高速可编程不挥发性半导体存储装置制造方法及图纸

一种半导体存储装置，令Ｍ为正数，Ｎ为小于Ｍ的正数时，该半导体存储装置包括：　　　　写入循环时间比读出循环时间短的存储单元群；　　　　读出电路，在以时钟信号的一个循环的Ｍ倍的期间表示的第１周期中，将输出数据从上述存储单元群反复连续读出；　　　　写入电路，在以上述时钟信号的一个循环的Ｎ倍的期间表示的第２周期中，将输入数据反复连续写入上述存储单元群。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及系统LSI上安装的数据转送接口，具体地说，涉及具有LSI间的超高速数据转送接口的半导体存储装置。
技术介绍
例如，特开平5-342118号公报公开了提高信息传送效率的先有技术。该先有技术的数据通信方法通过同步通信方式及非同步通信方式收发性质不同的信息。通过根据收发信息的性质来选择发送时的通信方式，以适合各信息的性质的方法进行信息的收发。另外，信息的发送和接收通过独立的路径进行，可以提高信息传送效率。以前，在进行系统LSI中采用的数据转送的场合，传送数据信号的1个路径包含多根信号线时，必须使这些多根信号线中信号的相位一致。因而，可通过信号线间的阻抗的偏差进行调节的相位被限制，从而动作频率的上限被限定。另外，与高速数据转送接口连接的存储器采用不挥发性存储器的场合，采用EEPROM或快闪存储器的控制系统中，这些存储器的编程很花时间。从而，例如，从服务器通过网络下载信息并想读取下载的信息的场合，必须有专用的缓冲存储器，且网络的转送速度被显著限制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供即使是LSI间的高速数据转送也可以确保大的动作容限，以高速的转送速度可编程的不挥发性半导体存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：大石司，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：