存储器件及其操作方法技术

一种存储器件，包括至少三个存储器单元的列和耦合到每个存储器单元的源极端子的源极线。源极线驱动器耦合到源极线、电压端子和编程电压源，并且可在编程操作、擦除操作和读取操作之间切换。本发明专利技术的实施例还涉及操作存储器件的方法。器件的方法。器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其操作方法


[0001]本专利技术的实施例涉及存储器件及其操作方法。

技术介绍

[0002]存储器件分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件通常被配置为通过对存储器单元中的电容器进行充电或放电来存储数据。非易失性存储器件即使在与电源断开连接的情况下也能维持存储的数据。浮置栅极存储器是一种使用电压来编程和擦除存储器单元中的数据的非易失性存储器。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种存储器件，包括：第一存储器单元，包括第一源极端子和第一字线端子；第二存储器单元，包括第二源极端子和第二字线端子；第三存储器单元，包括第三源极端子和第三字线端子；第一字线驱动器；第一字线，耦合到第一字线驱动器和第一字线端子；第二字线驱动器；第二字线，耦合到第二字线驱动器和第二字线端子；第三字线驱动器；第三字线，耦合到第三字线驱动器和第三字线端子；第一源极线驱动器；以及源极线，耦合到第一源极端子、第二源极端子、第三源极端子和第一源极线驱动器。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种存储器件，包括：第一超单元；第二超单元，在第一方向上与第一超单元间隔开；第三超单元，在与第一方向不同的第二方向上与第一超单元间隔开；第一源极线，耦合到第一超单元、第二超单元和第三超单元。
[0005]根据本专利技术实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器件的方法，方法包括：在存储器件的编程操作中，闭合第一开关以将第一电压施加到存储器件的至少三行存储器单元的源极线接触件；以及
[0006]在存储器件的擦除操作中，闭合第二开关以将第二电压施加到存储器件的至少三行存储器单元的源极线接触件。
附图说明
[0007]当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可最好地理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的论述，各个部件的尺寸可任意地增大或减小。
[0008]图1是根据一些实施例的存储器件的示意图。
[0009]图2是根据一些实施例的存储器件驱动电路的示意图。
[0010]图3是根据一些实施例的存储器件的锁存器的示意图。
[0011]图4A是根据一些实施例的存储器件的示意图。
[0012]图4B示出了根据一些实施例的存储器件的截面图。
[0013]图5是根据一些实施例的存储器件的示意图。
[0014]图6示出了根据一些实施例的操作存储器件的方法。
[0015]图7示出了根据一些实施例的存储器件和存储器件控制电路。
[0016]图8是根据一些实施例的存储器件控制电路的示意图。
[0017]图9示出了根据一些实施例的存储器件控制系统和用于执行存储器件操作的信号电平。
[0018]图10是根据一些实施例的存储器件的示意图。
具体实施方式
[0019]以下公开内容提供了用于实现所提供主题的不同部件的若干个不同实施例或示例。以下将描述元件和布置的具体示例，以简化本专利技术。当然，这些仅仅是示例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可包括在第一部件和第二部件之间可形成附加部件，从而使得第一部件和第二部件可不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个示例中重复参考数字和/或字符。该重复是为了简明和清楚的目的，并且其本身不指示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0020]而且，为了便于描述，在此可使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位之外，空间相对术语旨在涵盖器件正在使用或操作的不同方位。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在本文使用的空间相对描述符可类似地作出相应的解释。
[0021]存储器阵列的存储器单元组被布置为存储器单元的相应页面。例如，100,000个存储器单元的存储器阵列可被组织成10个页面。每个页面包括以行和列布置的多个存储器单元。存储器件还包括多个源极线驱动器。每个源极线驱动器耦合到页面内的存储器单元的子集。例如，第一源极线驱动器可耦合到第一列和第二列的存储器单元，并且第二源极线驱动器可耦合到第三列和第四列的存储器单元，等等。当发生存储器单元的操作时，来自选定存储器单元的电流通过源极线和连接到存储器单元的源极线驱动器放电。因为每个源极线驱动器均耦合到存储器单元的子集，所以源极线驱动器仅接收与源极线驱动器所连接的选定存储器单元的电流。因此，源极线驱动器的尺寸可根据耦合到源极线驱动器的可同时读取的存储器单元的数量以及从每个存储器单元流出的电流来控制。
[0022]作为非限制性示例，假设从单个页面中的1000个存储器单元同时读取1000位。如果在读取操作期间从每个存储器单元流出的电流为40μA，并且页面中所有存储器单元的源极线均连接到同一源极线驱动器，则源极线驱动器的尺寸必须能够接收40mA的电流(40μA*1000个存储器单元)，而不会持续损伤。如本文所述，如果这1000个存储器单元中的子集连接到第一源极线驱动器，并且这1000个存储器单元中的另一个子集连接到第二源极线驱动器，则流过每个源极线驱动器的总电流较小。因此，可将源极线驱动器减小到足以支持流过其中的电流的尺寸，其中，该尺寸是耦合到可同时读取的源极线驱动器的存储器单元的数量和从每个存储器单元流出的电流的函数。
[0023]图1是根据一些实施例的存储器件100的示意图。存储器件100包括存储器阵列101、第一源极线驱动器132、第二源极线驱动器134和锁存器136。存储器阵列101包括被布
置成形成存储器阵列行102a
‑
102c和存储器阵列列104a
‑
104d的存储器单元106。存储器阵列101还包括位线(BL[0]‑
BL[3])140和字线(WL[0]‑
WL[2])120。在图1中，存储器单元106中每个存储器单元位置均由存储器阵列101内的符号“[行、列]”表示。根据一些实施例，存储器阵列101包括m
×
n个存储器单元，其中，“m”是存储器单元的行数，而“n”是存储器单元的列数。M和n均大于零。
[0024]每个存储器单元106包括晶体管108，该晶体管包括字线端子110、第一源极/漏极端子112和第二源极/漏极端子114。根据一些实施例，晶体管108还包括控制栅极116和浮置栅极118。根据一些实施例，存储器单元106是浮置栅极存储器单元或其他合适的存储器单元配置。
[0025]字线120耦合到一个或多个存储器阵列行102a
‑
102c内的每个存储器单元106的字线端子110。在图1中，字线120由符号“WL[r]”表示，其中，“r”标识字线120的行号。根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：第一存储器单元，包括第一源极端子和第一字线端子；第二存储器单元，包括第二源极端子和第二字线端子；第三存储器单元，包括第三源极端子和第三字线端子；第一字线驱动器；第一字线，耦合到所述第一字线驱动器和所述第一字线端子；第二字线驱动器；第二字线，耦合到所述第二字线驱动器和所述第二字线端子；第三字线驱动器；第三字线，耦合到所述第三字线驱动器和所述第三字线端子；第一源极线驱动器；以及源极线，耦合到所述第一源极端子、所述第二源极端子、所述第三源极端子和所述第一源极线驱动器。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中：所述第一源极端子和所述第二源极端子是相同的源极端子。3.根据权利要求1所述的存储器件，包括：第四存储器单元，包括第四源极端子和第四字线端子；以及第五存储器单元，包括第五源极端子和第五字线端子，其中：所述第一源极端子电耦合到所述第四源极端子，所述第五源极端子与所述第四源极端子电隔离，并且所述第五字线端子电耦合到所述第四字线端子。4.根据权利要求3所述的存储器件，包括：第二源极线驱动器，电耦合到所述第五源极端子。5.根据权利要求4所述的存储器件，包括：锁存器，电耦合到所述第一源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，郭政雄，陈中杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：