相变存储器的控制方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种相变存储器的控制方法、装置及存储介质。其中，所述控制方法包括：选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；对两个存储单元同时进行读取操作或写操作。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器的控制方法、装置及存储介质
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种相变存储器的控制方法、装置及存储介质。
技术介绍
相变存储器(英文可以表达为PhaseChangeMemory，英文缩写可以表达为PCM)是一种使用硫族化合物作为存储介质的存储技术，利用材料在不同状态下的电阻差异来保存数据。相变存储器具有可按位寻址、断电后数据不丢失、存储密度高、读写速度快等优势，被认为是最有前景的下一代存储器。相关技术中，主流的相变存储器的架构包括两层堆叠的存储单元架构。然而，两层堆叠的存储单元架构不能提供足够的位密度，无法与主流的动态随机存取存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)和NAND型存储器竞争。基于此，提出了大于两层的多层堆叠的存储单元架构，如四层堆叠的存储单元架构。然而，相关技术中，大于两层的多层堆叠的存储单元的相变存储器与具有两层堆叠的存储单元的相变存储器相比，在执行读取操作或写操作时并不存在访问效率的优势。
技术实现思路
为解决相关技术问题，本专利技术实施例提出一种相变存储器的控制方法、装置及存储介质。本专利技术实施例提供了一种相变存储器的控制方法，包括：选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，所述相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；所述存储单元层包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元均耦合到与相应存储单元相邻的第一类地址线和第二类地址线上；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作。上述方案中，所述相变存储器包括四层堆叠设置的存储单元层及自上而下依次分布的顶部第一类地址线层、顶部第二类地址线层、中部第一类地址线层、底部第二类地址线层和底部第一类地址线层；所述顶部第一类地址线层及底部第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；所述选择的两个存储单元包括：与顶部第一类地址线层和顶部第二类地址线层耦合的第一存储单元及与底部第一类地址线层和底部第二类地址线层耦合的第二存储单元。上述方案中，所述相变存储器包括四层堆叠设置的存储单元层及自上而下依次分布的顶部第一类地址线层、顶部第二类地址线层、中部第一类地址线层、底部第二类地址线层和底部第一类地址线层；所述顶部第一类地址线层及底部第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；所述选择的两个存储单元包括：与顶部第二类地址线层和中部第一类地址线层耦合的第一存储单元及与底部第二类地址线层和中部第一类地址线层耦合的第二存储单元。上述方案中，与所述第一存储单元耦合的第一类地址线和与所述第二存储单元耦合的第一类地址线被共同激活控制。上述方案中，在对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作的过程中，对与所述两个存储单元耦合的选定的第一类地址线均施加第一电压；对与所述两个存储单元耦合的选定的第二类地址线均施加第二电压；所述第一电压为负电压，所述第二电压为正电压；对所述选择的存储阵列块中所有未选定的第一类地址线均施加第三电压；对所述选择的存储阵列块中所有未选定的第二类地址线均施加第四电压。上述方案中，在对所述两个存储单元同时进行读取操作的过程中，通过感测所述第二类地址线上的电压的变化来获得所述两个存储单元的存储状态。上述方案中，在对所述两个存储单元同时进行写操作的过程中，采用两位二进制的方式进行写入。本专利技术实施例还提供一种相变存储器的控制装置，包括：选择单元，用于选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，所述相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；所述存储单元层包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元均耦合到与相应存储单元相邻的第一类地址线和第二类地址线上；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；处理单元，对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作。本专利技术实施例又提供一种相变存储器的控制装置，包括：处理器和配置为存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器；其中，所述处理器用于运行所述计算机程序时，执行时实现上述任一项所述方法的步骤。本专利技术实施例又提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述方法的步骤。本专利技术实施例提供的相变存储器的控制方法、装置、存储介质。其中，所述控制方法包括：选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，所述相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；所述存储单元层包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元均耦合到与相应存储单元相邻的第一类地址线和第二类地址线上；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作。本专利技术实施例中，一次可以选择相变存储器中的一个存储阵列块中的两个存储单元同时进行读取操作或写操作，从而实现一次同时访问相变存储器中的两个存储单元。如此，能够在大于两层的多层堆叠的相变存储器执行读取操作或者写操作时，提高访问效率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的通过扫描电子显微镜观察到的一种相变存储单元阵列的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种两层堆叠的相变存储器中位线、字线及存储单元的三维示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种相变存储器的控制方法的实现流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种四层堆叠的相变存储单元的架构图；图5a为本专利技术实施例提供的一种具有四层堆叠的存储单元的相变存储单元阵列的局部水平示意图；图5b为本专利技术实施例提供的一种具有四层堆叠的存储单元的相变存储器的字线解码器区域及位线解码器区域的分布示意图；图6a为本专利技术实施例提供的另一种具有四层堆叠的存储单元的相变存储单元阵列的位线分布示意图一；图6b为本专利技术实施例提供的另一种具有四层堆叠的存储单元的相变存储单元阵列的位线分布示意图二；图6c为本专利技术实施例提供的另一种具有四层堆叠的存储单元的相变存储单元阵列的字线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器的控制方法，其特征在于，包括：/n选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，所述相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；所述存储单元层包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元均耦合到与相应存储单元相邻的第一类地址线和第二类地址线上；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；/n对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的控制方法，其特征在于，包括：
选择相变存储器的一个存储阵列块中的两个存储单元；其中，所述相变存储器包括若干间隔排布的第一类地址线层和第二类地址线层以及位于第一类地址线层和第二类地址线层之间的存储单元层；第一类地址线层包括多条沿第一方向延伸的第一类地址线；第二类地址线层包括多条沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二类地址线；所述存储单元层包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元均耦合到与相应存储单元相邻的第一类地址线和第二类地址线上；不同层的第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；选择的两个存储单元包括与不同层的第二类地址线层中第二类地址线耦合的两个存储单元；
对所述两个存储单元同时进行读取操作或写操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相变存储器包括四层堆叠设置的存储单元层及自上而下依次分布的顶部第一类地址线层、顶部第二类地址线层、中部第一类地址线层、底部第二类地址线层和底部第一类地址线层；所述顶部第一类地址线层及底部第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；
所述选择的两个存储单元包括：与顶部第一类地址线层和顶部第二类地址线层耦合的第一存储单元及与底部第一类地址线层和底部第二类地址线层耦合的第二存储单元。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相变存储器包括四层堆叠设置的存储单元层及自上而下依次分布的顶部第一类地址线层、顶部第二类地址线层、中部第一类地址线层、底部第二类地址线层和底部第一类地址线层；所述顶部第一类地址线层及底部第一类地址线层中存在被共同激活控制的第一类地址线；
所述选择的两个存储单元包括：与顶部第二类地址线层和中部第一类地址线层耦合的第一存储单元及与底部第二类地址线层和中部第一类地址线层耦合的第二存储单元。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，与所述第一存储单元耦合的第一类地址线和与所述第二存储单元耦合的第一类地址线被共同激活控制。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42