使用于沉积室的载环制造技术

本发明专利技术公开一种使用于沉积室的载环，其包含一环状盘体，包含一环状晶片支撑区、一环状周边区，以及一环状过渡区，介于所述环状晶片支撑区和所述环状周边区之间。所述环状周边区包含一载环上表面，所述环状晶片支撑区具有一较低载环表面，其在一晶片载送过程中与一晶片直接接触，以及所述环状过渡区包含一斜面，介于所述载环上表面和所述较低载环表面之间。所述斜面从所述载环上表面朝所述较低载环表面向下倾斜。向下倾斜。向下倾斜。

【技术实现步骤摘要】
使用于沉积室的载环


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种使用于沉积室的载环(carrier ring)，能够改善边缘区域缺陷(edge local defect)问题，提升半导体制作工艺良率。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种薄膜沉积工艺，可以在相对较低的温度下(例如400℃)在晶片上沉积各种材料的薄膜。在PECVD工艺中，沉积是通过在平行电极之间引入反应气体来实现的。电极之间的电容耦合将反应气体激发成等离子体，从而引发化学反应并导致反应产物沉积在晶片上。
[0003]已知，在部分PECVD机型中(例如Lam Research Co.的Vector系列机台)，在晶片座(pedestal)的周围会配置有载环(carrier ring)，配合蜘蛛臂(spider fork)的使用，使晶片能够顺利在不同沉积室之间移动。然而，在载环的表面上，接近晶片边缘处，容易生成沉积反应的副产物(by-product)，导致晶片出现边缘区域缺陷(edge local defect)。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在提供一改良的载环，用于沉积室，可以改善上述现有技术的不足与缺点。
[0005]本专利技术一方面提供一种使用于沉积室的载环，包含：一环状盘体，包含一环状晶片支撑区、一环状周边区，以及一环状过渡区，介于所述环状晶片支撑区和所述环状周边区之间；其中所述环状周边区包含一载环上表面，所述环状晶片支撑区具有一较低载环表面，其在一晶片载送过程中与一晶片直接接触，以及所述环状过渡区包含一斜面，介于所述载环上表面和所述较低载环表面之间，又其中所述斜面从所述载环上表面朝所述较低载环表面向下倾斜。
[0006]根据本专利技术实施例，在所述斜面和所述较低载环表面之间，另有一台阶高度。
[0007]根据本专利技术实施例，所述台阶高度介于0.3mm至0.6mm之间。
[0008]根据本专利技术实施例，所述环状过渡区的厚度沿着所述环状盘体的半径径向向外增加。
[0009]根据本专利技术实施例，所述斜面和所述载环上表面连接于一第一面上转角。
[0010]根据本专利技术实施例，所述第一面上转角的角度介于100
°
至180
°
之间。
[0011]根据本专利技术实施例，另包含一侧壁表面，介于所述斜面和所述较低载环表面之间。
[0012]根据本专利技术实施例，在处理过程中，所述侧壁表面和所述晶片的一外围边缘之间具有一缝隙。
[0013]根据本专利技术实施例，所述斜面和所述侧壁表面连接于一第二面上转角。
[0014]根据本专利技术实施例，所述第二面上转角的角度介于95
°
至150
°
之间。
[0015]根据本专利技术实施例，在处理过程中所述斜面低于所述晶片的上表面。
[0016]本专利技术另一方面提供一种用于在一晶片上进行沉积处理的腔室，包含：一晶片座，
具有一中央表面区域，用来放置一晶片，以及一环绕所述中央表面区域的载环支撑表面；以及一载环，设置在所述载环支撑表面上，其中所述载环包含一环状盘体，其包含一环状晶片支撑区、一环状周边区，以及一环状过渡区，介于所述环状晶片支撑区和所述环状周边区之间，其中所述环状周边区包含一载环上表面，所述环状晶片支撑区具有一较低载环表面，其在一晶片载送过程中与一晶片直接接触，以及所述环状过渡区包含一斜面，介于所述载环上表面和所述较低载环表面之间。
[0017]根据本专利技术实施例，所述斜面从所述载环上表面朝所述较低载环表面向下倾斜。
[0018]根据本专利技术实施例，所述载环支撑表面从所述中央表面区域下降一阶。
[0019]根据本专利技术实施例，在所述斜面和所述较低载环表面之间，有一台阶高度。
[0020]根据本专利技术实施例，所述环状过渡区的厚度沿着所述环状盘体的半径径向向外增加。
