液体供应系统、过滤器件及其清洁方法技术方案

过滤器件包括一个或多个滤膜以及包围该一个或多个滤膜的过滤器壳体。滤膜中的每个包括由陶瓷材料制成的基膜以及多个通孔。基膜涂有涂覆材料。本申请的实施例还涉及液体供应系统和清洁过滤器件的方法。统和清洁过滤器件的方法。统和清洁过滤器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
液体供应系统、过滤器件及其清洁方法


[0001]本申请的实施例涉及液体供应系统、过滤器件及其清洁方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已生产出多代IC，其每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了IC加工和制造的复杂性，并且要实现这些进步，需要在IC加工和制造中进行类似的发展。在集成电路的发展过程中，功能密度(即每个芯片区互连器件的数量)普遍增加，而其几何尺寸(即使用制造工艺中可制造的最小组件(或线))已经减小。随着半导体器件的图案尺寸变小并且具有新结构的半导体器件的开发，需要无污染物或无颗粒的液体来制造集成电路，以提高良率。过滤器，具体地说终端(POU)过滤器，被设计成从半导体集成电路制造过程中使用的液体、溶液和/或溶剂中去除污染物或颗粒。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种在用于制造半导体器件的装置中使用的过滤器件，包括：一个或多个滤膜；以及过滤器壳体，包围所述一个或多个滤膜，其中，所述滤膜中的每个包括由陶瓷材料制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种液体供应系统，包括：半导体晶圆处理装置；液体罐，被配置为存储用于制造半导体器件的液体；液体供应系统，用于从所述液体罐向所述半导体晶圆处理装置供应所述液体；以及终端(POU)过滤器件，设置在所述液体供应系统上，其中，所述终端过滤器件包括：一个或多个滤膜；以及过滤器壳体，包围所述一个或多个滤膜，所述滤膜中的每个包括由阳极氧化铝制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。
[0005]本申请的又一些实施例提供了一种清洁过滤器件的方法，包括：确定所述过滤器件是否要清洁；以及在确定所述过滤器件要清洁之后，使清洁溶液反向流过所述过滤器件，其中，所述过滤器件包括：滤膜；和过滤器壳体，包围所述滤膜，所述滤膜包括由阳极氧化铝制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。
附图说明
[0006]当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可最好地理解本专利技术。要强调的是，根据行业的标准实践，各种部件并未按照比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为论述清楚，各种部件的尺寸可任意增加或减少。
[0007]图1A、图1B和图1C示出了根据本专利技术的各个实施例的滤膜的示意图。图1D、图1E和图1F示出了根据本专利技术的实施例的滤膜的各个截面图。图1G、图1H和图1I示出了根据本专利技术的各个实施例的滤膜的视图。
[0008]图2A和图2B示出了根据本专利技术的实施例的过滤器件的示意图。图2C、图2D、图2E、
图2F、图2G和2H示出了根据本专利技术的实施例的各种过滤器结构。
[0009]图3A、图3B、图3C、图3D和图3E示出了根据本专利技术的实施例的过滤器件的示意图。
[0010]图4示出了根据本专利技术的实施例的过滤器件的示意图。
[0011]图5示出了使用本专利技术的过滤器件的化学机械抛光装置的示意图。
[0012]图6A、图6B和图6C示出了根据本专利技术的实施例的过滤器件的清洁操作。
[0013]图7A和图7B示出了用于控制化学机械抛光(CMP)装置的装置的示意图。
[0014]图8A和图8B示出了使用本专利技术的过滤器件的装置的示意图。
具体实施方式
[0015]可以理解，以下公开提供了用于实现本专利技术的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述了元件和布置的实例的具体实施例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，并非旨在限制本专利技术。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而是可以取决于工艺条件和/或器件的期望特性。此外，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件与第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成为插入第一部件和第二部件的附加部件，使得第一部件与第二部件不直接接触的实施例。为了简明和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各个部件。
