一种MOCVD反应器制造技术

本发明专利技术提供一MOCVD反应腔，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，反应腔体顶部包括一进气装置，所述进气装置包括一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心或非中心区域的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与所述第一反应气源或者第二反应气源之一相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体。管道的气体。管道的气体。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD反应器


[0001]本专利技术涉及MOCVD(金属有机化学气相沉积)反应器，还涉及可应用于上述装置的气体供应装置。

技术介绍

[0002]作为III-V族薄膜中的一种，氮化镓(GaN)是一种广泛应用于制造蓝光、紫光和白光二极管、紫外线检测器和高功率微波晶体管的材料。由于GaN在制造适用于大量用途的低能耗装置(如，LED)中具有实际和潜在的用途，GaN薄膜的生长受到极大的关注。
[0003]包括GaN薄膜在内的III-V族薄膜能以多种不同的方式生长，包括分子束外延(MBE)法、氢化物蒸气阶段外延(HVPE)法、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法等。目前，MOCVD法是用于为生产LED得到足够质量的薄膜的优选的沉积方法。
[0004]MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD工艺通常在一个具有温度控制的环境下的反应室或反应室内进行。通常，由包含第III-V族元素(例如镓(Ga))的第一反应气体和一含氮的第二反应气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应器，包括：反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，所述基片托盘用于固定一片或多片待处理基片；反应腔体顶部包括一顶盖，顶盖包括一进气装置，所述进气装置包括位于顶盖下部的一个气体喷淋板，用于向所述反应空间提供至少一种反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过气体喷淋板向下延伸到低于所述气体喷淋板的下表面，所述气体喷头顶部连接一辅助气体输送管道，所述辅助气体输送管道另一端与一反应气体源或一抽气装置相连接；所述气体喷头通过所述辅助气体输送管道对所述反应空间内的气体压力进行局部调节。2.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头上端通过一个气密装置与所述顶盖连接，气密装置为磁流体密封装置或波纹管装置。3.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述MOCVD反应器还包括一驱动装置，驱动所述气体喷头能够上下移动或者旋转。4.如权利要求3所述的MOCVD的反应器，其特征在于，所述MOCVD反应器用于生长多层材料层，其中用于生长不同材料层时气体喷嘴具有不同高度。5.如权利要求3所述的MOCVD的反应器，其特征在于，所述气体喷头旋转方向与所述基片托盘旋转方向不同。6.如权利要求3所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头的旋转方向与所述基片托盘的旋转方向相同。7.如权利要求6所述MOCVD反应器，其特征在于所述气体喷头的旋转速度与基片托盘的转速相同。8.如权利要求6所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头包括多组互相隔离的气体输送通道，第一组气体输送通道联通到第一反应气体源，第二组气体输送通道联通到第二反应气体源，所述第一组气体输送通道和第二组气体输送通道输出的气体流向基片托盘中心区域内的第一区域和第二区域。9.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷头位于所述气体喷淋板非中心区域下方。10.如权利要求1所述的MOCVD反应器，其特征在于，所述气体喷淋板底部包括多个互相平行的纵长形气体通道，第一组的气体通道与第一反应气...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜志游，姜勇，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：