一种CVD镀膜装置的衬底制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及CVD镀膜技术领域，且公开了一种CVD镀膜装置的衬底，包括衬底，所述衬底的前后两面均固定安装有凸起，所述衬底的外侧活动安装有第一夹板，所述第一夹板的一侧活动安装有第二夹板，所述第一夹板和第二夹板的顶部通过连接块固定连接，所述第一夹板和第二夹板的内部均固定安装有固定垫片，所述第二夹板的两端固定安装有支撑块。该CVD镀膜装置的衬底，通过在衬底的外侧包裹有第一夹板和第二夹板，且第一夹板和第二夹板通过连接块和支撑块粘粘连接，便于将第一夹板和第二夹板进行连接，且第一夹板和第二夹板的连接便于将衬底固定安装在第一夹板和第二夹板的内部，通过第一夹板和第二夹板对衬底进行保护，避免衬底受到磨损。磨损。磨损。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD镀膜装置的衬底


[0001]本技术涉及CVD镀膜
，具体为一种CVD镀膜装置的衬底。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是半导体工业中用于在诸如硅晶片的衬底上形成材料薄膜的非常熟知的工艺，其原理是化学气体在衬底表面发生化学反应，从而在其表面生长一层晶体薄膜，通常，CVD工艺在较高的温度下进行以加速化学反应并产生高质量的薄膜，在一些工艺中，例如硅的外延生长，需要在极高温度(>1100℃)下进行，为了达到所需的高温，可以使用电阻加热，感应加热或辐射加热来加热衬底，在这些加热方法中，辐射加热是效率在最高的方法，通常采用辐射加热方法的具体实施方式是将红外灯布置在反应腔室的周围，但是由于使用的是局部辐射能量源，会存在能量的聚焦和干涉，辐射能量具有产生不均匀温度分布的趋势，甚至出现“热斑”。
[0003]在CVD工艺过程中，衬底被放置在反应腔内的基座上，衬底和基座会被同时加热到所需温度，当工艺气体流经衬底表面时，在衬底表面发生沉积反应，生长一层所需的薄膜层，在硅外延生长过程中，衬底硅晶片的温度决定了晶片上材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD镀膜装置的衬底，包括衬底（1），其特征在于：所述衬底（1）的前后两面均固定安装有凸起（2），所述衬底（1）的外侧活动安装有第一夹板（3），所述第一夹板（3）的一侧活动安装有第二夹板（10），所述第一夹板（3）和第二夹板（10）的顶部通过连接块（5）固定连接，所述第一夹板（3）和第二夹板（10）的内部均固定安装有固定垫片（4）。2.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置的衬底，其特征在于：所述第二夹板（10）的两端固定安装有支撑块（7）。3.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜装置的衬底，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：因福明，沈杰，
申请(专利权)人：昆山福钻新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：