一种具有PSG介质保护层的SGT器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种具有PSG介质保护层的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽；所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；还包括PSG介质保护层，位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面；还包括第一介质层、第二导电类型的基区、第一导电类型的重掺杂区、第二导电类型的重掺杂区、源极金属、第二介质层。本实用新型专利技术使用掺磷的PSG作为屏蔽栅介质层，起屏蔽空穴的作用，有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有PSG介质保护层的SGT器件
本技术涉及功率半导体器件
，尤其涉及一种具有PSG介质保护层的SGT器件。
技术介绍
功率MOSFET的工作频率范围大、输入阻抗高、热稳定性能好、开关损耗低、易驱动，在功率器件领域占据着极其重要的地位。随着信息技术的发展，对功率MOSFET器件的性能要求更加严格，MOSFET在开关状态的转换和静态工作中都会出现能量的损耗，降低这些方面的损耗是提高MOSFET工作效率的关键，也是行业内不断研究的关键问题。器件在电路系统中，大都以器件导通时的阻值来评估MOSFET的导通损耗，一般情况下这一损耗的数值与导通电阻呈现正相关性。同时，通常以存在于MOSFET中栅极和漏极之间的电容作为评估器件开关状态转换过程的动态损耗的重要参数，器件的动态损耗与开关速度负相关，这是因为在器件开关两种状态的转换过程中，器件会同时受到大电流和高电压作用，寄生电容的存在导致器件的能量损耗加剧，因此可以减小器件中的寄生电容提高工作开关速度，提高器件效率。为了提高功率MOSFET的性能，国内外提出了单阶梯栅氧结构和SGT(Shie本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有PSG介质保护层的SGT器件，其特征在于，包括：/n第一导电类型的衬底；/n第一导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底的上表面；/n沟槽，位于第一导电类型的漂移区内，且沿第一导电类型的漂移区的厚度方向延伸；/n所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；/nPSG介质保护层，位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面；/n第一介质层，位于沟槽内壁与控制栅电极的侧面之间，以及位于控制栅电极与屏蔽栅电极之间；/n第二导电类型的基区，位于沟槽的外围；/n所述第二导电类型的基区上设有并排的第一导电类型的重掺杂区与第二导电类型的重掺杂区，且第一导电类型的重掺杂区...

【技术特征摘要】
1.一种具有PSG介质保护层的SGT器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第一导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底的上表面；
沟槽，位于第一导电类型的漂移区内，且沿第一导电类型的漂移区的厚度方向延伸；
所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；
PSG介质保护层，位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面；
第一介质层，位于沟槽内壁与控制栅电极的侧面之间，以及位于控制栅电极与屏蔽栅电极之间；
第二导电类型的基区，位于沟槽的外围；
所述第二导电类型的基区上设有并排的第一导电类型的重掺杂区与第二导电类型的重掺杂区，且第一导电类型的重掺杂区靠近第一介质层设置；
源极金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，莫家宁，刘小菡，李伟聪，姜春亮，林泳浩，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44