利用薄层产生光学对比制造技术

一种可记录介质，包括可记录结构，所述可记录结构具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。在一些实例中，可记录结构的透射率在应用能量前后可以大于５０％。在一些实例中，可记录结构可以包括第一层和第二层。在一些实例中，第一和第二层在应用能量时结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用薄层产生光学对比相关申请的交叉引用本申请涉及同时递交的下述美国专利申请系列号—、名为Contrast Inversion for Optical Recording(代理人巻号16233-003001 )，系列号—、名 为Contrast Enhancement for Optical Recording(代理人巻号16233-004001 )， 系列号—、名为Micro-resonant Structure for Optical Recording(代理人巻号 16233-005001)，系列号—、名为Generating Optical Contrast Using Thin Layers (代理人巻号16233-008001)以及系列号—、名为Multiple Recording Structures for Optical Recording(代理人巻号16233-009001 )，其全部在此通 过引用引入。
技术介绍
本专利技术涉及利用薄层产生光学对比(optical contrast)。光记录介质通过在介质中产生光学对比(例如对于光束的反射率方面的 对比)储存数据。例如，可以通过形成具有更高及更低反射率的区域表示零 和一而在记录介质上储存(刻录)二进制数据。用于可记录盘的一类记录介质具有可记录(可刻录)层，数据可以在该 层中一次写入及多次读取。在刻录过程中，随着写光束(write beam)根据编 码数据(使用者意图写入该盘的数据的编码版本)扫描盘，写光束(例如激 光束)调制在高功率级别和低功率级别之间。当写光束在高功率级别时，由 高功率级别产生的热诱发改变可记录层反射比的反应，从而产生光学对比。 在读取过程中，读光束(readbeam)扫描盘以检测光学对比序列，然后解码 该序列以取回写入数据。目前商业可用可记录盘通常使用由有机染料组成并且大约100 nm厚的刻 录层。在将数据记录到盘上之前，染料对于读光束是相对透明的(例如，具有 大于0.75的透射率和小于0.25的吸收率)。通过使用具有高于阈值的功率以诱发染料中(通常是放热)化学反应、造成染料变得不透明的写光束，将数据写入可记录层。同时，反应中释放的能量可在盘上造成微断裂标记(micro-rupture mark)，其也降低反射率。所述盘包括刻录层后面的反射层，以使通过刻录层 的读光束经刻录层朝读光束源反射回来，并且转向检测反射的检测器。在染料 不透明的区域，刻录层在读光束传至反射层时吸收它并且在其经刻录层回来时 再次吸收它，因此，该盘的反射率在该区域低于在具有纯(virgin)透明度的 区域。在下面说明中，材料层的光透射率定义为通过材料层的入射光百分率。材 料层的光反射率定义为由材料层反射的入射光百分率。材料层的光吸收率定义 为光通过材料层一次由材料层吸收的入射光百分率。通常包括一个(或者多个)刻录层的、具有特定结构的盘对于入射到该盘 上的读光束具有一总反射率(其是由于该盘的各单个组成层的反射、透射以及 吸收的组合的结果)。这一总反射率在已被刻录的区域和未被刻录的区域之间 变化。可记录盘的标准与这一总反射率相关，并且对读光束的特定波长(或波 长范围)做了规定。标准还与写入过程的特性相关，例如波长、功率级别、以 及在盘上写入特定类型标记时的写光束的调制格式。可记录盘的实例包括CD-可记录盘 (CD-R) 、 DVD-R、 DVD+R、双层 DVD+R (也称作DVD+RDL)、双层DVD-R (也称作DVD-RDL)、高密 度DVD (HD-DVD)以及蓝光DVD。每种盘遵循规定编码/解码要求以及盘 的光学特性的标准。在下述实例中，R1和R2指对于读光束分别在记录之前和 以后的总反射率。该标准的一个实例包括CD-R标准(在也称作橙皮书的Philips、and Sony's Recordable CD Standard中规定)，其要求R1^45。/。且记录后的反射 率降低至少60%。因此，(Rl-R2) /Rl>60%iR2/Rl<40%。写和读光束需 要具有波长约780 nm。类似地，DVD+R标准要求R1^45M且记录后的反射率 降低至少60%，而读和写光束的波长分别是650 nm和658 nm。己经提出了一些使用非染料方法的光学可记录盘。在一个实例中，可记 录层包括在刻录过程后变成更大反射性的材料层。 一个实例是具有在200 nm 800nm范围的表面特征的金属层，其以随机方向反射读光束，从而减少 光学检测器方向的反射光强度。当写光束应用于该金属层时，金属材料熔化， 并且由于表面张力的缘故，形成可以在光学检测器方向反射更大百分率的读光束的更平滑表面。在另一实例中，可记录层包括相对较低反射率的金属-低-氧化物材料(例 如7^203)，其可以在刻录过程后被诱导分解成相对较高反射率的金属和金属氧化物的混合物(例如Te + Te02)。也可以利用允许擦除己刻录数据的可重写盘。例如， 一些可重写盘利用 从较高反射率的微晶相到较低反射率的非晶相的相变材料光学特性用于记 录，以及利用反相变材料光学特性用于擦除。
技术实现思路
