掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法制造方法及图纸

一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。第一部分。第一部分。

【技术实现步骤摘要】
掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种掩蔽装置、用于结合半导体衬底的方法及形成半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改善，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的改善来自于最小特征大小(feature size)的不断地减小，这允许更多的组件能够集成到给定区域内。随着对缩小电子器件的需求的增加，亟需更小且更具创造性的半导体管芯的封装技术。这种封装系统的实例是叠层封装(Package
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Package，PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装被堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成水平及组件密度。PoP技术一般能够生产功能性得到增强且在印刷电路板(printed circuit board，PCB)上占用空间小的半导体器件。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种用于执行激光加热工艺的掩蔽装置包括掩蔽层以及安装层。所述掩蔽层包括多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于执行激光加热工艺的掩蔽装置，包括：掩蔽层，所述掩蔽层包括多个掩蔽部分，所述掩蔽部分对于回焊激光是不透明的；及安装层，所述掩蔽层位于所述安装层上，所述安装层对于所述回焊激光是透明的。2.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述多个掩蔽部分中的第一掩蔽部分包括圆形轮廓，所述多个掩蔽部分中的第二掩蔽部分包括圆形轮廓，所述第二掩蔽部分围绕所述第一掩蔽部分，所述第一掩蔽部分不接触所述掩蔽层的任何其他部分，所述第二掩蔽部分位于所述第一掩蔽部分中的开口中，所述开口的直径介于10mm到60mm的范围内，且所述第二掩蔽部分的直径介于4mm到30mm的范围内。3.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述掩蔽层内的至少一个间隙具有矩形轮廓，所述掩蔽层包括部分透明的部分。4.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述安装层包含玻璃，且所述掩蔽层通过螺钉贴合到所述安装层。5.一种用于结合半导体衬底的方法，所述方法包括：将管芯放置在衬底上，所述管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触所述衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件；及在所述管芯及所述衬底上执行加热工艺，以将所述相应的第一连接件与所述相应的第二连接件结合，所述加热工艺包括：在激光产生器与所述衬底之间放置掩蔽装置，所述掩蔽装置包括掩蔽层及透明层，所述掩蔽层的部分是不透明的；及执行第一激光发射，所述激光穿过所述掩蔽层中的第一间隙且穿过所述透明层以加热与所述衬底相对的所述管芯的顶侧的第一部分。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一间隙具有环形轮廓。7.根据权利要求5所述的方法，还包括：执行第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳申，陈威宇，钟宇轩，林修任，谢静华，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：