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本发明提供了一种掩膜板以及三维存储器的制作方法。该掩膜板中的对准图形包括多个对准单元，对准单元沿第一方向间隔设置，相邻对准单元之间的最小间距为H1，各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，相邻对准区域之间的最小间距为H2，H1大于...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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