在总体方面，薄层纳米结构提供利用下述材料的一种或更多种特性产生 光学对比的途径。(1) 每种材料具有一定的电荷载流子(charge carrier)密度n (其表示每 立方厘米的电子数或空穴数)，其中电荷载流子具有有效质量m。 n和m的值 可以通过半导体领域已知的方法测量，例如霍尔电阻测量。(2) 当存在引入到材料中的净(net)局部化电荷密度时，将有一个包 围局部化电荷密度的鞘层，其中该鞘层具有称作德拜长度的厚度。当由局部 化电荷密度变化产生的电场中存在波动时，波动的影响大部分被位于德拜长 度内的电荷载流子所感知。例如，这些电荷密度变化可以受载流子移动穿过 界面、电磁(EM)波通过材料或者由于热效应的电荷密度波动所诱发。(3) 界面处的导带和/或价带(valance band)能级(有时称作化学势) 差异使得电子(或空穴)从界面的一侧移至另一侧，造成下述效果(a)其 可以改变该结构在界面处的局部n值；(b)其可以在界面处产生局部化电场；(c)其可以改变电荷载流子的有效质量。因此，其可以改变界面处的电特性 和光学特性。(4) 只在EM波的频率高于临界频率时，才可以通过厚(巨大)材料传播 EM波，该临界频率称作该材料的等离子体频率。如果EM波的频率低于其等离 子体频率，辐射将被该材料反射和/或吸收。当EM波的频率高于等离子体频率， EM波只在其频率匹配量子吸收频率时才可能被吸收。除了这一情况，该材料 对于EM波变得非常透明。然而，当材料厚度小于其德拜长度时，材料对于EM 波将是部分透明的。(5) 对于一阶近似，材料的等离子体频率正比于电荷载流子密度n的平方 根，并且反比于有效质量m的平方根。(6) 对于一阶近似，材料的德拜长度正比于电荷载流子的平均动能(或 者材料的温度)，并且反比于电荷载流子密度n的平方根。(7) 材料特性的改变(包括n和/或m值的改变)可以通过例如热致合金化、 扩散、材料混合或化学反应使得界面(具有适当设计的纳米结构)更不清晰而 实现。(8) 当电荷载流子密度减小和/或有效质量增大至该结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可记录介质，包括：　可记录结构，其具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可记录介质，包括可记录结构，其具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。2、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构在应用能量前 的透射率大于50%。3、 根据权利要求2所述的可记录介质，其中所述可记录结构在应用能量后 的透射率大于50%。4、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括第一层和 第一层。5、 根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一 具有小于IO nm的平均厚度。6、 根据权利要求5所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一 具有小于5nm的平均厚度。7、 根据权利要求6所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一 具有小于2nm的平均厚度。8、 根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层在应用能 量时结合。9、 根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层包括以下 的至少一种(a) 两不同的半导体层，(b) 两不同的金属层，(c) 两不同的介电层，(d) —半导体层和一金属层，(e) —半导体层和一介电层，和(f) 一金属层和一介电层。10、 根据权利要求9所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层每层包 括从由铝、铜、金、银、锡、硅、氧化硅、锗、氧化钨和氧化钛组成的组中选 择的材料。11、 根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括第一层、 第二层和第三层。12、 根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用 能量时结合的第一层、第二层和第三层。13、 根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述第一层、第二层和第三层包括以下的至少一种-(a) 金属层，介电层，和半导体层；(b) 第一金属层，介电层，和第二金属层； (c) 第一金属层，半导体层，和第二金属层；(d) 第一介电层，金属层，和第二介电层；(e) 第一介电层，半导体层，和第二介电层；(f) 第一半导体层，介电层，和第二半导体层；和(g) 第一半导体层，金属层，和第二半导体层。14、 根据权利要求13所述的可记录介质，其中所述第一层、第二层和第三 层包括以下的至少一种(a) 第一金属层，介电层，和第二金属层，其中第一金属层和第二金属层包括不同金属；(b) 第一金属层，半导体层，和第二金属层，其中第一金属层和第二金 属层包括不同金属；(c) 第一介电层，金属层，和第二介电层，其中第一介电层和第二介电 层包括不同电介质材料；(d) 第一介电层，半导体层，和第二介电层，其中第一介电层和第二介 电层包括不同电介质材料；(e) 第一半导体层，介电层，和第二半导体层，其中第一半导体层和第 二半导体层包括不同半导体材料；(f) 第一半导体层，金属层，和第二半导体层，其中第一半导体层和第 二半导体层包括不同半导体材料。