一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版，其中，掩膜版的布局方法包括：在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形；每相邻两个芯片图形之间形成有切割道，切割道用于设置标记图形；标记图形至少包括第一标记图形；根据第一标记图形的量测对准需要，获取第一标记图形的分割单元的设定个数；将设定个数的分割单元依次设置于切割道上，使得第一标记图形未覆盖其他标记图形；设置第一标记图形单体替换至少两个相邻设置的分割单元，设置于切割道上；其中，第一标记图形单体与至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形完全重合。本发明专利技术提供的技术方案，可解决人工布局标记图形效率低，且精确度低的问题。精确度低的问题。精确度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体布局
，尤其涉及一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版。

技术介绍

[0002]在半导体制造的过程中，光刻工艺是最重要的电路图形转移工艺，其中，掩膜版(mask)是实现光刻工艺的重要材料，可以用于制作半导体芯片的电路版图。在半导体加工模式中，首先由集成电路设计公司设计晶片电路图，并由光罩公司设计掩膜版框架数据，并将晶片电路图和掩膜版框架数据合并，形成掩膜版。
[0003]掩膜版框架数据一般包含各种制作流程相关的工艺和电学参数的标记图形(mark)。根据需要的标记图形，以及芯片尺寸，可计算出各种标记图形的尺寸，并通过人工的方式将需要拆分的标记图形分割成长度不等的多条标记单体，并进行人工布局和设置，拆分和布局过程使得整个手工布局过程繁琐复杂，造成大量人力成本的浪费，并且布局结构优化程度不高，并且具有不稳定、不精确的缺点。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版，以解决人工布局标记图形效率低，且精确性较差的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种掩膜版的布局方法，包括：
[0006]在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形；每相邻两个所述芯片图形之间形成有切割道，所述切割道用于设置标记图形；所述标记图形至少包括第一标记图形；
[0007]根据所述第一标记图形的量测对准需要，获取第一标记图形的分割单元的设定个数；
[0008]将所述设定个数的分割单元依次设置于所述切割道上，使得所述第一标记图形未覆盖其他标记图形；
[0009]设置第一标记图形单体替换至少两个相邻设置的分割单元，设置于所述切割道上；其中，所述第一标记图形单体与所述至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形完全重合。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供了一种掩膜版的布局装置，包括：
[0011]芯片图形布局模块，用于在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形；每相邻两个所述芯片图形之间形成有切割道，所述切割道用于设置标记图形；所述标记图形至少包括第一标记图形；
[0012]数量获取模块，用于根据所述第一标记图形的量测对准需要，获取第一标记图形的分割单元的设定个数；
[0013]自动布局模块，用于将所述设定个数的分割单元依次设置于所述切割道上，使得所述第一标记图形未覆盖其他标记图形；
[0014]单体替换模块，用于设置第一标记图形单体替换至少两个相邻设置的分割单元，设置于所述切割道上；其中，所述第一标记图形单体与所述至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形完全重合。
[0015]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种掩膜版，采用本专利技术任意实施例提供的掩膜版的布局方法进行布局，所述掩膜版包括阵列排布的芯片图形；每相邻两个所述芯片图形之间形成有切割道，所述切割道用于设置标记图形；所述标记图形至少包括第一标记图形。
[0016]本专利技术中，对掩膜版进行布局时，需要对芯片图形阵列上相邻芯片图形之间的切割道进行标记图形设置，以用于光刻工艺的对位和测量需求，其中，对于总长度较长的第一标记图形，可将其分割成长度较小的分割单元，根据用户设定的第一标记图形的量测对准需要，可获知需要在切割道上设置的分割单元的个数，并按照分割单元不影响其他标记图形的摆放的标准将所有分割单元自动依次设置在切割道，分割单元可能分离设置，也可能多个分割单元相邻设置，本实施例可将至少两个相邻设置的分割单元由对应的第一标记图形单体进行替换，并且第一标记图形单体的尺寸与至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形的尺寸完全相同，从而完成第一标记图形的布局。本专利技术实施例通过不同个数的分割单元的堆叠形成不同长度的第一标记图形单体，从而使得第一标记图形单体能够填充在其他标记图形之间的间隙处，避免人工拆分的第一标记图形单体无法放入上述间隙的情况，能够实现切割道上各种标记图形的最佳位置摆放，提高切割道的空间利用率，解决人工摆放耗费时间长的问题，并且提高了摆放精确度。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的布局方法流程示意图；
