一种微显示器的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种微显示器的制作方法，该制作方法包括：提供一基板，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成感光膜层，其中，所述感光膜层覆盖所述第一电极层；对所述感光膜层进行刻蚀直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐，其中，剩余部分的所述感光膜层为像素定义层。本发明专利技术实施例提供的微显示器的制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。阳极的断裂。阳极的断裂。

【技术实现步骤摘要】
一种微显示器的制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及显示领域，特别是涉及一种微显示器的制作方法。

技术介绍

[0002]随着目前市场对显示器件的多样性及高性能性的需求扩大，极大的推动着显示技术的发展。基于面板结合半导体技术的硅基Micro有机发光二极管技术(Organic Light Emitting Diode，OLED)也在飞速发展。硅基Micro OLED微显示器件区别于常规利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，它以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。基于其技术优势和广阔的应用市场，它有望在消费电子领域掀起近眼显示的新浪潮。
[0003]在目前的硅基Micro OLED微型显示器件的造过程中，在进行阳极刻蚀时，因为阳极本身的厚度及干法刻蚀的过刻深度，造成了一定的段差，此部分段差在经过OLED后，会造成后续蒸镀阴极搭接不良即阴极断裂，进而造成基板的良率低下。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供的微显示器的制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
[0005]本专利技术实施例提供一种微显示器的制作方法，该制作方法包括：
[0006]提供一基板，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；
[0007]在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；
[0008]在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成感光膜层，其中，所述感光膜层覆盖所述第一电极层；
[0009]对所述感光膜层进行刻蚀直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐，其中，剩余部分的所述感光膜层为像素定义层。
[0010]可选的，对所述感光膜层进行刻蚀直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐包括：
[0011]将形成感光膜层的基板放入碱性溶液中，使所述碱性溶液对所述感光膜层进行刻蚀，直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐。
[0012]可选的，所述碱性溶液包括显影液。
[0013]可选的，所述感光膜层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括0.4～1μm；
[0014]所述第一电极层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括90～110nm。
[0015]可选的，相邻两个所述第一电极的间距包括0.4～0.8μm。
[0016]可选的，在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成感光膜层包括：
[0017]通过旋转涂布的方法在所述第一电极层远离所述电路层的一侧涂覆感光材料，形成所述感光膜层。
[0018]可选的，所述感光材料包括聚酰亚胺或旋涂玻璃。
[0019]可选的，在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，包括：
[0020]采用物理气相沉积法在所述电路层远离所述衬底的一侧镀一层金属形成金属膜层；
[0021]对所述金属膜层进行光刻形成所述第一电极层。
[0022]可选的，在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层之前还包括：
[0023]对所述基板进行清洗并烘干。
[0024]可选的，该制作方法还包括在所述像素定义层远离所述衬底一侧形成发光功能层；
[0025]在所述发光功能层远离所述衬底一侧形成第二电极层。
[0026]本专利技术实施例提供一种微显示器的制作方法，通过在电路层远离衬底一侧形成第一电极层，在第一电极层远离衬底一侧形成感光膜层，然后通过刻蚀的方式形成像素定义层，且形成的像素定义层远离衬底的表面与第一电极层远离衬底的表面平齐，从而避免在第一电极层远离衬底一侧制作的其他电极层的发生断裂的问题。本专利技术实施例提供一种微显示器的制作方法能够防止阴极或阳极的断裂。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例提供的一种微显示器的制作方法的流程示意图；
[0028]图2为本专利技术实施例提供的一种微显示器的结构示意图；
[0029]图3为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
[0030]图4为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
[0031]图5为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对本专利技术实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术实施例，而非对本专利技术实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术实施例相关的部分而非全部结构。
[0034]图1为本专利技术实施例提供的一种微显示器的制作方法的流程示意图，参考图1，该制作方法包括如下步骤：
[0035]S110、图2为本专利技术实施例提供的一种微显示器的结构示意图，参考图2，提供一基板，其中，基板包括衬底210和位于衬底210一侧的电路层220。
[0036]具体的，衬底210与位于衬底210一侧的电路层220组成一个含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板。
[0037]S120、图3为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图3，在电路层220远离衬底210一侧形成第一电极层230，其中，第一电极层230包括多个第一电极231。
[0038]具体的，第一电极层230可以是阳极膜层，若第一电极层230为阳极膜层时，则第一电极231为阳极。形成第一电极层230的具体过程包括：在电路层220远离衬底210一侧沉积一侧金属膜层，然后在金属膜层远离衬底一侧放置掩膜版，接着对金属膜层进行光刻形成第一电极层230。
[0039]S130、图4为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图4，在第一电极层230远离电路层220的一侧形成感光膜层240，其中，感光膜层240覆盖第一电极层230。
[0040]具体的，可以通过旋转涂布的方法在第一电极层230远离电路层220的一侧形成感光膜层240。感光膜层240远离衬底210一侧的表面是平齐的。
[0041]S140、图5为本专利技术实施例提供的又一种微显示器的结构示意图，参考图5，对感光膜层240进行刻蚀直到第一电极层230远离衬底210一侧的表面与剩余部分的感光膜层远离衬底210一侧的表面平齐，其中，剩余部分的感光膜层为像素定义层250。
[0042]具体的，像素定义层250远离衬底210的表面与第一电极层230远离衬底210的表面平齐，可以避免因第一电极层230与像素定义层250之间产生段差而造成位于第一电极层230远离衬底210一侧的其他电极层的断裂。对感光膜层240通过气体刻蚀或者液体刻蚀就可制成像素定义层250，从而简化工艺步骤，降低制作成本。当第一电极层230为阳极膜层时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微显示器的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层；在所述电路层远离所述衬底一侧形成第一电极层，其中，所述第一电极层包括多个第一电极；在所述第一电极层远离所述电路层的一侧形成感光膜层，其中，所述感光膜层覆盖所述第一电极层；对所述感光膜层进行刻蚀直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐，其中，剩余部分的所述感光膜层为像素定义层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述感光膜层进行刻蚀直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐包括：将形成感光膜层的基板放入碱性溶液中，使所述碱性溶液对所述感光膜层进行刻蚀，直到所述第一电极层远离所述衬底一侧的表面与剩余部分的所述感光膜层远离所述衬底一侧的表面平齐。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液包括显影液。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述感光膜层远离所述电路层的表面到所述电路层远离所述衬底的表面的距离包括0.4～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成明，周文斌，沈倩，王卫卫，陈乔建，孙荣兵，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山梦显电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：