15、 根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于20 nm的厚度。16、 根据权利要求15所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于IO nm的厚度。17、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于20 nm的厚度。18、 根据权利要求17所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于IO nm的厚度。19、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有第一层 和第二层，第一层和第二层的每层厚度小于基于该层中电荷载流子密度确定的 德拜长度的三倍。20、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述读光束具有在400nm 460 nm、 630 nm 690 nm或750 nm 810 nm的范围内的频率。21、 根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述能量由写光束提供，并 且可记录介质的反射率在应用能量时减小，可记录介质在应用能量前后的反射 率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD 标准中至少一种一致。22、 一种光盘，包括可记录结构，其具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。23、 根据权利要求22所述的光盘，其中所述可记录结构包括刻录层，所述 刻录层具有至少两个在应用写入功率后结合的子层，刻录层在刻录前对于读光 束具有反射率R1和透射率T1 ，刻录层在刻录后对于读光束具有反射率R2和透射 率T2，并且R1〉R2且T1 <T2。24、 根据权利要求22所述的光盘，其中所述光盘符合CD-R、 DVD-R、 DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。25、 一种可记录介质，包括具有刻录区域的可记录结构，其中通过刻录的有或无携带信息，至少一些 刻录区域对于读光束具有高于尚未被刻录区域的透射率。26、 根据权利要求25所述的可记录介质，其中所述刻录区域表示逻辑l。27、 根据权利要求25所述的可记录介质，其中该空白区域包括第一材料和 第二材料，在该两材料之间具有清晰的界限，并且该记录区域具有由第一和第 二材料间的相互作用产生的第三材料。28、 根据权利要求25所述的可记录介质，其中所述记录区域对于读光束具 有低于该空白区域的反射率，该记录区域和该空白区域的反射率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至 少一种一致。29、 一种光学系统，包括可记录介质，其包括可记录结构，所述可记录结构对于读光束具有在应 用写入功率时增大的透射率；和 光驱，其包括光源，以产生读光束，聚焦机构，以聚焦读光束于可记录结构上，以及 光检测器，以检测从可记录介质反射的光。30、 根据权利要求29所述的可记录介质，其中所述可记录介质的反射率在 应用写光束时减小，可记录介质在应用写光束前后的反射率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。31、 一种光学系统，包括可记录介质，其包括可记录结构，所述可记录结构对于读光束具有在应 用写入功率时增大的透射率；和光驱，其适合于将数据记录在可记录介质中并且具有与写策略相关的预 存储信息，该写策略与识别可记录介质的标识符相关，该系统使用该写策略 以写入信息至识别的可记录介质上。32、 根据权利要求31所述的光学系统，其中所述可记录介质的反射率在应 用能量时减小，可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一 致。33、 一种在可记录介质中写入信息的方法，包括应用能量至可记录结构以提高可记录结构对于读光束的透射率。34、 根据权利要求33所述的方法，其中所述读光束具有在350nm与450nm 之间的波长。35、 根据权利要求33所述的方法，其中所述可记录结构包括第一层和第二 层，并且当应用能量时，第一层和第二层结合以产生第三层。36、 根据权利要求35所述的方法，其中所述第三层具有小于读光束频率的 特征频率，且第一层和第二层中至少其一具有高于读光束的特征频率，层的特 征频率正比于n/m的平方根，其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中 电荷载流子的有效质量。37、 根据权利要求36所述的方法，其中所述特征频率包括等离子体频率。38、 根据权利要求36所述的方法，其中应用能量至可记录结构也减少可记 录介质的反射率，可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一 致。39、 一种从可记录介质读取信息的方法，包括聚焦读光束至可记录结构上以检测第一部分，其具有比第二部分更低的反 射率以及更高的透射率。40、 根据权利要求39所述的方法，其中通过第一部分的有和无携带信息。41、 根据权利要求39所述的光盘，其中所述读光束具有在400 nm 460 nm、 630 nm 690 nm或750 nm 810 nm的范围内的频率。