【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法、测试机及存储介质
[0001]本专利技术涉及芯片测试
,特别涉及一种芯片测试方法、测试机及存储介质。
技术介绍
[0002]芯片测试中,有一个特殊的低功耗模式下的电源管脚的电流测量项目。随着芯片终端应用设备对于待机时低功耗性能的更高诉求,芯片的低功耗工作状态电流越来越小,从之前的微安(
µ
A)量级,降低到纳安(nA)量级,甚至于皮安(pA)量级。对于集成电路测试机的极小电流测量准确度和稳定度的要求也越来越高。
[0003]芯片静态工作电流通常由两部分构成。一是进入低功耗待机模式的芯片自身内部的真实耗电,这部分通常是稳定的小电流;二是芯片各个管脚上对外部的漏电流,这部分是有随机性,取决于芯片各管脚的输出状态和测试机提供的漏电流抑制措施的组合效果。
[0004]当被测芯片的静态工作电流低至nA、pA量级后 ,漏电流引起的低功耗模式的电流测量值偏差会导致测试结果的不稳定,并造成芯片测试良率损失。
[0005]例如,芯片静态电流的设计参数中心值在10nA,允许偏差在+/< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法,用于通过测试机测量被测芯片在低功耗模式下的静态工作电流,所述测试机包括用于给被测芯片供电的可编程电源,和连接在被测芯片的各个被测管脚上的多个测试通道,其特征在于,包括以下步骤:将被测芯片配置为低功耗模式;配置各个被测管脚对应的各个被测通道为高阻模式;获取此时各个被测管脚在高阻模式下的第一被测电压;于各测试通道中生成一后台驱动电压,所述后台驱动电压用于抵消对应的第一被测电压;以所述后台驱动电压配置对应的各测试通道;以配置好的各测试通道对所述被测芯片进行测量,读取此时被测芯片的静态工作电流。2.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,在将被测芯片配置为低功耗模式之后,配置各个被测管脚对应的各个被测通道为高阻模式之前,还包括以下步骤:调节所述可编程电源的电流档位调至最小档位。3.如权利要求2所述的芯片测试方法,其特征在于,于各测试通道中生成一后台驱动电压,包括:通过PPMU于各测试通道中生成一后台驱动电压。4.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述获取此时各个被测管脚在高阻模式下的第一被测电压,包括:配置各个测试通道为PPMU测量电压模式,通过PPMU扫描各个测试通道,并获取被测芯片中相对应的各个被测管脚的第一被测电压。5.如权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,在读取此时被测芯片的静态工作电流之后,还包括以下步骤:复位各个测试通道的后台驱动电压到零电位。6.如权利要求5所述的芯片测试方法,其特征在于,在复位各个测试通...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏津,徐润生,鄢书丹,
申请(专利权)人:绅克半导体科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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