光罩的制备方法及光罩技术

本申请实施例涉及一种光罩的制备方法及光罩，所述方法包括：提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；获取所述对准图形的偏移数据；根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以及根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。本申请能够减少对准图形的数量同时又能保证光罩检测质量。证光罩检测质量。证光罩检测质量。

【技术实现步骤摘要】
光罩的制备方法及光罩


[0001]本申请实施例涉及半导体制造
，具体涉及一种光罩的制备方法及光罩。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造工艺的快速发展，对半导体产品的集成度的要求越来越高，单位面积内分布的半导体器件的数量不断增加，导致图案对准的要求越来越高，需要在光罩上制作大量对准图形以检测光罩的质量，占用了大量的光罩面积。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种能够减少对准图形的数量同时又能保证光罩检测质量的光罩的制备方法及光罩。
[0004]根据一些实施例，本申请的一方面提供一种光罩的制备方法，包括：
[0005]提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；
[0006]获取所述对准图形的偏移数据；
[0007]根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；
[0008]根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。
[0009]在上述实施例中的光罩的制备方法中，通过在测试光罩上设置若干个芯片功能区，芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形，芯片功能图形用于限定制成半导体芯片功能层中的功能结构，其中，不同芯片功能区中的芯片功能图形与半导体芯片的不同功能层相对应；通过测试光罩获取各不同芯片功能区中对准图形的偏移数据；然后根据获取的对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域，并在根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量之后，根据所述目标对准图形的位置及数量和所述芯片功能图形制备目标光罩，以有效地减少对准图形的数量，同时又能保证光罩的检测质量。
[0010]在其中一个实施例中，所述偏移数据包括偏移距离、横向偏移量、纵向偏移量及相对于预设方向的偏移角度中至少一种。
[0011]在其中一个实施例中，所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移角度的差值位于预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移距离的差值位于预设偏移距离阈值范围内。
[0012]在其中一个实施例中，所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移角度的差值位于所述预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移距离的差值位于所述预设偏移距离阈值范围内。
[0013]在其中一个实施例中，所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的横向偏移量的差值位于第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的纵向偏移量的差值位于第二预设阈值范围内。
[0014]在其中一个实施例中，所述聚类区域内所有所述对准图形的横向偏移量的差值位于所述第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内所有所述对准图形的纵向偏移量的差值位于所述第二预设阈值范围内。
[0015]在其中一个实施例中，所述根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，包括：获取所述聚类区域内对准图形的位置及数量；根据所述聚类区域内对准图形的数量确定对应的目标对准图形的位置及数量。
[0016]在其中一个实施例中，在所述聚类区域内选择一个对准图形作为所述目标对准图形。
[0017]在其中一个实施例中，所述目标对准图形位于所述聚类区域的中心部。
[0018]在其中一个实施例中，在所述聚类区域内选择两个对准图形作为所述目标对准图形，两个所述目标对准图形分别位于所述聚类区域相对的两侧部。
[0019]在其中一个实施例中，在所述聚类区域内选择三个对准图形作为所述目标对准图形，三个所述目标对准图形分别位于所述聚类区域的中心部以及相对的两侧部。
[0020]在其中一个实施例中，所述根据所述聚类区域内对准图形的数量确定对应的目标对准图形的位置及数量，包括：选择部分所述聚类区域中的部分对准图形作为所述目标对准图形；或，选择全部聚类区域中的部分对准图形作为所述目标对准图形。
[0021]在其中一个实施例中，所述对准图形还设置在所述芯片功能区的外周部。
[0022]在其中一个实施例中，所述外周部的所述对准图形为等间距排布。
[0023]在其中一个实施例中，所述测试光罩的各所述芯片功能区的所述芯片功能图形互不相同。
[0024]根据一些实施例，本申请另一方面提供一种光罩，采用本申请任一个实施例中所述的光罩的制备方法制成。
[0025]通过在测试光罩上设置若干个芯片功能区，芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形，芯片功能图形用于限定制成半导体芯片功能层中的功能结构，其中，不同芯片功能区中的芯片功能图形与半导体芯片的不同功能层相对应；通过测试光罩获取各不同芯片功能区中对准图形的偏移数据；然后根据获取的对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域，并在根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量之后，根据所述目标对准图形的位置及数量和所述芯片功能图形制备目标光罩，有效地减少对准图形的数量，同时又能保证光罩的检测质量。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他实施例的附图。
[0027]图1为本申请一实施例中提供的一种光罩的制备方法的流程示意图；
[0028]图2为本申请一实施例中提供的一种测试光罩的示意图；
[0029]图3为本申请一实施例中提供的测试光罩的芯片功能区和对准图形的示意图；
[0030]图4为本申请一实施例根据对准图形的偏移数据确定的聚类区域示意图；
[0031]图5为本申请一实施例中提供的一种目标对准图形和芯片功能区的示意图；
[0032]图6为本申请另一实施例中提供的一种目标对准图形和芯片功能区的示意图；
[0033]图7为本申请一实施例中提供的一种目标光罩的示意图。
具体实施方式
[0034]为了便于理解本申请，下面将参考相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0035]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0036]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩的制备方法，其特征在于，包括：提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；获取所述对准图形的偏移数据；根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以及根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏移数据包括偏移距离、横向偏移量、纵向偏移量及相对于预设方向的偏移角度中至少一种。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移角度的差值位于预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移距离的差值位于预设偏移距离阈值范围内。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移角度的差值位于所述预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移距离的差值位于所述预设偏移距离阈值范围内。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的横向偏移量的差值位于第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的纵向偏移量的差值位于第二预设阈值范围内。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述聚类区域内所有所述对准图形的横向偏移量的差值位于所述第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内所有所述对准图形的纵向偏移量的差值位于所述第二预设阈值范围内。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙筱雨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：