42、 根据权利要求39所述的方法，其中所述第一部分和第二部分的反射率 与CD-R、 DVEHR、 DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD 标准中至少一种一致。43、 一种写入数据的方法，包括应用能量至刻录层以改变刻录层的特征频率以便特征频率从高于特定的读光束频率变成低于该读光束频率，层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n 表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。44、 根据权利要求43所述的方法，其中所述读光束频率对应于在400nm 460 nm之间的波长。45、 根据权利要求43所述的方法，其中所述可记录结构的反射率在应用能 量时减小，可记录结构在应用能量前后的反射率与CD-R、 DVD+R、 DVD-R、 双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。46、 一种可记录介质，包括具有对于读光束大于50%的反射率的可记录结构，其中在应用能量时，可 记录结构对于读光束的透射率变得大于50%。47、 根据权利要求46所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有第一层 和第二层，其在应用能量时反应。48、 根据权利要求47所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少 其一小于10nm。49、 一种可记录介质，包括具有对于读光束大于50%的透射率的可记录结构，其中可记录结构在应用 能量时的反射率变得大于50%。50、 一种可记录介质，包括-可记录结构，其包括至少具有第一等离子体频率col的第一层，其中当写 入功率用于可记录结构时，形成具有第二等离子体频率o)2的第二层，其中 Q)KwKco2或者a)2〈coK(Dl，其中cor是读光束的频率，其具有等于或不同于赋予 写入功率的写光束频率的频率，其中层的等离子体频率正比于n/m的平方根， 其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。51、 根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用 写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一层和第三 层中的材料混合形成第二层。52、 根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用 写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一层和第三 层中的材料化学反应形成第二层。53、 根据权利要求52所述的可记录介质，其中所述化学反应是吸热的。54、 根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述cor对应于400nm 460 nm之间的波长。55、 一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层具有第一等离子体频率Q)l， 第二层具有第二等离子体(D2，选择这两层以便当写入功率用于可记录结构时， 第一层和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率o)3的第三层，以至于 co 1 <a)r<o)3或者co2〈o)Ko)3或者co3〈o)rcco 1或者①3〈coKo)2 ，其中cor是读光束的频率。56、 根据权利要求55所述的可记录介质，其中所述读光束具有等于赋予写 入功率的写光束的频率。57、 根据权利要求55所述的可记录介质，其中层的等离子体频率基于该层 中的电荷载流子密度以及电荷载流子的有效质量。58、 根据权利要求55所述的可记录介质，其中相比于cor低于另一层的等离 子体频率的又一层，当cor高于一层的等离子体频率时，该一层具有对于读光束 更高的透射率。59、 根据权利要求55所述的可记录介质，其中所述cor对应于在400 nm 460 nm之间的波长。60、 一种方法，包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一层具有第一等离子体频率(Ol，第二层具有第二等离子体(D2，写入功率造成第一层和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率①3的第三层，选择两层以便满足下述条 f牛中至少一种coKcor〈co3， co2<a)r<G)3， a)3〈a)r〈①l和co3〈coK(02，其中(or是读 光束的频率，其具有等于或者不同于写入功率的频率。61、 一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层和第二层中至少其一具有小 于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度，第一层和第二层在应 用能量时相互作用以造成可记录结构的光学特性改变，所述光学特性包括对于 读光束的反射率和透射率中至少一种。62、 根据权利要求61所述的可记录介质，其中通过具有高于特定值的能量 密度的写光束赋予能量并且赋予在可记录结构上至少特定持续时间。