包含动态编程电压的存储器装置制造方法及图纸

本申请涉及一种包含动态编程电压的存储器装置。一些实施例包含使用存取线、耦合到所述存取线的一存取线的第一存储器单元以及包含电路的控制单元的设备和方法。所述控制单元经配置以将第一电压施加到所述存取线；检查所述第一存储器单元在施加所述第一电压之后的第一阈值电压；基于所述第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得偏移信息；生成第二电压，所述第二电压是所述第一电压和所述偏移信息的函数；以及在第二存储器单元中存储信息的操作期间将所述第二电压施加到所述存取线中的一个。线中的一个。线中的一个。

Memory device containing dynamic programming voltage

【技术实现步骤摘要】
包含动态编程电压的存储器装置


[0001]本公开的实施例涉及存储器装置，包括非易失性存储器装置中的写入操作。

技术介绍

[0002]非易失性存储器装置，例如闪速存储器装置，被广泛用于计算机和许多电子产品中。闪速存储器装置具有许多存储器单元。信息(例如，用户数据)可在写入操作(也称为编程操作)中存储在存储器单元中。可在读取操作中从存储器单元获得(例如，读取)所存储的信息。可在擦除操作中擦除来自部分或所有存储器单元的信息(例如，过时数据)。在特定存储器单元中存储信息通常涉及致使该特定存储器单元具有目标阈值电压范围内的阈值电压。目标阈值电压范围是对应于待存储于存储器单元中的信息的值(例如，二进制值)的阈值电压的预定范围。不同的目标阈值电压范围对应于待存储于存储器单元中的信息的不同值。
[0003]常规写入操作的一部分包含将编程信号(例如，电压信号)施加到耦合到选定存储器单元(选择以存储信息的存储器单元)的存取线(例如，字线)。此类编程信号通常具有起始电压(例如，初始电压)。然后，逐渐增加编程信号上的电压，直到选定存储器单元的阈值电压达到目标阈值电压为止。在常规写入操作中，通常将起始电压的值选择为相对较低以防止选定存储器单元的阈值电压无意中超过目标阈值电压范围。
[0004]在存储器装置的使用期限期间，存储器单元通常循环通过许多写入和擦除操作。该循环可致使存储器单元的阈值电压范围相对于写入操作期间所使用的编程信号发生位移。此类位移可改变起始电压与阈值电压范围之间的关系。如果忽略阈值电压范围中的位移，常规存储器装置中的写入操作的性能可能会降低。

