一种晶圆级封装方法及其封装结构技术

本发明专利技术提供一种晶圆级封装方法及其封装结构包括：提供器件晶圆，器件晶圆中形成有多个第一芯片；提供多个第二芯片，将多个第二芯片键合于临时衬底上；在第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在第二芯片上形成第二环形电连接结构；将第一芯片和第二芯片相对设置并将第一环形电连接结构和第二环形电连接结构键合在一起，以将第一芯片和第二芯片电连接；其中，第一芯片、第一环形电连接结构、第二环形电连接结构和第二芯片围成空腔；去除临时衬底；在多个第二芯片以及第二芯片露出的第一环形电连接结构、第二环形电连接结构和器件晶圆上形成覆盖封装层简化了封装工艺。在原适应的封装场合中增加了可用于具有空腔结构的封装场合，提高了其利用率。提高了其利用率。提高了其利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装方法及其封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构。

技术介绍

[0002]随着大规模集成电路的不断发展，集成电路(IC)的特征尺寸一直在不断减小。因此，对IC的封装技术的需求增加。当前的封装技术包括球栅阵列(BGA)封装，芯片级封装(CSP)，晶圆级封装(WLP)，三维(3D)封装和系统级封装(SiP)等。
[0003]对于具有较低制造成本和较高可靠性，速度和密度的IC封装，先进的封装方法主要采用晶片级系统级封装(WLSiP)。与传统的系统级封装(SiP)相比，WLSiP封装方法完成了晶圆上的封装集成过程，从而显著减小了封装结构的面积，降低了制造成本，优化了电子性能，并进行了批处理等。因此，设备需求大大降低了。
[0004]WLSiP封装方法主要包括两个重要过程:物理连接和电气连接。这些方法包括，例如，使用键合工艺将要集成到晶片上的芯片物理键合；使用电镀工艺电连接半导体；并使用硅穿孔(TSV)工艺将芯片与外部电路电连接。当前的WLSiP封装方法需要进一步简化和改进。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆中形成有多个第一芯片；提供多个第二芯片，将多个所述第二芯片键合于临时衬底上；在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构；将所述第一芯片和所述第二芯片相对设置并将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，以将所述第一芯片和所述第二芯片电连接；其中，所述第一芯片、所述第一环形电连接结构、所述第二环形电连接结构和所述第二芯片围成空腔；去除所述临时衬底；在多个所述第二芯片以及所述第二芯片露出的所述第一环形电连接结构、所述第二环形电连接结构和所述器件晶圆上形成覆盖封装层。2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层，并在所述第一环形导电层上形成环形金属层，所述第一环形导电层和所述环形金属层作为所述第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形导电层作为所述第二环形电连接结构。3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述环形第二导电层键合在所述环形金属层上。4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层作为第一环形电连接结构，在所述第二芯片上形成第二环形导电层，并在所述第二环形导电层上形成环形金属层，所述第二环形导电层和所述环形金属层作为第二环形电连接结构。5.如权利要求4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述环形金属层键合在所述第一环形导电层上。6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层作为第一环形电连接结构，在所述第二芯片上形成第二环形导电层作为所述第二环形电连接结构。7.如权利要求6所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述第二环形导电层键合于所述第一环形导电层上。8.如权利要求2
‑
7任意一项所述晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一环形导电层和所述第二环形导电层采用沉积和刻蚀工艺形成。9.如权利要求2或4所述的晶圆级...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺光磊，
申请(专利权)人：芯知微上海电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：