63、 根据权利要求61所述的可记录介质，其中所述可记录结构对于读光束 的透射率在应用能量时增加至少10%。64、 一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层和第二层至少其一具有小于 10nm的厚度，第一层和第二层在应用写入功率时相互作用以造成可记录结构 的光学特性改变，所述光学特性包括对于读光束的反射率和透射率中至少一 种。65、 根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述可记录结构对于读光束 的透射率在应用写入功率时增加至少10%。66、 根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层的每层 具有小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。67、 根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少其一具有小于5nm的厚度。68、 一种方法，包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一层和第二层中至 少其一具有小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。69、 一种可记录介质，包括可记录结构，其具有在应用能量时改变的光学特性以造成在可记录结构中 发生吸热反应。70、 根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有在应用 能量时在吸热反应中反应的第一层和第二层。71、 根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少 其一小于10nm。72、 根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述吸热反应包括吸热化学 反应。73、 根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述吸热反应包括第一层和 第二层中材料的混合。74、 根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述能量由具有高于预定值 的能量的写光束赋予，并应用至少特定的持续时间。75、 根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括对于读光 束的透射率。76、 根据权利要求75所述的可记录介质，其中所述可记录结构的透射率在 应用能量时增大。77、 根据权利要求75所述的可记录介质，其中所述可记录结构的透射率在 应用能量时从小于50%变成大于50% 。78、 根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括对于读光 束的反射率。79、 根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括可记录结 构的吸收率。80、 一种可记录介质，包括可记录结构，其中当应用能量时，可记录结构对于读光束的吸收率变化不 大于10%，而对于读光束的透射率和反射率变化大于10% 。81、 根据权利要求80所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有在应用能量时反应的第一层和第二层。82、 根据权利要求81所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其 一小于10nm。83、 一种可记录介质，包括可记录结构，其包括具有不同光学特性的第一层和第二层，第一层和第二 层在应用写入功率前具有层间清晰的界限，而在应用写入功率后，通过掺合第 一层和第二层中的材料，第一和第二层间的界限变得较不清晰，以致于可记录 结构对于读光束的光学特性改变。84、 一种光盘驱动，包括预存储信息，其识别光盘是否属于包括一可记录结构的一类盘，所述可记 录结构具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。85、 一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，其中第一层和第二层并不完全重叠， 且第一层和第二层在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光 学特性改变。86、 根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层包括不连续区域。87、 根据权利要求86所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层都包括 不连续区域。88、 根据权利要求86所述的可记录介质，其中所述区域具有小于100nm的直径。89、 根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层包括具有形成空 穴形状的连续区域。卯、根据权利要求89所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层每层包 括具有形成空穴形状的连续区域。90.91、 根据权利要求89所述的可记录介质，其中所述空穴具有小于100nm的 直径。