掩膜板以及三维存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜板以及三维存储器的制作方法。该掩膜板中的对准图形包括多个对准单元，对准单元沿第一方向间隔设置，相邻对准单元之间的最小间距为H1，各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，相邻对准区域之间的最小间距为H2，H1大于H2，各对准区域具有在第一方向上的第一长度以及在第二方向上的第二长度，第一长度与第二长度之比大于1，第一方向与第二方向之间具有夹角。在相同尺寸的对准图形的前提下，本申请能够将传统的掩膜板中位于对准单元中同一行的对准区域连通，通过扩展其中对准区域的尺寸，使得利用该掩膜板形成的对位孔能够保证填充足够的导电材料，保证了后续光刻工艺中的对准信号，提高了对准效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
掩膜板以及三维存储器的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种掩膜板以及三维存储器的制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，闪存(Flash Memory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，进一步提出了三维的闪存存储器(3D NAND)。
[0003]在3D NAND闪存结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。3D NAND存储器阵列中的堆叠结构通常包括核心阵列区域和台阶区域，台阶区域中分布有台阶结构和与台阶结构连接的导电触点，通常通过在台阶结构上覆盖具有接触孔(TSV)的介质层，并在接触孔中形成与导电触点连接的互连层，将存储器阵列与外围电路键合连接。
[0004]现有技术中通常采用SADP工艺形成上述接触孔，SADP工艺对对准的要求较高，为了得到更好的对准效果，光刻工艺中所采用的掩膜板在设计时会对对准图形(8um或8.8um)进行分割，然而，上述对准图形通常被分割成尺寸较小的小孔阵列，导致导电材料填充较少，从而影响后续用于形成的导电层的掩膜板的对准信号，进而导致对准的效果很差，甚至出现wafer reject(晶圆对准失效)的现象。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种掩膜板以及三维存储器的制作方法，以解决现有技术中掩膜板的对准图形易导致后续采用的掩膜板的对准信号较差的问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种掩膜板，包括对准图形，用于通过曝光光源，该对准图形包括多个对准单元，对准单元沿第一方向间隔设置，相邻对准单元之间的最小间距为H1，各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，相邻对准区域之间的最小间距为H2，H1大于H2，各对准区域具有在第一方向上的第一长度以及在第二方向上的第二长度，第一长度与第二长度之比大于1，第一方向与第二方向之间具有夹角。
[0007]进一步地，相邻对准单元通过第一遮光区域间隔设置，同一对准单元中相邻的对准区域通过第二遮光区域间隔设置，第一遮光区域与第二遮光区域连通。
[0008]进一步地，第二长度与H2之比为1：1～4：1。
[0009]进一步地，同一对准单元中相邻的对准区域等间距设置。
[0010]进一步地，第一长度与第二长度之比为3：1～30：1。
[0011]进一步地，各对准区域的面积为0.2～3μm2。
[0012]进一步地，第一方向与第二方向垂直。
[0013]进一步地，H1：H2≥3。
[0014]进一步地，相邻对准单元等间距设置。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供了一种三维存储器的制作方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括核心存储区、台阶区和切割道区域，核心存储区包括连接的存储单元和第一接触点，第一接触点位于存储单元远离衬底的一侧，台阶区包括连接的台阶结构和第二接触点，第二接触点位于台阶结构远离衬底的一侧；在堆叠结构上覆盖绝缘层，并提供上述的掩膜板，掩膜板包括主体图形和对准图形；通过掩膜板对绝缘层进行刻蚀，以在绝缘层中形成与第一接触点和/或第二接触点连通的多个接触孔，同时形成位于切割道区域中的对位孔，掩膜板中的主体图形用于形成接触孔，掩膜板中的对准图形用于形成对位孔；在接触孔中形成与第一接触点接触的互连层，并在对位孔中形成与第二接触点接触的对位标记。
[0016]应用本专利技术的技术方案，提供了一种掩膜板，包括主体图形和对准图形，用于通过曝光光源，其特征在于，对准图形包括多个对准单元，对准单元沿第一方向间隔设置，相邻对准单元之间的最小间距为H1，各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，相邻对准区域之间的最小间距为H2，H1大于H2，各对准区域具有在第一方向上的第一长度以及在第二方向上的第二长度，第一长度与第二长度之比大于1，第一方向与第二方向之间具有夹角。由于上述各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，各对准区域具有在第一方向上的第一长度以及在第二方向上的第二长度，第一长度与第二长度之比大于1，从而在相同尺寸的对准图形的前提下，本申请能够将传统的掩膜板中位于对准单元中同一行的对准区域连通，从而通过扩展其中对准区域的尺寸，使得利用该掩膜板形成的对位孔能够保证填充足够的导电材料，进而保证了后续光刻工艺中的对准信号，提高了对准效果。
附图说明
[0017]构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了在本申请实施方式所提供的一种对准图形的俯视结构示意图；
[0019]图2示出了图1中所示的对准图形中A区域的俯视结构示意图；
[0020]图3示出了在本申请实施方式所提供的另一种对准图形的俯视结构示意图；
[0021]图4示出了图3中所示的对准图形中A区域的俯视结构示意图。
[0022]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0023]100、对准单元；110、对准区域；120、第一遮光区域；130、第二遮光区域。
具体实施方式
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0025]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0026]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0027]正如
技术介绍
中所介绍的，现有技术中通常采用SADP工艺形成上述接触孔，SADP工艺对对准的要求较高，为了得到更好的对准效果，光刻工艺中所采用的掩膜板在设计时会对对准图形(8um或8.8um)进行分割，然而，上述对准图形通常被分割成尺寸较小的小孔阵列，导致导电材料填充较少，从而影响后续用于形成的导电层的掩膜板的对准信号，进而导致对准的效果很差，甚至出现w本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，包括对准图形，用于通过曝光光源，其特征在于，所述对准图形包括多个对准单元(100)，所述对准单元(100)沿第一方向间隔设置，相邻所述对准单元(100)之间的最小间距为H1，各所述对准单元(100)由沿第二方向间隔设置的多个对准区域(110)组成，相邻所述对准区域(110)之间的最小间距为H2，H1大于H2，各所述对准区域(110)具有在所述第一方向上的第一长度以及在所述第二方向上的第二长度，所述第一长度与所述第二长度之比大于1，所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，相邻所述对准单元(100)通过第一遮光区域(120)间隔设置，同一所述对准单元(100)中相邻的所述对准区域(110)通过第二遮光区域(130)间隔设置，所述第一遮光区域(120)与所述第二遮光区域(130)连通。3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二长度与所述H2之比为1：1～4：1。4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，同一所述对准单元(100)中相邻的所述对准区域(110)等间距设置。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一长度与所述第二长度之比为3：1～30：1。6.根据权利要求1或5所述的掩膜板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭龙霞，黎剑锋，张鹏真，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：