[0016]而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了各图中所描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖器件在使用或操作中的不同取向。器件可以以其他方式进行定向(旋转90度或者处于其他方向)，而其中所使用的空间相关描述符可以做相应解释。另外，术语“由
…
制成”可以意指“包含”或“由
…
组成”。在一个实施例中说明的材料、配置、尺寸和/或工艺可应用于其他实施例，并且可省略其详细描述。
[0017]在集成电路的制造中使用了各种流体、液体或溶液，诸如光刻胶、显影剂、湿法蚀刻剂、清洁溶液、用于化学机械抛光的浆料等。这些流体要求基本上不含污染物和/或颗粒。过滤器用于去除污染物和/或颗粒。具体地，终端过滤器被设计为从集成电路制造中使用的流体中去除污染物的最后机会。终端过滤器处理要在局部制造步骤中立即使用的流体。集成电路的制造涉及多个步骤，其中，硅晶圆被重复地暴露于诸如光刻、蚀刻、掺杂和金属沉积的工艺中。在所有这些步骤中，必须保持和/或特别控制硅及其表面的半导体性质。污染物会改变硅的半导体性质或干扰预期的电路设计，从而降低集成电路的良率。因此，小至0.1微米的颗粒可能会导致半导体元件失效。颗粒可能会阻止线的完整，或者颗粒可跨越两条线进行桥接。污染物可能直接在硅表面上，也可能污染掩蔽表面，从而改变了待印刷的电路设计。因此，终端过滤器必须去除会引起缺陷的颗粒。
[0018]在半导体制造过程中使用的过滤器通常包括由纤维制成的膜。然而，纤维膜的孔可具有随机的形状和尺寸，因此可使一些颗粒穿过纤维膜过滤器。在一些情况下，平均孔口尺寸为7nm的纤维膜可能会使超过约26nm的颗粒通过。
[0019]本专利技术的实施例涉及由陶瓷制成的滤膜，诸如氧化铝，其具有基本均匀孔口尺寸，还涉及制造滤膜的各个方法。
[0020]在一些实施例中，如图1A所示，滤膜10包括基膜15和穿过基膜15的多个通孔20(孔
口)。图1D至图1F示出了根据本专利技术的各个实施例的通孔20的截面图。在一些实施例中，如图1D至图1F所示，滤膜涂有涂覆材料18。
[0021]如图1A所示，当从通孔的顶部开口沿厚度方向观察时，可看到底部开口的至少一部分。因此，根据本专利技术的实施例的滤膜的通过路径与基于纤维的滤膜中的通过路径不同。在一些实施例中，多个通孔20的形状基本上为圆形或椭圆形。在其他实施例中，通孔的形状是正方形、矩形(例如，狭缝)或多边形(例如，六边形)。
[0022]在一些实施例中，具有涂覆材料18的多个圆形通孔20的直径在约10nm至约500nm的范围内，并且在其他实施例中在约50nm至约200nm的范围内。当通孔20的形状不是圆形时，可将最大直径和最小直径的平均值视为直径。在一些实施例中，通孔20的直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在用于制造半导体器件的装置中使用的过滤器件，包括：一个或多个滤膜；以及过滤器壳体，包围所述一个或多个滤膜，其中，所述滤膜中的每个包括由陶瓷材料制成的基膜以及多个通孔，以及所述基膜涂有涂覆材料。2.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述多个通孔的平均直径在10nm至500nm的范围内。3.根据权利要求2所述的过滤器件，其中，所述多个通孔的直径的变化在所述平均直径的5％至25％的范围内。4.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述基膜的厚度在50nm至500nm的范围内。5.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，多个通孔的高宽比在2至10的范围内。6.根据权利要求1所述的过滤器件，其中，所述涂覆材料包括以下各项中的一种或多种：PE(聚乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PFA(聚氟烷氧基)、HDPE(高密度聚乙烯)、PAS(聚芳基砜)、PES(聚醚砜)、PS(聚砜)、PP(聚丙烯)和PEEK(聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：于淳，曾志江，赖意中，庄子寿，贾芸如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：