本发明专利技术公开一种信号调整单元、信号调整模块及测试机，信号调整单元包括控制端，其包括模拟联动开关；信号调整电路包括场效应管和SRD二极管；节点连接输出端；当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在节点上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号或下降沿阶跃脉冲信号。本发明专利技术利用SRD二极管和场效应管对测试通道输出信号的压摆率进行调整，使其具有较高的压摆率。使其具有较高的压摆率。使其具有较高的压摆率。
【技术实现步骤摘要】
信号调整单元、信号调整模块及测试机
[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，具体涉及信号调整单元、信号调整模块及测试机。
技术介绍
[0002]在集成电路自动测试机中，现有技术的测试通道输出端通常为放大器的推挽输出驱动电路，由于电路自身的内部电阻，以及寄生电容，使输出信号的压摆率不够高，即其电压转换速率较低，通常为1V/μs的量级或更小，但是有些情况需要测试被测芯片对于较高电压变化的相应情况，需要提供更高压摆率的信号激励，因此提供提高压摆率的技术很有必要。
技术实现思路
[0003]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中的不足，提供一种信号调整单元、信号调整模块及测试机，能够提供较高压摆率的信号激励。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括：控制端，其包括多个模拟联动开关；信号调整电路，其包括场效应管和SRD二极管，所述场效应管和所述SRD二极管串联，所述场效应管连接其中一个所述模拟联动开关，所述SRD二极管连接另一个所述模拟联动开关，利用所述SRD二极管把所述测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；节点，其连接所述测试通道的输出端；当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在所述SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，所述SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号。
[0005]在本专利技术的一个实施例中，在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号后，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，以使所述场效应管截止，从而让所述SRD二极管处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。
[0006]在本专利技术的一个实施例中，所述场效应管的栅极连接其中一个所述模拟联动开关的动端，所述SRD二极管与所述场效应管的串联连接点连接另一个所述模拟联动开关的动端，所述模拟联动开关的固定端分别连接不同的直流偏置电压或者悬空。
[0007]在本专利技术的一个实施例中，所述信号调整电路还包括限流电阻，所述限流电阻设置在所述模拟联动开关和所述SRD二极管之间。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述SRD二极管
的正极连接输出信号低电平所对应的电压源，所述SRD二极管的负极连接所述场效应管。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述场效应管为NMOS管。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，当所述测试通道的输出信号需要输出上升沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述NMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一上升沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述SRD二极管的负极连接输出信号高电平所对应的电压源，所述SRD二极管正极接所述场效应管。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述场效应管为PMOS管。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，当所述测试通道的输出信号需要输出下降沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述PMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一下降沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。
[0014]此外，本专利技术还提供一种信号调整模块，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括如上述所述的信号调整单元，所述信号调整单元包括信号调整单元A和信号调整单元B，所述信号调整单元A和所述信号调整单元B级联在测试通道的输出端，当其输出信号为上升沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元A对所述上升沿脉冲信号进行调整，当其输出信号为下降沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元B对所述下降沿脉冲信号进行调整。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，所述信号调整单元A和所述信号调整单元B的数量为多个，多个信号调整单元A和多个信号调整单元B依次级联在所述测试通道的输出端。
[0016]在本专利技术的一个实施例中，通过控制指令协调所有的信号调整单元轮流工作，当所述测试通道的输出信号需要连续输出多个交替的上升沿脉冲和下降沿脉冲时，通过控制指令使多个所述信号调整单元A依次轮流调整每一个上升沿脉冲，通过控制指令使多个所述信号调整单元B依次轮流调整每一个下降沿脉冲。
[0017]在本专利技术的一个实施例中，当所述信号调整单元A处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的负极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的正极所连接的电压更低，且电压差大于等于所述SRD二极管的正向导通电压，以使所述SRD二极管处于正偏压状态，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压使所述NMOS管截止，从而使信号调整单元A和输出的脉冲信号互不影响。
[0018]在本专利技术的一个实施例中，当所述信号调整单元B处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的正极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的负极所连接的电压更高，且电压差大于等于所述SRD二极管的正向导通电压，以使所述SRD二极管处于正偏压状态，连接所述PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压以使所述PMOS管截止，从而使信号调整单元B和输出的脉冲信号互不影响。
[0019]并且，本专利技术还提供一种测试机，包括如上述所述的一种信号调整单元。
[0020]本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本专利技术利用SRD二极管和场效应管对测试通道输出信号的压摆率进行调整，以在上升沿脉冲信号上升至最高点或下降沿脉冲信号下降至最低点时输出一阶跃电压，使其具有较高的压摆率，从而能够提供较高压摆率的信号激励，满足不同的测试需求本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，其特征在于，包括：控制端，其包括多个模拟联动开关；信号调整电路，其包括场效应管和SRD二极管，所述场效应管和所述SRD二极管串联，所述场效应管连接其中一个所述模拟联动开关，所述SRD二极管连接另一个所述模拟联动开关，利用所述SRD二极管把所述测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；节点，其连接所述测试通道的输出端；当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在所述SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，所述SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号。2.如权利要求1所述的一种信号调整单元，其特征在于：在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号后，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，以使所述场效应管截止，从而让所述SRD二极管处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。3.如权利要求2所述的一种信号调整单元，其特征在于：所述场效应管的栅极连接其中一个所述模拟联动开关的动端，所述SRD二极管与所述场效应管的串联连接点连接另一个所述模拟联动开关的动端，所述模拟联动开关的固定端分别连接不同的直流偏置电压或者悬空。4.如权利要求3所述的一种信号调整单元，其特征在于：所述信号调整电路还包括限流电阻，所述限流电阻设置在所述模拟联动开关和所述SRD二极管之间。5.如权利要求4所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述SRD二极管的正极连接输出信号低电平所对应的电压源，所述SRD二极管的负极连接所述场效应管。6.如权利要求5所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述场效应管为NMOS管。7.如权利要求6所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述测试通道的输出信号需要输出上升沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述NMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一上升沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。8.如权利要求4所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述SRD二极管的负极连接输出信号高电平所对应的电压源，所述SRD二极管正极接所述场效应管。9.如权利要求8所述的一种信号调整单元，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏津，胡雪原，鄢书丹，
申请(专利权)人：绅克半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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