[0021]根据本专利技术实施例，所述载环另包含一侧壁表面，介于所述斜面和所述较低载环表面之间。
[0022]根据本专利技术实施例，在处理过程中，所述侧壁表面和所述晶片的一外围边缘之间具有一缝隙。
附图说明
[0023]图1为本专利技术实施例所绘示的一种用于在一晶片上进行沉积处理的腔室的示意图；
[0024]图2为载环放置在载环支撑表面的放大示意图；
[0025]图3是载环的放大示意图；
[0026]图4为本专利技术另一实施例所绘示的载环的剖面放大示意图。
[0027]主要元件符号说明
[0028]1 腔室
[0029]10 晶片座
[0030]10a 中央表面区域
[0031]10b 载环支撑表面
[0032]20 喷洒头
[0033]30 等离子体
[0034]40 载环
[0035]100 晶片
[0036]100a 上表面
[0037]100b 外围边缘
[0038]101 晶边区域
[0039]110 加热盘
[0040]400 环状盘体
[0041]401 环状晶片支撑区
[0042]401a 较低载环表面
[0043]402 环状周边区
[0044]402a 载环上表面
[0045]403 环状过渡区
[0046]403a 斜面
[0047]404a 侧壁表面
[0048]411 第一面上转角
[0049]412 第二面上转角
[0050]420 缝隙
[0051]d 台阶高度
[0052]T0、T
1 厚度
[0053]θ1、θ
2 角度
具体实施方式
[0054]在下文中，将参照附图说明细节，该些附图中的内容也构成说明书细节描述的一部分，并且以可实行该实施例的特例描述方式来绘示。下文实施例已描述足够的细节使该领域的一般技术人士得以具以实施。
[0055]当然，也可采行其他的实施例，或是在不悖离文中所述实施例的前提下作出任何结构性、逻辑性、及电性上的改变。因此，下文的细节描述不应被视为是限制，反之，其中所包含的实施例将由随附的权利要求来加以界定。
[0056]请参阅图1，其为依据本专利技术实施例所绘示的一种用于在一晶片上进行沉积处理的腔室的示意图。如图1所示，腔室1例如是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)机台中的沉积室，包含：一晶片座10，具有一中央表面区域10a，用来放置一晶片100，以及一环绕中央表面区域10a的载环支撑表面10b。根据本专利技术实施例，载环支撑表面10b从中央表面区域10a下降一阶。
[0057]根据本专利技术实施例，中央表面区域10a可以是一个约略为圆形且向上凸起的区域，且中央表面区域10a面积略小于晶片100的面积，使得当晶片100放置在中央表面区域10a上，其晶边区域101会稍微超出中央表面区域10a的范围。此外，根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用于沉积室的载环，其特征在于，包含：环状盘体，包含环状晶片支撑区、环状周边区以及环状过渡区，介于所述环状晶片支撑区和所述环状周边区之间；其中所述环状周边区包含载环上表面，所述环状晶片支撑区具有较低载环表面，其在晶片载送过程中与晶片直接接触，以及所述环状过渡区包含斜面，介于所述载环上表面和所述较低载环表面之间，又其中所述斜面从所述载环上表面朝所述较低载环表面向下倾斜。2.如权利要求1所述的载环，其中在所述斜面和所述较低载环表面之间，另有一台阶高度。3.如权利要求2所述的载环，其中所述台阶高度介于0.3mm至0.6mm之间。4.如权利要求1所述的载环，其中所述环状过渡区的厚度沿着所述环状盘体的半径径向向外增加。5.如权利要求1所述的载环，其中所述斜面和所述载环上表面连接于第一面上转角。6.如权利要求5所述的载环，其中所述第一面上转角的角度介于100
°
至180
°
之间。7.如权利要求6所述的载环，其中另包含侧壁表面，介于所述斜面和所述较低载环表面之间。8.如权利要求7所述的载环，其中在处理过程中，所述侧壁表面和所述晶片的外围边缘之间具有缝隙。9.如权利要求7所述的载环，其中所述斜面和所述侧壁表面连接于第二面上转角。10.如权利要求9所述的载环，其中所述第二面上转角的角度介于95
°...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏福，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：