本发明专利技术涉及一种不可逆光学记录介质（１），包括至少一个具有后表面（４ｂ）和设计为接收至少一个写入光学照射（７）的前表面（４ａ）的有源层（４）。写入光学照射（７）通过布置在有源层的后表面（４ｂ）上的形成气源的层（３）能够在所述有源层（４）中实现形成写入标志的气泡的局部形成。而且，形成气源的层（３）具有不大于１００ｎｍ的厚度，以至于限制了形成于有源层（４）中的气泡的高度并因此改善在读出操作中的轨道监控。优选地，形成气源的层（３）由碳掺杂的氢化氧化硅制成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种不可逆光学记录介质，包括至少一个呈现后表面和设计 为接收至少一个光学写入照射的前表面的有源层，所述光学写入照射能通过 布置在有源层的后表面上的形成气源的层使气泡局部地形成于所述有源层内。
技术介绍
例如在CD-R (压缩盘-可记录)和DVD-R (数字通用盘-可记录)型介 质上的光学记录在大部分情况通过由有机着色剂材料制成的有源层进行。有 源层沉积到塑料基板上并被反射金属层覆盖。然而，在着色剂材料中的不可 逆光学记录技术呈现高的生产成本。曾经提出通过由无机材料制成的有源层制造光学记录介质。最广泛研究 的不可逆技术之一在于通过激光消融(laser ablation )在有源层中以孔的形 式形成标志。然后标志的存在导致扫描盘的表面的激光束的反射的局部降 低。另 一种不可逆写入技术在于在无机材料的有源层中以气泡的形式形成 标志， 一般通过使用在光学写入照射和气源的作用下能够局部变形的有源 层。然而，由形成气泡的写入技术可能引起在写入之后的跟踪问题，并因此 引起读出困难。在由形成气泡的记录介质中，跟踪实际上一般通过包括提供有螺旋形式 的轨道的前表面的塑料基板进行。因此，基板的前表面一般包括凹陷区 (zone),其形成由突起区限定的沟槽。前表面被能够在聚焦的激光束的作 用下以气泡的形式局部变形的半反射有源层覆盖。数据记录一般通过来自基 板的后表面并聚焦在基板的前表面的沟槽上的激光束获得。激光束或被全部 吸收或被部分吸收，然后它在介质中引起能够使基板释放气体的局部升温。 然后，由基板释放的气体以气泡的形式在有源层中、优选地在基板的前表面 的凹陷区的平面引起局部变形。由于基板相对地硬，构成写入标志的气泡一般形成在从基板的相对的侧上的有源层中，位于基板的前表面的凹陷区的平面。然而，在常规光学介质中，读出激光束来自基板的后表面，而且读出通 过跟踪控制系统即通过跟随由前面的凹陷区形成的沟槽(并因此为读出激光 束跟随突起区)而获得。而且，跟踪的质量对基板的前面的凹陷区和突起区 之间的平面的差异的平均值是敏感的。在写入操作之后，由前面的凹陷区形 成的沟槽的平面的平均值基本等于突起区的平面，这就阻碍了跟踪，由于不再能引起凹陷区和突起区之间的差异。然后读出变得困难。为了修正这个问题，曾经在专利申请WO-A-2005/010876中提出通过与 基板相对的包括轨道并包括平的前和后面的保护层进行写入和读出操作。此 外，设计为跟随局部形成在有源层中的变形的可变形层布置在有源层和保护 层之间，光学写入和/或读出照射穿过该可变形层。另外，气泡优选地在轨道 的突起区的平面制得以使得在写入操作之后，分别为写入的和空白的凹陷区 和突起区之间的平面差异是最大的。这样使得写入之后的跟踪更容易。然而，根据专利申请WO-A-2005/010876的记录介质依然呈现某些缺点。 对于高写入功率，气泡的高度实际上能证明是过大的。这可能再引起跟踪的 干扰并因此引起读出困难。另外，控制气泡的高度能证明是难于进行的，特 别当写入策略被限制时。
技术实现思路
本专利技术的目标是获得修正根据现有技术的缺点的由形成气泡的不可逆 光学记录介质，且更特别的是能进行良好的跟踪。根据本专利技术，这个目标通过形成气源的层具有小于或等于100 nm的厚 度并优选地由碳掺杂的氢化 一 夂晶氧化硅制成的事实获得。根据具体的实施例，有源层优选地布置在保护层和包括自由后面和提供有轨道的前面的基板之间。根据本专利技术的第一实施例，形成气源的层布置在基板的前面和有源层的 后面之间。根据本专利技术的第二实施例，形成气源的层布置在有源层的后面和保护层之间。附图说明其它的优点和特征将从下面本专利技术的特别实施例的描述中变得更加清晰明显，这些实施例仅作为非限制的实例给出并在附图中描绘，其中图1以截面示意性地描绘4艮据本专利技术的光学记录介质的第一实施例，形成气源的层布置在有源层和提供有轨道的基板之间。图2至图4以截面示意性地描绘根据图1的介质的替换实施例。图5描绘在根据图4的介质中写入功率调制相对于气泡的高度的变化，气源层具有在10 nm到60 nm之间变化的厚度。图6以截面示意性地描绘才艮据本专利技术的光学记录介质的第二实施例，形成气源的层布置在有源层和保护层之间。