【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性半导体存储器的访问控制技术，尤其涉及用于控制对具有依次写入限制的闪速存储器的访问的存储控制器。
技术介绍
非易失性半导体存储器的市场规模正在不断扩大。闪速存储器是利用浮栅(floating gate)晶体管来实现数据非易失性的半导体存储器。在某种现有技术的闪速存储器中，在多页(面)构成的物理块单位中进行擦除，并且以页单位来进行数据的读出(read)和写入(write)。并且，被控制成即使接收到随机的页写入请求，也仍从物理块的已擦除的全部页中的起始页开始依次写入数据。这种带有对闪速存储器的依次写入限制的访问是按照从逻辑(虚拟)页到物理页的映射来控制的。各页具有存储数据的数据区域和存储数据管理信息的冗余区域。在各页的冗余区域中，作为数据管理信息而存有写入到上述页(面)的数据区域的数据所对应的逻辑页序号(地址)(参照专利文献1)。根据另一现有技术，当被请求改写或追加具有依次写入限制的闪速存储器的1个物理块内的页时，在将新的页数据从已擦除的新物理块的起始页开始依次写入后，将原来物理块的非更新页的数据传送至新物理块的剩余页。作为逻辑页序号与物理页序号...
【技术保护点】
一种存储控制器，其用于控制对闪速存储器的访问，该闪速存储器具有由多页构成的物理块，且各页具有存储数据的数据区域和存储数据管理信息的冗余区域，其特征在于，包括： 页写入执行部，从上述物理块的已擦除的全部页中的起始页开始依次对上述数据区域写入数据，并且将用于该数据的纠错的信息和表示该数据已写入的状态信息作为上述数据管理信息写入上述冗余区域； 二分检索执行部，一边对各页的上述冗余区域中的上述状态信息进行二分检索一边进行读出来暂时确定最终有效页；以及 最终有效数据确定执行部，从由上述二分检索执行部暂时确定的最终有效页和与该暂时确定的最终有效页邻接的页中读出各数据区...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-3-13 067385/20061.一种存储控制器，其用于控制对闪速存储器的访问，该闪速存储器具有由多页构成的物理块，且各页具有存储数据的数据区域和存储数据管理信息的冗余区域，其特征在于，包括：页写入执行部，从上述物理块的已擦除的全部页中的起始页开始依次对上述数据区域写入数据，并且将用于该数据的纠错的信息和表示该数据已写入的状态信息作为上述数据管理信息写入上述冗余区域；二分检索执行部，一边对各页的上述冗余区域中的上述状态信息进行二分检索一边进行读出来暂时确定最终有效页；以及最终有效数据确定执行部，从由上述二分检索执行部暂时确定的最终有效页和与该暂时确定的最终有效页邻接的页中读出各数据区域中的数据和各冗余区域中的数据管理信息，并根据关于各页中有无不能纠正的错误和有无对上述数据区域的写入的检查结果来进行最终有效页的确定和上述页写入执行部的动作过程中由断电引起的错误页的有无判断。2.根据权利要求1所述的存储控制器，其特征在于：上述二分检索执行部还具有以下功能：在上述状态信息的二分检索执行之前，从上述物理块的起始页中读出上述状态信息来检测该起始页是否已擦除，当检测出已擦除时将该起始页暂时确定为最终有效页。3.一种非易失性存储装置，其特征在于：包括权利要求1所述的存储控制器和由该存储控制器来控制访问的闪速存储器。4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其特征在于：上述存储控制器和上述闪速存储器构成在一个芯片上。5.一种非易失性存储系统，其特征在于：包括权利要求3所述的非易失性存储装置和请求访问该非易失性存储装置的主机。6.一种存储控制器，其用于控制对闪速存储器的访问，该闪速存储器具有由多个物理块构成的物理单元，上述多个物理块分别由多页构成，且各页具有存储数据的数据区域和存储数据管理信息的冗余区域，其特征在于，包括：页写入执行部，将上述多个物理块各自的由预定数量的页构成的段作为写入单位，从上述物理单元的已擦除的全部段中的起始段开始依次对上述数据区域写入数据，并且将用于该数据的纠错的信息和表示该数据已写入的状态信息作为上述数据管理信息写入上述冗余区域；二分检索执行部，一边对各段的起始页的上述冗余区域中的上述状态信息进行二分检索一边进行读出来暂时确定最终有效段；以及最终有效数据确定执行部，从属于由上述二分检索执行部暂时确定的最终有效段的全部页和属于与该暂时确定的最终有效段邻接的段的全部页中读出各数据区域中的数据和各冗余区域中的数据管理信息，并根据关于各段中有无不能纠正的错误和有无对上述数据区域的写入的检查结果来进行最终有效段的确定和上...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村清治，宗广和，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。