吲哚鎓化合物和光学记录材料制造技术

本发明专利技术的吲哚鎓化合物以通式（Ⅰ）表示，在进行高速记录的光学记录介质的光学记录层中使用的光学记录材料中显示更良好的热分解行为。在通式（Ⅰ）中，环Ａ表示苯环或萘环；Ｚ表示可以被卤素基团取代或可以插入－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－或－ＣＯＯ－的碳原子数为１～８的烷基等；Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］中的至少一个表示由通式（Ⅱ）或（Ⅲ）表示的基团，在其中仅一个表示由通式（Ⅱ）或（Ⅲ）表示的基团时，另一个表示碳原子数为１～３０的有机基团；Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］表示氢原子、碳原子数为１～３０的有机基团等；Ｘ表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为１～８的烷基等；Ｙ↑［１］表示氢原子或碳原子数为１～３０的有机基团；ｎ表示０～４的整数；ｑ表示０～４的整数；Ａｎ↑［ｍ－］表示ｍ价的阴离子；ｍ表示１或２；ｐ表示保持电荷为中性的系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型吲哚鎓化合物和含有该吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。该吲哚鎓化合物除了适合用于光学记录材料中之外，还可用作图像显示设备的滤光器用的光吸收材料。
技术介绍
在550～620nm的范围内具有高强度吸收的化合物、特别是在550～620nm中有最大吸收(λmax)的化合物被用作形成DVD-R等光学记录介质的光学记录层的光学记录材料。作为上述光学记录材料，由于具有吲哚环的吲哚鎓化合物具有感度高、可以对应记录的高速化的优点，因此其报告例较多。例如，在专利文献1～6中报告了苯乙烯基吲哚鎓化合物。另外，在专利文献7中报告了在吲哚环的3位引入苄基而得到的低温分解性的花青化合物。在低温下分解的化合物容易形成光学记录层的记录部分(凹坑，pit)，从而适应于高速记录介质。专利文献1特开平11-34489号公报专利文献2特开平11-170695号公报专利文献3特开2001-342366号公报专利文献4特开2002-206061号公报专利文献5特开2003-313447号公报专利文献6特开2003-321450号公报专利文献7特开2003-231359号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供在用于进行高速记录的光学记录介质的光学记录层的光学记录材料中显示更良好的热分解行为的吲哚鎓化合物、和含有该吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。本专利技术人等进行了反复研究，结果发现具有特定阳离子结构的吲哚鎓化合物作为光学记录材料显示出良好的热分解行为。本专利技术基于上述发现而完成，其提供以下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物、以及用于在基体上形成光学记录层而得到的光学记录介质的该光学记录层中并含有上述吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。 (式中，环A表示苯环或萘环，Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基、具有碳原子数为1～8的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1～8的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为1～8的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羟基或卤素基团，R1和R2中的至少一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团，在其中仅一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～30的有机基团，R3和R4表示氢原子、碳原子数为1～30的有机基团、当R3和R4键合后形成5～6员的不含不饱和键的杂环的基团或与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团，X表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷基、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷氧基、羟基、硝基、氰基或卤素基，Y1表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团，n表示0～4的整数、q表示0～4的整数、Anm-表示m价的阴离子，m表示1或2，p表示保持电荷为中性的系数。) (通式(II)中，E和G之间的键是双键或三键，E表示碳原子，G表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或1，R5表示氢原子、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷氧基，R6、R7和R8表示氢原子、卤原子或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基，R6和R8可以键合形成环结构；通式(III)中，E’和G’之间的键是双键，E’表示碳原子，G’表示碳原子、氧原子或氮原子，含有E’和G’的环表示可以含有杂原子的5员环、可以含有杂原子的6员环、萘环、喹啉环、异喹啉环、蒽环或蒽醌环，含有E’和G’的这些环可以被卤原子、硝基、氰基、烷基或烷氧基取代。)附图说明图1为实施例1中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.1的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。图2为实施例2中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.10的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。图3为实施例3中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.11的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。图4为实施例4中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.18的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。图5为实施例5中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.21的四氟化硼盐)的1H-NMR图谱。图6为实施例6中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.30的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。图7为实施例7中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.31的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。