图7以截面示意性地图示根据图6的介质的替换实施例。具体实施方式在图1中描绘的第一实施例中，不可逆光学数据记录介质1由几个重叠 的薄层的叠层形成。该叠层顺序地包括基板2，形成气源的层3,有源层4 和由粘结层6固定在有源层4的保护层5。基板2具有包括优选地以螺旋形式的轨道的前面2a和自由后面2b。这 样，前面2a包括突起区2c和凹陷区2d 。如在据专利申请 WO-A-2005/010876的记录介质中一样，基板的前面2a的轨道优选地由突起 区2c形成。形成气源的层3和有源层4都优选地具有均匀的厚度。这样，它们都包 括前面3a和4a以及后面3b和4b。那么层3和有源层4各自的前面3a和 4a具有与基板2的几何形状相同的几何形状。有源层4是能够通过光写入照射7的作用局部变形的层。例如它是由碲 和锡合金(SnTe )或由碲和锌合金(ZnTe )或由两层都具有20 nm的厚度的 ZnTe和SnTe的叠层形成。光学照射7由有源层4的前面4a接收并优选地 聚焦在有源层4覆盖基板的轨道即，基板的前面2a的突起区2c的部分的平 面。当数据写入操作进行时，那么光学写入照射7在记录介质中引起升温。 然后升温使得布置在有源层4的后面4b的气源局部地释放气体。然后释放 的气体在有源层4中在有源层4覆盖基板的轨道的部分的平面形成气泡。然 后气泡构成例如能由光学读出照射读出的标志。形成气源的层3具有小于或等于100纳米(nm)的厚度并优选地由碳掺 杂的氢化非晶氧化硅(注SiCO:H)形成。这样的层3和更具体地其厚度能 实现有效地控制释放的气体的量。形成气源的层3小的厚度实际上能实现控 制释放的气体的量并获得限制高度的气泡，这样保证了良好的跟踪。而且， 当层3由碳掺杂的氢化非晶氧化硅(SiCO:H)形成时，层3的沉积条件被优 选地选择以使得促进在热的作用下容易分解的Si-H和Si-C型的低能量键的 形成。忽略的气体的量。它可以是不脱气的材料或具有比层3更高的分解或脱气温 度的材料。因此释放的气体的量仅来自层3，然后层3形成记录介质的主要 并且几乎唯一的气源。如果使用的基板2有可能放出不能忽略的气体的量，附加层8可以布置 在层3和基板2之间，如图2中所描绘的。附加层8设计为限制基板2的脱 气并因此增强了对释放的气体的量的控制及形成的气泡的高度。然后，附加 层8作为基板2和层3之间的緩沖层。它例如可以由磁控賊射沉积的介电层 形成。光学写入照射7穿过的布置在有源层4的前面4a上的层优选地是当进 行写入操作时能够跟随有源层4的变形的可变形层。这样，根据图1和图2 中描绘的实施例，布置在有源层4和保护层5之间的粘结层6是可变形的。如果粘结层6不足够柔软以允许有源层4的变形，附加可变形层9可以 布置在粘结层6和有源层4之间有源层4的前面4a上。这样，图3和图4 分别描绘图1和图2的替换实施例，这些替换实施例具有布置在粘结层6和 有源层4之间的可变形层9。以举例为目的，图4中描绘的记录介质本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种不可逆光学记录介质（１），包括：至少一个呈现后表面（４ｂ）和设计为接收至少一个光学写入照射（７）的前面（４ａ）的有源层（４），所述光学写入照射（７）通过布置在有源层（４）的后面（４ｂ）上的形成气源的层（３）能够实现在所述有源层（４）中局部地形成气泡，介质（１）特征在于形成气源的所述层（３）具有小于或等于１００ｎｍ的厚度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2005-3-29 05030321.一种不可逆光学记录介质(1)，包括至少一个呈现后表面(4b)和设计为接收至少一个光学写入照射(7)的前面(4a)的有源层(4)，所述光学写入照射(7)通过布置在有源层(4)的后面(4b)上的形成气源的层(3)能够实现在所述有源层(4)中局部地形成气泡，介质(1)特征在于形成气源的所述层(3)具有小于或等于100nm的厚度。2. 如权利要求l所述的介质，特征在于形成气源的所述层(3)由碳掺 杂的氢化非晶氧化硅制成。3. 如权利要求1和2中的一个所述的介质，特征在于所述有源层(4) 布置在保护层(5)和包括自由后面(2b)和提供有轨道的前面(2a)的基 板(2)之间。4. 如权利要求3所述的介质，特征在于形成气源的所述层(3)布置在 所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维克波皮内特，杰罗姆哈泽特，贝兰格里霍特，马克普利索尼尔，
申请(专利权)人：原子能委员会，MPO国际公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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