根据本发明专利技术，在对准时，被吸附于静电吸盘的基板不与掩模接触，以便在对准以后，基板和掩模这两者被充分吸附于静电吸盘。本发明专利技术的吸附装置包含有：吸附第一被吸附体和第二被吸附体且具有第一电极和第二电极的静电吸盘；对第一电极和第二电极分别给予规定的电位的电位给予部；以及控制电位给予的电位控制部，电位控制部，在被吸附的第一被吸附体和没有被吸附的第二被吸附体的相对位置调整时，对第一电极和第二电极分别给予第一电位和第二电位，在相对位置调整之后，在隔着第一被吸附体吸附第二被吸附体时，进行控制，以使第一电位和第二电位中的至少一个电位变化，对第一电极和第二电极分别给予第三电位和第四电位，第三电位与第四电位之和的绝对值比第一电位与第二电位之和的绝对值大。和的绝对值大。和的绝对值大。
【技术实现步骤摘要】
吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法
[0001]本专利技术涉及吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]最近，作为平板显示装置，有机EL显示装置(有机EL显示器)登上了历史舞台。有机EL显示装置是自发光显示器，其响应速度、视野角度、薄型化等特性比液晶显示器优异，在以监视器、电视机、智能手机等为代表的各种便携式终端等中正在快速地代替现有的液晶显示器。另外，其应用领域也扩展到汽车用显示器等。
[0003]构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)具有在两个相向的电极(阳极电极、阴极电极)之间形成引起发光的有机物层的基本结构。例如，对于有机发光元件的有机物层和金属电极层，通过在成膜装置中使从收容有成膜材料的成膜源排出的成膜材料经由掩模堆积到基板上来进行制造，所述掩模形成有基于象素图形的图形。
[0004]在上吸式蒸镀方式(向上沉积)的成膜装置中，成膜源被设置于成膜装置的真空容器的下部，基板被配置于真空容器的上部，成膜材料被蒸镀到基板的下表面。在这种上吸式蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，由于基板只在其下表面的周边部被基板保持器保持，因此，基板因其自重而弯曲，这成为蒸镀精度降低的一个要因。即使在上吸式蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也存在着产生由基板的自重引起的翘曲的可能性。
[0005]作为降低由基板的自重引起的翘曲用的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过对基板的上表面遍及其全部地利用静电吸盘进行吸附，可以降低基板的翘曲。
[0006]在专利文献1中(韩国特许公开公报第2007－0010723号)中，提出了利用静电吸盘吸附基板及掩模的技术方案。
[0007]但是，在这样利用静电吸盘隔着基板吸附掩模的情况下，在基板与掩模之间的对准完毕之后，有必要利用静电吸盘充分吸附基板和掩模这两者，提高两者之间的贴紧度，但是，在进行对准的期间，优选使基板与掩模相互不接触。即，当在对准完毕之后，进行成膜时，为了提高成膜精度，优选使基板与掩模没有间隙地贴紧，但是，在进行对准的期间，若两者之间产生接触，则存在着基板或掩模的损伤、或者在之前的工序中成膜于基板上的薄膜等受到损伤的可能性，并且，对准的精度也降低。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：韩国特许公开公报第2007－0010723号
技术实现思路
[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]从而，在利用静电吸盘隔着基板吸附掩模的情况下，为了同时达到对准时的要求事项(防止基板/掩模的损伤，以及抑制对准精度的降低)和对准以后的要求事项(提高基板
与掩模之间的贴紧性)，需要有效地控制给予静电吸盘的电位，但是，过去，还没有与此相关的认识或研究。
[0013]本专利技术是鉴于上述课题而做出的，其目的是提供一种技术，用于在对准之后，使基板和掩模这两者被充分地吸附于静电吸盘，在对准时被吸附于静电吸盘的基板不与掩模接触。
[0014]解决课题的手段
[0015]根据本专利技术的实施方式的吸附装置，是一种用于吸附第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体的吸附装置，其特征在于，包括：至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘；分别给予所述第一电极和所述第二电极相对于接地电位而言的规定电位的电位给予部；以及用于控制由所述电位给予部进行的电位的给予的电位控制部，所述电位控制部，在进行被吸附于所述静电吸盘的所述第一被吸附体与没有被吸附于所述静电吸盘的所述第二被吸附体的相对位置的调整时，对所述第一电极和所述第二电极分别给予第一电位和第二电位，另外，在所述相对位置的调整之后，当隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体吸附于所述静电吸盘时，控制所述电位给予部，以便使所述第一电位和所述第二电位中的至少一个变化，对所述第一电极和所述第二电极分别给予第三电位和第四电位，所述第三电位和所述第四电位之和的绝对值大于所述第一电位和所述第二电位之和的绝对值。
[0016]根据本专利技术的另外的实施方式的吸附装置，是一种用于吸附第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体的吸附装置，其特征在于，包括：至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘；对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于接地电位而言的规定的电位的电位给予部；以及用于控制由所述电位给予部进行的电位的给予的电位控制部，在进行了被吸附于所述静电吸盘的所述第一被吸附体与没有被吸附于所述静电吸盘的所述第二被吸附体的相对位置的调整之后，所述电位控制部使分别给予所述第一电极和所述第二电极的电位中的至少一个电位变化，由此，控制所述电位给予部，以使得作用于所述第二被吸附体的引力变化。
[0017]根据本专利技术的实施方式的成膜装置，是用于经由掩模在基板上进行成膜的成膜装置，其特征在于，包含有作为第一被吸附体的基板、以及用于隔着所述基板吸附作为第二被吸附体的掩模的吸附装置，吸附装置是根据所述实施方式的吸附装置中的任一种。
