【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及半导体后段制作工艺(back-end-of-the-line；beol)。
技术介绍
1、现有技术的半导体后段制作工艺(back-end-of-the-line；beol)通常在形成铝焊盘层之后，会在高温(超过400摄氏度)的环境下，利用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺在铝焊盘层的表面上顺形地沉积钝化层，例如，磷硅玻璃(psg)层和氮化硅层。
2、然而，上述钝化层和铝焊盘层之间的热膨胀系数差异可能导致钝化层的破裂问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种改良的半导体结构和制造方法，以解决上述现有技术的不足或缺点。
2、本专利技术一方面提供一种半导体结构，包含：衬底；顶部金属层，设置在所述衬底上的顶部金属间电介质层中；第一钝化层，覆盖所述顶部金属层和所述顶部金属间电介质层；焊盘层，设置在所述第一钝化层上并电连接至所述顶部金属层；旋涂玻璃层，覆盖所述焊盘层和所述第一钝化层；以及第二钝化层，设置在所述旋涂玻璃层上。
3、根据本专利技术实施例，所述焊盘层是铝焊盘层。
4、根据本专利技术实施例，所述顶部金属层是铜层。
5、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层具有平坦的顶面。
6、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层的部分顶面高于所述焊盘层的顶面。
7、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层直接与所述焊盘层的侧壁和顶面接触。
8、根据本专利技术
9、根据本专利技术实施例，所述第二钝化层是氮化硅层。
10、根据本专利技术实施例，所述第二钝化层与所述旋涂玻璃层直接接触。
11、根据本专利技术实施例，所述半导体结构另包含：通孔插塞，位于所述第一钝化层中，用于将所述焊盘层与所述顶部金属层电连接；以及衬里层，位于所述通孔插塞和所述第一钝化层之间。
12、本专利技术另一方面提供一种制造半导体结构的方法，包含：提供衬底；在所述衬底上的顶部金属间电介质层中形成顶部金属层；形成第一钝化层，覆盖所述顶部金属层和所述顶部金属间电介质层；在所述第一钝化层上形成焊盘层，其中所述焊盘层电连接至所述顶部金属层；在低于400摄氏度的温度下形成覆盖所述焊盘层和所述第一钝化层的旋涂玻璃层；以及在所述旋涂玻璃层上形成第二钝化层。
13、根据本专利技术实施例，所述焊盘层是铝焊盘层。
14、根据本专利技术实施例，所述顶部金属层是铜层。
15、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层具有平坦的顶面。
16、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层的部分顶面高于所述焊盘层的顶面。
17、根据本专利技术实施例，所述旋涂玻璃层与所述焊盘层的侧壁和顶面直接接触。
18、根据本专利技术实施例，所述第一钝化层是氧化硅层。
19、根据本专利技术实施例，所述第二钝化层是氮化硅层。
20、根据本专利技术实施例，所述第二钝化层与所述旋涂玻璃层直接接触。
21、根据本专利技术实施例，所述方法另包含：在所述第一钝化层中形成通孔插塞，以将所述焊盘层与所述顶部金属层电连接；以及在所述通孔插塞和所述第一钝化层之间形成衬里层。
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1.一种半导体结构，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述焊盘层是铝焊盘层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部金属层是铜层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层具有平坦的顶面。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层的部分顶面高于所述焊盘层的顶面。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层直接与所述焊盘层的侧壁和顶面接触。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一钝化层是氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二钝化层是氮化硅层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二钝化层与所述旋涂玻璃层直接接触。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包含：
11.一种制造半导体结构的方法，包含：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述焊盘层是铝焊盘层。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述顶部金属
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述旋涂玻璃层具有平坦的顶面。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述旋涂玻璃层的部分顶面高于所述焊盘层的顶面。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述旋涂玻璃层与所述焊盘层的侧壁和顶面直接接触。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一钝化层是氧化硅层。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二钝化层是氮化硅层。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二钝化层与所述旋涂玻璃层直接接触。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，还包含：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述焊盘层是铝焊盘层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部金属层是铜层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层具有平坦的顶面。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层的部分顶面高于所述焊盘层的顶面。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述旋涂玻璃层直接与所述焊盘层的侧壁和顶面接触。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一钝化层是氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二钝化层是氮化硅层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二钝化层与所述旋涂玻璃层直接接触。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包含：
【专利技术属性】
技术研发人员：黄吉河，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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