92、 根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层具有不连续区域 而所述第二层包括具有形成孔穴形状的连续区域。93、 根据权利要求85所述的可记录介质，进一步包括附着到可记录结构的 衬底，其中第一层基本上覆盖衬底一侧的整个表面，且第二层覆盖衬底一侧小于90%的表面。94、 根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其 一的德拜长度小于5 nm，该德拜长度基于该层中电荷载流子密度确定。95、 根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其 一的德拜长度小于l nm，该德拜长度基于该层中电荷载流子密度确定。96、 一种可记录介质，包括 具有表面的衬底；和附着到该衬底的可记录结构，该可记录结构具有第一材料和第二材料，该 第一材料和第二材料中至少其一覆盖少于卯％的衬底表面；其中第一材料和第二材料在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于 读光束的光学特性的改变。97、 根据权利要求96所述的可记录介质，其中所述材料中的至少一种包括 不连续区域。98、 根据权利要求97所述的可记录介质，其中所述区域具有小于100nm的直径。99、 根据权利要求96所述的可记录介质，其中材料的第一层和第二层至少 其-一包括具有形成空穴形状的连续区域。100、 根据权利要求99所述的可记录介质，其中所述空穴具有小于100nm 的直径。101、 一种可记录介质，包括 具有表面的衬底；以及在该衬底上的可记录结构，该可记录结构具有第一材料和第二材料，其在 应用写入功率时结合以造成可记录结构的光学特性对于读光束的改变，其中第 一材料和第二材料至少其一具有小于5 nm的有效厚度，其中该材料的有效厚度 定义为材料体积除以衬底表面面积。102、 根据权利要求101所述的可记录介质，其中所述第一材料和第二材料 中至少其一包括不连续区域。103、 一种写入数据的方法，包括 应用能量至包括衬底以及附着于该衬底的可记录结构的可记录介质，该可 记录结构具有第一材料和第二材料，其在应用能量时结合以造成可记录结构对 于读光束的光学特性的改变，其中第一材料和第二材料中至少其一覆盖少于90%的衬底。104、 一种制造可记录介质的方法，包括沉积第一材料和第二材料于衬底一侧上，其中第一材料和第二材料中至少其一覆盖小于90%的该衬底一侧表面。105、 根据权利要求104所述的方法，进一步包括控制应用于沉积第一材料 和第二材料所用机器的功率以控制由第一材料和第二材料覆盖的表面百分率。106、 根据权利要求104所述的方法，进一步包括控制沉积第一材料和第二 材料的持续时间以控制由第一材料和第二材料覆盖的表面百分率。107、 一种可记录介质，包括 可记录结构，其包括具有反射率R1和透射率T1的第一层； 具有透射率T2的第二层；以及具有反射率R3的第三层，该第二层置于第一和第三层之间并且具有小 于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度的厚度，其中该可记录结构具有总反 射率R,，其大于R1+T1^T2^R2。108、 根据权利要求107所述的可记录介质，其中所述第二层具有厚度d， 以至可记录结构的反射率具有基本上最佳反射率值。109、 根据权利要求108所述的可记录介质，其中所述基本上最佳反射率值 与最大反射率值之间的差小于最大反射率值的10%，其中最大反射率值通过找 出当第二层厚度在0.8d l，2d之间变化时可记录结构反射率的最大值而确定。110、 根据权利要求108所述的可记录介质，其中当第二层厚度变化10%时， 反射率减少至少10%。111、 一种可记录介质，包括 可记录结构，其包括具有反射率R1的第一层； 第二层；以及具有反射率R2的第三层，第二层置于第一层和第三层之间，第二层具有 小于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度的厚度，其中可记录结构具有总反射率R3，其中R3〈R1且R3〈 (1-R1) *R2。112、 根据权利要求lll所述的可记录介质，其中所述第二层具有厚度d， 以至可记录结构的反射率具有基本上最小值。113、 根据权利要求112所述的可记录介质，其中当第二层厚度变化10%时， 反射率增加至少10%。114、 一种产生光学对比的方法，包括应用能量至微-共振结构，其具有至少第一层L1、第二层L2以及第三层L3 以造成所述层中至少两层结合，其中层L2置于层L1和层L3之间，层L1具有反射率R1和透射率T1，层L3 具有反射率R3，层L2具有透射率T2和小于读光束波长的四分之一的厚度， 其中在应用能量前，该微-共振结构具有大于Rl + Tl2 * T22 * R3的总反射sum。115、 根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2具有小于基于层L2电 荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。116、 根据权利要求114所述的方法，其中应用能量后，微-共振结构的反 射率减小。117、 根据权利要求114所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里文泰徐，赖信成，卢成基，钟永清，燕克夫，李芳瑜，张郁扬，
申请(专利权)人：连宥科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]