩膜版开口就可以通过蒸镀在该区域分别沉积该有机类半导体，可以对不同区域进行实施降温，防止热量集中影响显示效果，提高整体寿命。
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1.一种OLED显示器件结构，包括像素区和非像素区以及用于器件内部热量传导散热的温度调节单元结构，其特征在于：所述温度调节单元结构包括有机半导体层和金属导体，所述有机半导体层包括对应P型区设置的P型半导体和对应N型区设置的N型半导体，金属导体连接对应的两个P型半导体和N型半导体形成回路。
2.如权利要求1所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述温度调节单元结构包括像素区周围温控结构和非像素区温控结构。
3.如权利要求1所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述非像素区在器件的硅基板上对应N型区导出直流电源正极，对应P型区导出直流电源负极。
4.如权利要求1所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述P型半导体包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层。
5.如权利要求1所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述N型半导体包括电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层。
6.如权利要求1所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述金属导体为金属或金属混合物，通过蒸镀方式形成导体结构。
7.如权利要求1所述OLED显示器件
8.如权利要求3所述OLED显示器件结构，其特征在于：所述直流电源正极和直流电源负极分开两侧导出设置。
9.一种如权利要求1至8任一项所述OLED显示器件结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：
10.如权利要求9所述制造方法，其特征在于：所述直流电源正极和直流电源负极进行切换。
...【技术特征摘要】
1.一种oled显示器件结构，包括像素区和非像素区以及用于器件内部热量传导散热的温度调节单元结构，其特征在于：所述温度调节单元结构包括有机半导体层和金属导体，所述有机半导体层包括对应p型区设置的p型半导体和对应n型区设置的n型半导体，金属导体连接对应的两个p型半导体和n型半导体形成回路。
2.如权利要求1所述oled显示器件结构，其特征在于：所述温度调节单元结构包括像素区周围温控结构和非像素区温控结构。
3.如权利要求1所述oled显示器件结构，其特征在于：所述非像素区在器件的硅基板上对应n型区导出直流电源正极，对应p型区导出直流电源负极。
4.如权利要求1所述oled显示器件结构，其特征在于：所述p型半导体包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层。
5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾敏慧，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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