一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及敏感元件技术领域，且公开了一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳，所述外壳的上方设置有喷气箱，所述喷气箱的底部固定连接有喷气管，所述外壳的内底壁固定连接有承接板，所述承接板的表面转动连接有中轴，所述支撑杆的侧面固定连接有发热箱，所述隔离板的侧面滑动连接有出气块，所述发热箱的表面穿插设置有散热管，所述散热管的内部滑动连接有扇形圆盘，所述扇形圆盘的表面转动连接有偏转杆，所述偏转杆的底部转动连接有气压板。该基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，通过空气弹簧与锥形轴的配合使用，从而达到了在硅片覆膜时自动调节硅片的移动速度，防止硅片表面的反应产物被甩出的效果。片表面的反应产物被甩出的效果。片表面的反应产物被甩出的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置


[0001]本专利技术涉及敏感元件
，具体为一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置。

技术介绍

[0002]敏感元件指能够灵敏地感受被测变量并做出响应的元件，是传感器中能直接感受被测量的部分，而生产敏感元件的技术工艺，是衡量一个企业是否具有先进性，是否具备市场竞争力，是否能不断领先于竞争者的重要指标依据。
[0003]在敏感元件的内部通常会设有硅片元件，而硅片元件需要在表面覆膜才能使用，在通过化学气相沉淀即CVD技术对硅片进行覆膜时，需要将反应气体喷入到被加热且转动的硅片表面，使反应气体在硅片表面进行化学反应，产生固态沉淀物，进而完成覆膜，在这个过程中，由于需要根据硅片表面反应速度调节反应气体的喷气速率，而如果反应气体对硅片表面的挤压力过大，便会导致硅片表面产生的固体反应产物在离心力的作用下被甩出硅片表面，进而影响硅片覆膜。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的上方设置有喷气箱(2)，所述喷气箱(2)的底部固定连接有喷气管(3)，所述外壳(1)的内底壁固定连接有承接板(4)，所述承接板(4)的表面转动连接有中轴(5)，所述中轴(5)的顶部固定连接有支撑板(6)，所述支撑板(6)的顶部设置有硅片(7)，所述支撑板(6)的底部转动连接有支撑杆(8)，所述支撑杆(8)的侧面固定连接有发热箱(9)，所述支撑杆(8)的内部且位于发热箱(9)的下方固定连接有空气弹簧(10)，所述空气弹簧(10)的表面固定连接有挤压杆(11)，所述挤压杆(11)的底部固定连接有主动轮(12)，所述主动轮(12)的侧面穿插设置有啮合杆(13)，所述啮合杆(13)远离轮心的一侧固定连接有啮合板(14)，所述啮合板(14)远离轮心的一侧啮合连接有锥形轴(18)，所述锥形轴(18)的侧面啮合连接有过渡齿轮(19)，所述主动轮(12)的底部转动连接有顶杆(15)，所述顶杆(15)的底部转动连接有隔离板(16)，所述隔离板(16)的侧面滑动连接有出气块(17)，所述发热箱(9)的表面穿插设置有散热管(24)，所述散热管(24)的内部滑动连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，
申请(专利权)人：上饶市卓龙商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：