一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路制造技术

技术编号:31116062 阅读:25 留言:0更新日期:2021-12-01 19:50
本实用新型专利技术涉及测量电变量技术领域,具体地说是一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路。一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,所述的高压通道自检模块包括DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口。同现有技术相比,提供一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,完成了普通的集成电路测试机内也能实现高压测试通道的自检的功能,增加了载具板的测试性能,大大降低了测试时间及测试成本。大大降低了测试时间及测试成本。大大降低了测试时间及测试成本。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路


[0001]本技术涉及测量电变量
,具体地说是一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路。

技术介绍

[0002]传统的自动测试机,从成本上的考虑,数字通道一般都只具备低电压(低于8V)的测试功能,因此,在传统的自动测试机上,也只配备低电压的自检测试通道,对于某些高电压的测试功能时,则需要另外配比特殊的自动测试机上才能实现,这样,传统的自动测试机上就不能实现低电压及高电压数字通道兼容的测试,自动测试机也就不能实现低电流及高电流兼容的自检功能。传统低压数字通道在7.5V以内,本测试机配备了高达13V的高压通道,因为电压较高,测量精度较难保证。

技术实现思路

[0003]本技术为克服现有技术的不足,提供一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,完成了普通的集成电路测试机内也能实现高压测试通道的自检的功能,增加了载具板的测试性能,大大降低了测试时间及测试成本。
[0004]为实现上述目的,设计一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,其特征在于:所述的高压通道自检模块包括DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口,第一近地电阻至第四近地电阻,第一分压电阻至第四分压电阻,接地电阻;第一近地电阻、第二近地电阻、第三近地电阻及第四近地电阻的一端合并接地;第一近地电阻的另一端分别连接第一分压电阻的一端、高压通道自检模块的DPS_F0端口、DPS_S0端口、PMU_F0端口及PMU_S0端口,第一分压电阻的另一端连接高压通道自检模块的HV0端口;第二近地电阻的另一端分别连接第二分压电阻的一端、高压通道自检模块的DPS_F1端口、DPS_S1端口、PMU_F1端口及PMU_S1端口,第二分压电阻的另一端连接高压通道自检模块的HV1;第三近地电阻的另一端分别连接第三分压电阻的一端、高压通道自检模块的DPS_F2端口、DPS_S2端口、PMU_F2端口及PMU_S2端口,第三分压电阻的另一端连接高压通道自检模块的HV2;第四近地电阻的另一端分别连接第四分压电阻的一端、高压通道自检模块的DPS_F3端口、DPS_S3端口、PMU_F3端口及PMU_S3端口,第四分压电阻的另一端连接高压通道自检模块的HV3;高压通道自检模块的DPS_R0端口、DPS_RS0端口、DPS_R1端口、DPS_RS1端口、DPS_R2端口、DPS_RS2端口、DPS_R3端口、DPS_RS3端口、PMU_R0端口、PMU_RS0端口、PMU_R1端口、PMU_RS1端口、PMU_R2端口、PMU_RS2端口、PMU_R3端口、PMU_RS3端口合并连接接地电阻的一端,接地电阻的另一端接地。
[0005]所述的高压通道自检模块内的DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、
PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口的一端通过线路与集成电路测试机连接,高压通道自检模块内的DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口的另一端直接插入载具板上相对应的焊盘孔内。
[0006]本技术同现有技术相比,提供一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,完成了普通的集成电路测试机内也能实现高压测试通道的自检的功能,增加了载具板的测试性能,大大降低了测试时间及测试成本。
[0007]本技术中,HV通道最高为13V,而精密测量单元最高8V,为了满足测量,通过精密电阻分压,将电压降在可测量范围。
附图说明
[0008]图1为本技术电路连接图。
具体实施方式
[0009]下面根据附图对本技术做进一步的说明。
[0010]如图1所示,高压通道自检模块包括DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口,第一近地电阻RD1至第四近地电阻RD4,第一分压电阻RF1至第四分压电阻RF4,接地电阻R0;第一近地电阻RD1、第二近地电阻RD2、第三近地电阻RD3及第四近地电阻RD4的一端合并接地;第一近地电阻RD1的另一端分别连接第一分压电阻RF1的一端、高压通道自检模块的DPS_F0端口、DPS_S0端口、PMU_F0端口及PMU_S0端口,第一分压电阻RF1的另一端连接高压通道自检模块的HV0端口;第二近地电阻RD2的另一端分别连接第二分压电阻RF2的一端、高压通道自检模块的DPS_F1端口、DPS_S1端口、PMU_F1端口及PMU_S1端口,第二分压电阻RF2的另一端连接高压通道自检模块的HV1;第三近地电阻RD3的另一端分别连接第三分压电阻RF3的一端、高压通道自检模块的DPS_F2端口、DPS_S2端口、PMU_F2端口及PMU_S2端口,第三分压电阻RF3的另一端连接高压通道自检模块的HV2;第四近地电阻RD4的另一端分别连接第四分压电阻RF4的一端、高压通道自检模块的DPS_F3端口、DPS_S3端口、PMU_F3端口及PMU_S3端口,第四分压电阻RF4的另一端连接高压通道自检模块的HV3;高压通道自检模块的DPS_R0端口、DPS_RS0端口、DPS_R1端口、DPS_RS1端口、DPS_R2端口、DPS_RS2端口、DPS_R3端口、DPS_RS3端口、PMU_R0端口、PMU_RS0端口、PMU_R1端口、PMU_RS1端口、PMU_R2端口、PMU_RS2端口、PMU_R3端口、PMU_RS3端口合并连接接地电阻R0的一端,接地电阻R0的另一端接地。
[0011]高压通道自检模块内的DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PM本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路测试机内高压数字通道自检模块的诊断电路,其特征在于:所述的高压数字通道自检模块包括DPS_F0端口至DPS_F3端口、DPS_S0端口至DPS_S3端口、DPS_R0端口至DPS_R3端口、DPS_RS0端口至DPS_RS3端口、PMU_F0端口至PMU_F3端口、PMU_S0端口至PMU_S3端口、PMU_R0端口至PMU_R3端口、PMU_RS0端口至PMU_RS3端口,HV0端口至HV3端口,第一近地电阻(RD1)至第四近地电阻(RD4),第一分压电阻(RF1)至第四分压电阻(RF4),接地电阻(R0);第一近地电阻(RD1)、第二近地电阻(RD2)、第三近地电阻(RD3)及第四近地电阻(RD4)的一端合并接地;第一近地电阻(RD1)的另一端分别连接第一分压电阻(RF1)的一端、高压数字通道自检模块的DPS_F0端口、DPS_S0端口、PMU_F0端口及PMU_S0端口,第一分压电阻(RF1)的另一端连接高压数字通道自检模块的HV0端口;第二近地电阻(RD2)的另一端分别连接第二分压电阻(RF2)的一端、高压数字通道自检模块的DPS_F1端口、DPS_S1端口、PMU_F1端口及PMU_S1端口,第二分压电阻(RF2)的另一端连接高压数字通道自检模块的HV1;第三近地电阻(RD3)的另一端分别连接第三分压电阻(RF3)的一端、高压数字通道自检模块的DPS_F2端口、DPS_S2端口、PMU_F2端口及PMU_S2端口,第三分压电阻(RF3)的另一端连接高压数字通道自检模块的HV2;第四近地电阻(RD4)的另一端分别连接第四分压电阻(RF4)的一端、高压数字通...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏津张经祥吴艳平
申请(专利权)人:胜达克半导体科技上海有限公司
类型:新型
国别省市:

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