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本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含：衬底；顶部金属层，设置在所述衬底上的顶部金属间电介质层中；第一钝化层，覆盖所述顶部金属层和所述顶部金属间电介质层；焊盘层，设置在所述第一钝化层上并电连接至所述顶部金属层；旋涂玻璃层...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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