半导体装置结构及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置结构及其制造方法。半导体装置结构包括形成于一导电特征部件上的一第一绝缘层及埋设于第一绝缘层内的一电容器结构。半导体装置也包括形成于第一绝缘层上且对应于电容器结构的一接合垫。接合垫具有一上表面及一多阶边缘，以形成至少三个转角。另外，半导体装置结构包括一第二绝缘层，顺应性覆盖由接合垫的上表面及多阶边缘形成的至少三个转角。三个转角。三个转角。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的进步，电子设备变得越来越复杂，且牵涉的集成电路数量也越来越多，以实现所需的多功能性。因此，这种电子设备的制造包括越来越多的操作步骤，以及各种不同类型的材料，以生产出用于电子设备的半导体装置。
[0003]半导体装置可包括主动及/或被动装置，如晶体管及电容器。这些装置最初为彼此隔离的，但后续会内连接在一起。典型的内连接结构包括横向内连接，例如金属线(接线)，以及垂直内连接，例如介层连接窗(via)及接点(contact)。形成接合垫于内连接结构上方，且露出于对应芯片的表面。通过接合垫进行电性连接，而将芯片与另一元件连接。
[0004]在制造操作步骤中，半导体装置由许多包括各种材料的部件进行组装而成。随着牵涉更多的具有不同材料的部件，以及制造操作步骤的复杂性增加，修改半导体装置的结构及改进制造操作步骤就会出现更多的挑战。

技术实现思路

[0005]在一些实施例中，一种半导体装置结构，包括：一第一绝缘层，形成于一导电特征部件上；一电容器结构，埋设于第一绝缘层内；一接合垫，形成于第一绝缘层上，且对应于电容器结构，其中接合垫具有一上表面及一多阶边缘，以形成至少三个转角；以及一第二绝缘层，顺应性覆盖由接合垫的上表面及多阶边缘形成的至少三个转角。
[0006]在一些实施例中，一种半导体装置结构，包括：一第一绝缘层，形成于一内连接结构的一最上层金属层上；一金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器，埋设于第一绝缘层内；一接合垫，形成于金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器上，且通过第一绝缘层与金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器隔开，其中接合垫具有一侧壁，其具有一非直线轮廓，其中从接合垫的一上表面沿接合垫的侧壁至第一绝缘层的一上表面的一路径包括至少三个转向角度，且转向角度总和大于90
°
。
[0007]在一些实施例中，一种半导体装置结构的制造方法，包括：形成一第一绝缘层及一金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器于一内连接结构的一最上层金属层上，其中金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器埋设于第一绝缘层内；形成一导电层于第一绝缘层上；图案化导电层，以形成一接合垫于第一绝缘层上，且对应于金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器，其中接合垫具有一上表面及一多阶边缘而形成至少三个转角；顺应性形成一第二绝缘层，以覆盖由接合垫的上表面及多阶边缘形成的至少三个转角；形成一第三绝缘层于第二绝缘层上；以及形成一凸块下金属层于第三绝缘层上，并穿过该第三绝缘层及第二绝缘层，以接触该接合垫的上表面。
附图说明
[0008]图1A
‑
图1K绘示出根据一些实施例的制造半导体装置结构的各个阶段的剖面示意
图。
[0009]图2A绘示出根据一些实施例的封装结构的剖面示意图。
[0010]图2B绘示出根据一些实施例的封装结构的剖面示意图。
[0011]图3绘示出根据一些实施例的接合垫的局部放大剖面示意图。
[0012]图4绘示出根据一些实施例的接合垫的局部放大剖面示意图。
[0013]图5绘示出根据一些实施例的接合垫的局部放大剖面示意图。
[0014]图6绘示出根据一些实施例的接合垫的局部放大剖面示意图。
[0015]图7绘示出根据一些实施例的接合垫的局部放大剖面示意图。
[0016]其中，附图标记说明如下：
[0017]100：基底
[0018]102：隔离结构
[0019]106：栅极介电层
[0020]108：栅极电极层
[0021]109：栅极结构
[0022]110：源极/漏极结构
[0023]112，130，142，170，176：绝缘层
[0024]114：接触结构
[0025]120：最上层金属层
[0026]122：多层介电层
[0027]124：内连接结构
[0028]132，136，139：电容器金属电极层
[0029]134，138：电容器绝缘层
[0030]140：金属
‑
绝缘体
‑
金属(MIM)电容器
[0031]140a：超高密度金属
‑
绝缘体
‑
金属(SHDMIM)电容器
[0032]142a，152a：上表面
[0033]150：粘着层
[0034]152：导电层
[0035]153，154：图案化掩膜层
[0036]153a：凹槽
[0037]155：路径
[0038]160，160
’
，160”，160
’”
：接合垫
[0039]160a，160a
’
，160a”，160a
’”
：第一阶
[0040]160b，160b
’
，160b”，160b
’”
：第二阶
[0041]160c”，160c
’”
：第三阶
[0042]161a，161a
’
，161a”，161a
’”
，161b，161b
’
，161b”，160b
’”
，161c”，160c
’”
：侧壁
[0043]162，162
’
，162”，162
’”
，262：多阶边缘
[0044]163a，163b，163c：转角
[0045]172，178：开口
[0046]180：凸块下金属(UBM)层
[0047]182：凸块
[0048]190，254：连接器
[0049]192：焊接材料区域
[0050]200：半导体装置结构
[0051]250：封装部件
[0052]252：导电特征部件
[0053]260：底胶材料层
[0054]270：封胶层
[0055]300，400：封装结构
[0056]A，B:点
[0057]W1，W2：宽度
[0058]θ1，θ1
’
，θ2，θ2
’
，θ3，θ3
’
，θ4，θ4
’
，θ5，θ5
’
，θ6，θ6
’
，θ7，θ7
’
，θ8，θ8
’
：转向角度
具体实施方式
[0059]以下的公开内容提供许多不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：一第一绝缘层，形成于一导电特征部件上；一电容器结构，埋设于该第一绝缘层内；一接合垫，形成于该第一绝缘层上，且对应于该电容器结构，其中该接合垫具有一上表面及一多阶边缘，以形成至少三个转角；以及一第二绝缘层，顺应性覆盖由该接合垫的该上表面及该多阶边缘形成的该至少三个转角。2.如权利要求1所述的半导体装置结构，还包括：一第三绝缘层，形成于该第二绝缘层上；以及一凸块下金属层，形成于该第三绝缘层上，且穿过该第三绝缘层及该第二绝缘层，以接触该接合垫的该上表面。3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中，该接合垫的该多阶边缘定义出一第一阶、位于该第一阶上的一第二阶及位于该第二阶的一第三阶，且其中该第一阶、该第二阶及该第三阶各自具有一实质上垂直侧壁。4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中，该接合垫的该多阶边缘形成了具有至少两个转角的一曲形轮廓。5.一种半导体装置结构，包括：一第一绝缘层，形成于一内连接结构的一最上层金属层上；一金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器，埋设于该第一绝缘层内；一接合垫，形成于该金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器上，且通过该第一绝缘层与该金属
‑
绝缘体
‑
金属电容器隔开，其中该接合垫具有一侧壁，其具有一非直线轮廓，其中从该接合垫的一上表面沿该接合垫的该侧壁至该第一绝缘层的一上表面的一路径包括至少三个转向角度，且该至少三个转向角度总和大于90
°
。6.如权利要求5所述的半导体装置结构，其中，该至少三个转向角度各自实...

【专利技术属性】
技术研发人员：许桀豪，凃伟祥，张国钦，李明机，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：