图8为实施例8中得到的本专利技术的吲哚鎓化合物(化合物No.40的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。具体实施例方式由上述通式(I)表示的本专利技术的吲哚鎓化合物的特征在于，在吲哚骨架的3位具有特定结构的基团，其与用于DVD-R用途的光学记录材料中的以往的吲哚鎓类化合物相比，分解温度更低，可以对应高速记录。对于上述通式(I)中由环A表示的苯环或萘环的取代基Z，在为可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基时，该卤素基团的取代位置和-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的插入位置是任意的，-O-、-CO-、-OCO-或-COO-也可以与环A直接键合。作为碳原子数为1～8的该烷基，可以列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羟基乙氧基、2-甲基-2-羟基乙氧基、1-甲基-2-羟基乙氧基、3-羟基丙氧基、2-(2-羟基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、1-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基、乙酰基、丙酮基、丁烷-2-氧-1-基、丁烷-3-氧-1-基、环己烷-4-氧-1-基、三氯乙酰基、三氟乙酰基、乙酰氧基、乙烷羰氧基、丙烷羰氧基、丁烷羰氧基、三氟乙酰氧基等。另外，对于取代基Z，作为磺酰基或亚磺酰基所具有的碳原子数为1～8的烃基，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基，乙烯基、1-甲基乙烯-1-基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1，1-二甲基乙烯-2-基、1，1-二甲基丙烯-3-基等链烯基，苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基等芳基，苄基、2-甲基苄基、3-甲基苄基、4-甲基苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、苯乙烯基等芳烷基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以下述通式（Ⅰ）表示的吲哚鎓化合物，＊＊＊（Ⅰ）式中，环Ａ表示苯环或萘环；Ｚ表示可以被卤素基团取代或可以插入－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－或－ＣＯＯ－的碳原子数为１～８的烷基、具有碳原子数为１～８的烃基的磺酰基、具有碳原子数为１～８的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为１～８的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为１～８的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羟基或卤素基团；Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］中的至少一个表示由下述通式（Ⅱ）或（Ⅲ）表示的基团，在其中仅一个表示由下述通式（Ⅱ）或（Ⅲ）表示的基团时，另一个表示碳原子数为１～３０的有机基团；Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］表示氢原子、碳原子数为１～３０的有机基团、当Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］键合后形成５～６员的不含不饱和键的杂环的基团或者与ＮＲ↑［３］Ｒ↑［４］所键合的苯环连接后形成５～６员环结构的基团；Ｘ表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为１～８的烷基、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为１～８的烷氧基、羟基、硝基、氰基或卤素基团；Ｙ↑［１］表示氢原子或碳原子数为１～３０的有机基团；ｎ表示０～４的整数；ｑ表示０～４的整数；Ａｎ↑［ｍ－］表示ｍ价的阴离子；ｍ表示１或２；ｐ表示保持电荷为中性的系数；＊＊＊通式（Ⅱ）中，Ｅ和Ｇ之间的键是双键或三键，Ｅ表示碳原子，Ｇ表示碳原子、氧原子或氮原子，ｘ、ｙ和ｚ表示０或１，Ｒ↑［５］表示氢原子、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为１～４的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为１～４的烷氧基，Ｒ↑［６］、Ｒ↑［７］和Ｒ↑［８］表示氢原子、卤原子或可以被卤原子取代的碳原子数为１～４的烷基，Ｒ↑［６］和Ｒ↑［８］可以键合形成环结构；通式（Ⅲ）中，Ｅ’和Ｇ’之间的键是双键，Ｅ’表示碳原子，Ｇ’表示碳原子、氧原子或氮原子，含有Ｅ’和Ｇ’的环表示可以含有杂原子的５员环、可以含有杂原子的６员环、萘环、喹啉环、异喹啉环、蒽环或蒽醌环，含有Ｅ’和Ｇ’的这些环可以被卤原子、硝基、氰基、烷基或烷氧基取代。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-10-29 315678/20041.一种以下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物， 式中，环A表示苯环或萘环；Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基、具有碳原子数为1～8的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1～8的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为1～8的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羟基或卤素基团；R1和R2中的至少一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团，在其中仅一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～30的有机基团；R3和R4表示氢原子、碳原子数为1～30的有机基团、当R3和R4键合后形成5～6员的不含不饱和键的杂环的基团或者与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团；X表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷基、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷氧基、羟基、硝基、氰基或卤素基团；Y1表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团；n表示0～4的整数；q表示0～4的整数；Anm-表示m价的阴离子；m表示1或2；p表示保持电荷为中性的系数； 通式(II)中，E和G之间的键是双键或三键，E表示碳原子，G表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野亨，滋野浩一，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]