技术实现思路

[0005]本公开涉及用于在非易失性存储器装置中包含写入操作的存储器装置和方法。
[0006]在本公开的一些实施例中，一种存储器装置包括：存储器单元阵列；存取线，其中存储器单元阵列的第一存储器单元与存取线中的一存取线相关联；控制单元，其包含电路，所述电路经配置以：发起将第一电压施加到存取线；检查第一存储器单元在施加第一电压之后的第一阈值电压；基于第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得偏移信息；生成第二电压，所述第二电压响应于第一电压和偏移信息而确定；以及在存储器单元阵列的第二存储器单元中存储信息的操作期间，发起将第二电压施加到存取线中的一个。
[0007]在本公开的一些实施例中，一种存储器装置包括：存储器单元阵列；第一存取线和第二存取线；与第一存取线相关联的第一存储器单元；与第二存取线相关联的第二存储器单元；以及控制单元，其包含电路，所述电路经配置以：发起将第一电压施加到第一存取线；检查第一存储器单元的至少一部分在施加第一电压之后的第一阈值电压；基于第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得第一偏移信息；存储第一偏移信息；发起将第二电压施加到第二存取线，第二电压具有基于第一偏移信息的值；检查第二存储器单元的至
少一部分在施加第二电压之后的第二阈值电压；基于第二阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得第二偏移信息；以及存储第二偏移信息。
[0008]在本公开的一些实施例中，一种方法包括：在对存储器装置的第一存储器单元执行第一操作期间将第一电压施加到存储器装置的存取线中的一个；在第一操作期间确定计数值，所述计数值对应于第一存储器单元中的存储器单元的数目，所述数目个存储器单元中的每一存储器单元具有大于选定电压的阈值电压；基于计数值确定偏移信息；基于偏移信息生成第二电压；以及在对存储器装置的第二存储器单元执行第二操作期间将第二电压施加到存取线中的一个。
[0009]在本公开的一些实施例中，一种方法包括：将第一电压施加到存储器装置的存取线中的一存取线；检查耦合到存取线的第一存储器单元在施加第一电压之后的第一阈值电压；基于第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得偏移信息；生成第二电压，第二电压是第一电压和对应于偏移信息的电压量的函数；在存储器装置的第二存储器单元中存储信息的操作期间，将第二电压施加到存取线中的选定存取线；确定第二存储器单元的每个存储器单元在施加第二电压之后是否达到目标阈值电压；以及基于第二存储器单元的每个存储器单元达到目标阈值电压的确定，完成在第二存储器单元中存储信息的操作。
附图说明
[0010]图1示出了根据本文所述的一些实施例的呈包含存储器单元的块和子块的存储器装置形式的设备的框图。
[0011]图2示出了根据本文所述的一些实施例的存储器装置的一部分的示意图，该存储器装置包含具有存储器单元的块和子块的存储器阵列、存取线、数据线和缓冲器电路。
[0012]图3示出了说明根据本文所述的一些实施例的图2的存储器装置的数个存储器单元的阈值电压范围(例如，分布)的阈值电压的曲线。
[0013]图4是根据本文所述的一些实施例的在编程事件中的操作期间执行采样操作的方法的流程图。
[0014]图5是根据本文所述的一些实施例的在相应编程事件的操作期间执行多个采样操作的方法的流程图。
[0015]图6是根据本文所述的一些实施例示出图2的存储器装置的数个存储器单元的阈值电压范围的曲线图。
[0016]图7是根据本文所述的一些实施例的曲线图，其示出了基于在图2的存储器装置中执行的不同采样操作的计数值与偏移信息之间的实例关系。
[0017]图8是示出了根据本文所述的一些实施例的含有计数值的实例值的条目和含有偏移信息的实例值的条目的表(例如，查找表)。
[0018]图9示出了根据本文所述的一些实施例的图2的存储器装置的一部分的结构的侧视图。
[0019]图10示出了根据本文所述的一些实施例的呈包含存储器装置的系统的形式的设备。
具体实施方式
[0020]本文所述的技术涉及一种存储器装置，其具有用以在存储器装置的写入操作中调整起始电压(例如，编程电压)的值的结构(例如，电路)和方法(例如，操作)。可以以信号(例如，编程电压脉冲)的形式提供起始电压。可在由存储器装置执行的编程事件(例如，在开始时)施加起始电压。编程事件可以是将信息存储在存储器装置的存储器单元中的写入操作的一部分。在编程事件期间，所述的存储器装置可对存储器单元的一部分执行采样操作。基于采样操作的结果，存储器装置可确定偏移信息。然后，存储器装置使用偏移信息来调整(例如，动态且连续地调整)存储器装置的操作(例如，写入操作)中的起始电压的值。
[0021]本文所述的技术可改进或维持存储器装置的写入操作的效率。例如，起始电压的调整可改进(例如，减小)部分写入操作的编程时间，并且抵消(例如，最小化)存储器装置的存储器单元的阈值电压的变化的影响、最小化性能损失，并且改进缩放。下文参考图1至图10的描述讨论本文所述的技术的其它改进和益处。
[0022]图1示出了根据本文所述的一些实施例的呈包含存储器单元的块和子块的存储器装置100形式的设备的框图。存储器装置100可包含存储器阵列(或多个存储器阵列)101，其含有存储器单元110。在存储器装置100的物理结构中，存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列；存取线，其中所述存储器单元阵列的第一存储器单元与所述存取线中的一存取线相关联；控制单元，其包含电路，所述电路经配置以：发起将第一电压施加到所述存取线；检查所述第一存储器单元在施加所述第一电压之后的第一阈值电压；基于所述第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得偏移信息；生成第二电压，所述第二电压响应于所述第一电压和所述偏移信息而确定；以及在所述存储器单元阵列的第二存储器单元中存储信息的操作期间，发起将所述第二电压施加到所述存取线中的一个。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括用以存储指示不同电压量的条目的存储器结构，其中所述偏移信息对应于所述电压量中的一个。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括用以计算偏移信息的值的算术逻辑单元。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二电压的值是所述第一电压的值与所述偏移信息的值之和。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述选定电压在所述第一存储器单元的阈值电压范围内。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制单元经配置以在所述第二存储器单元中存储信息的所述操作期间将脉冲序列施加到所述存取线，并且所述第二电压包含于所述脉冲序列的一脉冲中。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述控制单元经配置以在所述脉冲序列的所述脉冲中施加所述第二电压，并且所述脉冲在所述脉冲序列的其余部分出现之前出现。8.一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列；第一存取线和第二存取线；与所述第一存取线相关联的第一存储器单元；与所述第二存取线相关联的第二存储器单元；以及控制单元，其包含电路，所述电路经配置以：发起将第一电压施加到所述第一存取线；检查所述第一存储器单元的至少一部分在施加所述第一电压之后的第一阈值电压；基于所述第一阈值电压中的至少一个大于选定电压的确定获得第一偏移信息；存储所述第一偏移信息；发起将第二电压施加到所述第二存取线，所述第二电压具有基于所述第一偏移信息的值；检查所述第二存储器单元的至少一部分在施加所述第二电压之后的第二阈值电压；基于所述第二阈值电压中的至少一个大于所述选定电压的确定获得第二偏移信息；以及
存储所述第二偏移信息。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元包含在所述存储器装置的块的子块中的同一子块中。10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述控制单元经配置以：将第三电压施加到耦合到第三存储器单元的第三存取线，所述第三电压具有基于所述第二偏移信息的值；检查所述第三存储器单元的至少一部分在施加所述第三电压之后的第三阈值电压；基于所述第三阈值电压中的至少一个大于所述选定电压的确定获得第三偏移信息；以及存储所述第三偏移信息。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述第一存取线位于所述第二存取线旁边，并且所述第二存取线位于所述第三存取线旁边。12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述第二电压的值是所述第一电压的值与所述第一偏移信息的值之和。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述第三电压的值是所述第二电压的值与所述第三偏移信息的值之和。14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：