【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法
本专利技术涉及半导体测试
,具体地说是一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法。
技术介绍
在芯片测试领域,对于MCU等芯片,常常由于晶圆制程的问题导致芯片输出的电压电流等会有差异,一般芯片设计业内的解决方案是增加一个寄存器用于调整这种偏差,寄存器内部的值会在出厂时一次性写入,用于补偿晶圆的误差,以提高芯片输出的准度。这就要求在晶圆测试环节,自动测试机需要根据实际测试的电压或电流,对相应寄存器写入不同的补偿值。而对于补偿值的计算,传统的方法是:在晶圆测试阶段(CP测试阶段),自动测试机使用高精度电压电流测试模块(PMU),来测量晶圆上的实际输出电压,然后根据这个电压值和芯片设计手册提供的计算公式来算出补偿的数值,每种芯片的计算公式都可能是不同的。对于自动测试机来说,高精度电压电流测试模块(PMU)的个数通常有限,晶圆测试阶段需要同时测试的晶粒会很多,故很多时候高精度电压电流测试模块(PMU)无法满足需求。而且高精度电压电流测试模块(PMU)通常由于模数转换器(ADC)需要转 ...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法,其特征在于:具体流程如下:/nS1:通过传统的PMU初测方法,找出晶圆上有代表性的某个晶粒的补偿值;/nS2:找出补偿值后,使用“过-不过”测试方法对剩下的晶粒做快速测试;/nS3:如果S2中的“过-不过”测试方法的结果使得大部分晶粒不通过,则回到S1初测方法,重新修正加权系数和补偿值;如果S2中的“过-不过”测试方法的结果使得大部分晶粒通过,则确定该加权系数和补偿值;/nS4:对于S3中的剩下小部分不通过的晶粒,采用传统的PMU验证方法来进行测试。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法,其特征在于:具体流程如下:
S1:通过传统的PMU初测方法,找出晶圆上有代表性的某个晶粒的补偿值;
S2:找出补偿值后,使用“过-不过”测试方法对剩下的晶粒做快速测试;
S3:如果S2中的“过-不过”测试方法的结果使得大部分晶粒不通过,则回到S1初测方法,重新修正加权系数和补偿值;如果S2中的“过-不过”测试方法的结果使得大部分晶粒通过,则确定该加权系数和补偿值;
S4:对于S3中的剩下小部分不通过的晶粒,采用传统的PMU验证方法来进行测试。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法,其特征在于:所述的PMU初测方法的具体流程如下:
S11:设补偿参数为x,电压输出为f(x),两者线性函数为f(x)=kx+z;另设预期电压为y;
S12:依据被测芯片晶粒规格,初步估计出补偿对应的电压范围,设x范围为[a,b],c为a,b的中点;通过PMU读出补偿参数a,b对应的晶粒样品电压输出f(a),f(b),第一步取值需要保证(f(a)–y)*(f(b)–y)<0;
S13:c=(a+b)/2,根据PMU测试c点的电压输出为f(c),如果f(c)–y<0则取a=c,如果f(c)–y>0,则取b=c;
S14:设定误差预期δ,重复流程S13的步骤,当|f(c)–y|<δ,则c值为寻找的补偿值。
3.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏津,张经祥,杜宇,
申请(专利权)人:胜达克半导体科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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