[0018]图2是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
[0019]图3是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的局部结构示意图；
[0020]图4是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版的结构示意图；
[0021]图5是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版的布局方法流程示意图；
[0022]图6是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版的布局方法流程示意图；
[0023]图7是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版的布局方法流程示意图；
[0024]图8是本专利技术实施例提供的一种掩膜版布局装置的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0026]图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的布局方法流程示意图，本专利技术实施例提供了一种掩膜版的布局方法，用于实现布局装置对掩膜版的各种图形，尤其是需要拆分的第一标记图形的自动布局，如图1所示，本实施例的掩膜版的布局方法包括如下步骤：
[0027]S110、在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形；每相邻两个芯片图形之间形成有切割道，切割道用于设置标记图形；标记图形至少包括第一标记图形。
[0028]如图2所示，图2是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。掩膜版1上形成阵列排布的芯片图形11，芯片图形11与实际光刻过程中晶片上的芯片的位置相对应，多个芯片图形形成的芯片图形阵列与晶片上的芯片阵列相对应。并且芯片图形11与对应芯片的尺寸相同。每相邻两个芯片图形11之间形成有切割道12，可选的，如图2所示，在整个芯片图形阵列的周围设置有一圈切割道12。切割道12是组成掩膜版的框架部分。可通过切割道12切割将一个较大的掩膜版母板切割形成图2所示的掩膜版。例如，图2中示出的为3*3的芯片图形阵列，即为从包括N*N的芯片图形阵列的掩膜版母板上通过切割切割道12形成的，其中N为大于2的整数。图2中以3*3的芯片图形阵列进行示意，本示例中，芯片图形阵列还可以为4*3或2*6等形式的芯片图形阵列，本实施例对阵列所含芯片图形11的数量不进行限定。
[0029]为了实现后续掩膜版与晶片之间的对位，或者实现掩膜版与曝光机之间的对位，或者为了在晶片上留下对位标记以实现晶片上形成的各个膜层之间的对位，可在切割道12上形成标记图形。
[0030]S120、根据第一标记图形的量测对准需要，获取第一标记图形的分割单元的设定个数。
[0031]继续参考图2，本实施例中，标记图形13至少包括第一标记图形131。本实施例中，第一标记图形131在整个掩膜版上的设定总长度较长，示例性的，第一标记图形的设定总长度为2879本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的布局方法，其特征在于，包括：在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形；每相邻两个所述芯片图形之间形成有切割道，所述切割道用于设置标记图形；所述标记图形至少包括第一标记图形；根据所述第一标记图形的量测对准需要，获取第一标记图形的分割单元的设定个数；将所述设定个数的分割单元依次设置于所述切割道上，使得所述第一标记图形未覆盖其他标记图形；设置第一标记图形单体替换至少两个相邻设置的分割单元，设置于所述切割道上；其中，所述第一标记图形单体与所述至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形完全重合。2.根据权利要求1所述的掩膜版的布局方法，其特征在于，在所述掩膜版上形成阵列排布的芯片图形，包括：获取掩膜版布局参数；所述掩膜版布局参数包括芯片图形尺寸、切割道尺寸、切割道延伸方向、阵列分布方式和字线延伸方向；根据所述掩膜版布局参数，在所述掩膜版中生成芯片图形阵列；所述芯片图形阵列标示了芯片的位置和尺寸。3.根据权利要求1所述的掩膜版的布局方法，其特征在于，将所述设定个数的分割单元依次设置于所述切割道上，使得所述第一标记图形未覆盖其他标记图形，包括：将除所述第一标记图形之外的其他标记图形设置于所述切割道上；将所述设定个数的分割单元依次设置于所述切割道上的剩余位置处，使得所述第一标记图形未覆盖所述其他标记图形。4.根据权利要求3所述的掩膜版的布局方法，其特征在于，所述其他标记图形包括第二标记图形；将除所述第一标记图形之外的其他标记图形设置于所述切割道上，包括：获取所述第二标记图形的布局参数；所述第二标记图形的布局参数包括第二标记尺寸、第二标记数量和第二标记位置设置规则；依据所述第二标记图形的布局参数，在所述切割道上设置所述第二标记图形。5.根据权利要求3所述的掩膜版的布局方法，其特征在于，所述其他标记图形包括第三标记图形和第四标记图形；将除所述第一标记图形之外的其他标记图形设置于所述切割道上，包括：为所述第三标记图形和所述第四标记图形设置优先级顺序；按照所述优先级顺序在所述切割道上依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：