存储器设备中的ZQ电阻器校准电路及其校准方法技术

在特定方面，一种用于ZQ电阻器校准的电路可以包括第一输入，被配置为接收第一默认配置。该电路还可以包括第二输入，被配置为接收基于第一比较的第一校准值。该电路还可以包括第一输出，被配置为提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码。该电路可以另外包括第二输出，被配置为提供用于与第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码。该电路还可以包括第一逻辑电路，被配置为接收来自第一输入的信号和来自第二输入的信号，并且将信号提供到第一输出。到第一输出的信号可以包括第一电阻器代码。第一电阻器代码可以与第二电阻器代码不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器设备中的ZQ电阻器校准电路及其校准方法
本公开内容涉及存储器设备及其校准方法。
技术介绍
闪速存储器是一种低成本、高密度、非易失性固态存储介质，其可以被电擦除和重新编程。闪速存储器包括NOR闪速存储器或NAND闪速存储器，它们是以NOR和NAND逻辑门命名的。NAND闪速存储器可以使其数据总线以双倍数据速率(DDR)操作，在块信号的上升沿和下降沿二者都传输数据，这也称为触发模式(togglemode)。已经提出了DDR标准的各种版本，例如DDR2、DDR3、DDR4等，以实现更高的总线速度和更低的功率。
技术实现思路
在一方面，一种用于ZQ电阻器校准的电路可以包括第一输入，被配置为接收第一默认配置。该电路还可以包括第二输入，被配置为接收基于第一比较的第一校准值。该电路还可以包括第一输出，被配置为提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码。该电路可以另外包括第二输出，被配置为提供用于与第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码。该电路还可以包括第一逻辑电路，被配置为接收来自第一输入的信号和来自第二输入的信号，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于ZQ电阻器校准的电路，包括：/n第一输入，被配置为接收第一默认配置；/n第二输入，被配置为接收基于第一比较的第一校准值；/n第一输出，被配置为提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码；及/n第二输出，被配置为提供用于与所述第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码；以及/n第一逻辑电路，被配置为接收来自所述第一输入的信号和来自所述第二输入的信号，并且将信号提供到所述第一输出，其中，到所述第一输出的所述信号包括所述第一电阻器代码，其中，所述第一电阻器代码与所述第二电阻器代码不同。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于ZQ电阻器校准的电路，包括：
第一输入，被配置为接收第一默认配置；
第二输入，被配置为接收基于第一比较的第一校准值；
第一输出，被配置为提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码；及
第二输出，被配置为提供用于与所述第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码；以及
第一逻辑电路，被配置为接收来自所述第一输入的信号和来自所述第二输入的信号，并且将信号提供到所述第一输出，其中，到所述第一输出的所述信号包括所述第一电阻器代码，其中，所述第一电阻器代码与所述第二电阻器代码不同。


2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一逻辑电路进一步被配置为将信号提供到所述第二输出，其中，到所述第二输出的所述信号包括所述第二电阻器代码。


3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述第一逻辑电路包括：
主逻辑电路，被配置为提供第三电阻器代码；
第一后调整电路，被配置为将所述第三电阻器代码转换为所述第一电阻器代码；以及
第二后调整电路，被配置为将所述第三电阻器代码转换为所述第二电阻器代码。


4.根据权利要求1所述的电路，还包括：
第二逻辑电路，被配置为将信号提供到所述第二输出，其中，到所述第二输出的所述信号包括所述第二电阻器代码，其中，所述第二逻辑电路与所述第一逻辑电路不同。


5.根据权利要求4所述的电路，还包括：
第三输入，被配置为接收第二默认配置；以及
第四输入，被配置为接收基于第二比较的第二校准值，
其中，所述第二逻辑电路被配置为从所述第三输入接收信号并且从所述第四输入接收信号。


6.根据权利要求4或5所述的电路，其中，所述第一逻辑电路包括：
第一主逻辑电路，被配置为提供第三电阻器代码；以及
第一后调整电路，被配置为将所述第三电阻器代码转换为所述第一电阻器代码。


7.根据权利要求4-6中任一项所述的电路，其中，所述第二逻辑电路包括：
第二主逻辑电路，被配置为提供第四电阻器代码；以及
第二后调整电路，被配置为将所述第四电阻器代码转换为所述第二电阻器代码。


8.根据权利要求5-7中任一项所述的电路，还包括：
第五输入，被配置为启用对所述第一校准值的使用；以及
第六输入，被配置为启用对所述第二校准值的使用，
其中，当未启用对所述第一校准值的使用时，所述第一电阻器代码基于所述第一默认配置，并且
其中，当未启用对所述第二校准值的使用时，所述第二电阻器代码基于所述第二默认配置。


9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述第五输入独立于所述第六输入。


10.根据权利要求3或6-9中任一项所述的电路，其中，所述第一后调整电路包括第一数字电路，所述第一数字电路被配置为执行加、减或移位中的至少一个。


11.根据权利要求3或7-10中任一项所述的电路，其中，所述第二后调整电路包括第二数字电路，所述第二数字电路被配置为执行加、减或移位中的至少一个。


12.根据权利要求1-11中任一项所述的电路，其中，所述第一电阻器类别包括Ron，所述Ron是用于将数据输入到存储器的输入电阻器。


13.根据权利要求1-12中任一项所述的电路，其中，所述第二电阻器类别包括Rtt，所述Rtt是用于从存储器输出数据的输出电阻器。


14.一种ZQ电阻器校准的方法，包括：
在第一输入处接收第一默认配置；
在第二输入处接收基于第一比较的第一校准值；
由第一输出提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码；及
由第二输出提供用于与所述第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码，其中，所述第一电阻器代码与所述第二电阻器代码不同；以及
由第一逻辑电路基于所述第一默认配置或所述第一校准值生成所述第一电阻器代码。


15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
由所述第一逻辑电路生成到所述第二输出的信号，其中，到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黄鹏，杨诗洋，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42