[0018]根据专利技术的实施方式的吸附方法，是一种用于在至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘上吸附第一被吸附体，和隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体的方法，其特征在于，包括：在进行所述第一被吸附体与所述第二被吸附体的相对位置的调整时，对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于接地电位而言的第一电位和第二电位，不吸附所述第二被吸附体，而将所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘的第一吸附阶段；以及，在进行了所述第一被吸附体与所述第二被吸附体的相对位置的调整之后，对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于所述接地电位而言的第三电位和第四电位，隔着所述第一被吸附体将所述第二被吸附体吸附于所述静电吸盘的第二吸附阶段，所述第三电位和所述第四电位之和的绝对值大于所述第一电位和所述第二电位之和的绝对值。
[0019]根据本专利技术的实施方式的成膜方法，是一种在至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘上吸附基板和隔着所述基板吸附掩模，将成膜材料成膜的成膜方法，其特征在于，包
括：将掩模运入真空容器内的阶段；将基板运入所述真空容器内的阶段；对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于接地电位而言的第一电位和第二电位，在不吸附所述掩模、而将所述基板吸附于所述静电吸盘的状态下，进行所述基板与所述掩模的相对位置的调整的阶段；对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于所述接地电位而言的第三电位和第四电位，隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的阶段；以及在所述基板及所述掩模被吸附于所述静电吸盘的状态下，将所述成膜材料排出，经由所述掩模将所述成膜材料在所述基板上成膜的阶段，所述第三电位和所述第四电位之和的绝对值大于所述第一电位和所述第二电位之和的绝对值。
[0020]专利技术的效果
[0021]根据本专利技术，在对准以后，基板和掩模这两者被充分吸附于静电吸盘，在对准时，被吸附于静电吸盘的基板可以不与掩模接触。
附图说明
[0022]图1是电子器件的制造装置的一部分本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种吸附装置，用于吸附第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体，其特征在于，包括：至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘；对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于接地电位而言的规定的电位的电位给予部；以及用于控制由所述电位给予部进行的电位的给予的电位控制部，所述电位控制部，在进行被吸附于所述静电吸盘的所述第一被吸附体与没有被吸附于所述静电吸盘的所述第二被吸附体的相对位置的调整时，对所述第一电极和所述第二电极分别给予第一电位和第二电位，另外，在所述相对位置的调整之后，在隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体吸附于所述静电吸盘时，控制所述电位给予部，以便使所述第一电位和所述第二电位中的至少一个变化，对所述第一电极和所述第二电极分别给予第三电位和第四电位，所述第三电位与所述第四电位之和的绝对值大于所述第一电位与所述第二电位之和的绝对值。2.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第三电位与所述第四电位的电位差和所述第一电位与所述第二电位的电位差相同。3.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第三电位与所述第四电位的电位差比所述第一电位与所述第二电位的电位差大。4.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第一电位与所述第二电位，绝对值的大小相同，极性相反。5.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第三电位与所述第四电位中的一个是0V。6.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极交替地配置。7.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述第一被吸附体是绝缘性的基板，所述第二被吸附体是金属性的掩模。8.一种吸附装置，用于吸附第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体，其特征在于，包括：至少具有第一电极和第二电极的静电吸盘；对所述第一电极和所述第二电极分别给予相对于接地电位而言的规定的电位的电位给予部；以及用于控制由所述电位给予部进行的电位的给予的电位控制部，所述电位控制部，在进行被吸附于所述静电吸盘的所述第一被吸附体与没有被吸附于所述静电吸盘的所述第二被吸附体的相对位置的调整之后，控制所述电位给予部，以便通过使分别给予所述第一电极和所述第二电极的电位中的至少一个变化，而使得作用于所述第二被吸附体的引力变化。9.如权利要求8所述的吸附装置，其特征在于，在被吸附于所述静电吸盘的所述第一被吸附体与没有被吸附于所述静电吸盘的所述第二被吸附体的相对位置的调整之后，所述电位控制部控制所述电位给予部，以便通过在保持所述静电吸盘与支承所述第二被吸附体的
支承机构之间的分隔距离不变的状态下，使分别给予所述第一电极和所述第二电极的电位中的至少一个变化，而使得作用于所述第二被吸附体的引力变化。10.如权利要求8所述的吸附装置，其特征在于，所述电位控制部控制所述电位给予部，以便不使给予所述第一电极的电位与给予所述第二电极的电位之间的电位差变化，而使给予所述第一电极的电位与给予所述第二电极的电位之和的绝对值变大。11.如权利要求8所述的吸附...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏仓一史，石井博，川畑泰代，诸桥悟，富井广树，细谷映之，
申请(专利权)人：阿奥依株式会社，
类型：发明
国别省市：
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