一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构技术

本发明专利技术提供一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构，包括步骤：提供基板，基板内形成有多个第一微器件，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述基板的第一面形成多个第一导电块；所述介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫，所述第一焊垫与所述互连结构电连接；提供第二微器件，所述第二微器件上形成多个裸露的第二焊垫；在所述第一焊垫上和/或所述第二焊垫上形成导电凸块；所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述导电凸块电连接。本发明专利技术通过先在第一焊垫上和/或第二焊垫上形成导电凸块，然后通过导电凸块实现第一微器件和第二微器件的电连接，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度，提高封装结构的导电性能。构的导电性能。构的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构


[0001]本专利技术属于半导体
，更具体地，涉及一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(ball grid array，BGA)、芯片尺寸封装(chip scale package，CSP)、晶圆级封装(wafer level package，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(system in package，SiP)。
[0003]目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用三维立体堆叠模式的晶圆级系统封装(wafer level package system in package，WLPSIP)，与传统的系统封装相比，晶圆级系统封装是在晶圆上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。现有的系统级封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微器件集成结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板内形成有多个第一微器件，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述基板的第一面形成多个第一导电块；在所述基板上形成介质层，所述介质层内形成互连结构，所述互连结构与所述第一导电块电连接；所述介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫，所述第一焊垫与所述互连结构电连接；提供第二微器件，所述第二微器件上形成多个裸露的第二焊垫；在所述第一焊垫上和/或所述第二焊垫上形成导电凸块；所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述导电凸块电连接。2.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述导电凸块的形成方法包括：在形成第一焊垫之后，在第一焊垫上形成导电凸块；或者，在形成第二焊垫之后，在第二焊垫上形成导电凸块；或者，在形成第一焊垫之后，在第一焊垫上形成第一导电凸块，在形成第二焊垫之后，在第二焊垫上形成第二导电凸块，所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述第一导电凸块和第二导电凸块键合实现电连接，所述第一导电凸块和第二导电凸块构成所述导电凸块。3.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，导电凸块通过电镀或者植球工艺形成在所述第一焊垫和/或第二焊垫上。4.根据权利要求2所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，第一导电凸块与第二导电凸块键合的工艺包括熔融键合、黏着键合。5.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，导电凸块的材料包括：铜、钛、铝、金、镍、铁、锡、银、锌或铬中的任意一种或多种。6.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述粘结的方法包括：通过可光刻的键合材料将所述第二微器件粘合在所述介质层上。7.根据权利要求6所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，可光刻的键合材料覆盖所述导电凸块外围的区域。8.根据权利要求6所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料至少覆盖所述第二微器件面积的10％。9.根据权利要求6所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料包括：膜状干膜或液态干膜。10.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺光磊，
申请(专利权)人：芯知微上海电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：