本发明专利技术涉及敏感元件技术领域，且公开了一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳，所述外壳的上方设置有喷气箱，所述喷气箱的底部固定连接有喷气管，所述外壳的内底壁固定连接有承接板，所述承接板的表面转动连接有中轴，所述支撑杆的侧面固定连接有发热箱，所述隔离板的侧面滑动连接有出气块，所述发热箱的表面穿插设置有散热管，所述散热管的内部滑动连接有扇形圆盘，所述扇形圆盘的表面转动连接有偏转杆，所述偏转杆的底部转动连接有气压板。该基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，通过空气弹簧与锥形轴的配合使用，从而达到了在硅片覆膜时自动调节硅片的移动速度，防止硅片表面的反应产物被甩出的效果。片表面的反应产物被甩出的效果。片表面的反应产物被甩出的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置
[0001]本专利技术涉及敏感元件
，具体为一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置。
技术介绍
[0002]敏感元件指能够灵敏地感受被测变量并做出响应的元件，是传感器中能直接感受被测量的部分，而生产敏感元件的技术工艺，是衡量一个企业是否具有先进性，是否具备市场竞争力，是否能不断领先于竞争者的重要指标依据。
[0003]在敏感元件的内部通常会设有硅片元件，而硅片元件需要在表面覆膜才能使用，在通过化学气相沉淀即CVD技术对硅片进行覆膜时，需要将反应气体喷入到被加热且转动的硅片表面，使反应气体在硅片表面进行化学反应，产生固态沉淀物，进而完成覆膜，在这个过程中，由于需要根据硅片表面反应速度调节反应气体的喷气速率，而如果反应气体对硅片表面的挤压力过大，便会导致硅片表面产生的固体反应产物在离心力的作用下被甩出硅片表面，进而影响硅片覆膜。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，具备在硅片覆膜时自动调节硅片的移动速度，防止硅片表面的反应产物被甩出等优点，解决了现有在硅片覆膜时，如果反应气体对硅片表面的挤压力过大，便会导致硅片表面产生的固体反应产物在离心力的作用下被甩出硅片表面，进而影响硅片覆膜的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述在硅片覆膜时自动调节硅片的移动速度，防止硅片表面的反应产物被甩出的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳，所述外壳的上方设置有喷气箱，所述喷气箱的底部固定连接有喷气管，所述外壳的内底壁固定连接有承接板，所述承接板的表面转动连接有中轴，所述中轴的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部设置有硅片，所述支撑板的底部转动连接有支撑杆，所述支撑杆的侧面固定连接有发热箱，所述支撑杆的内部且位于发热箱的下方固定连接有空气弹簧，所述空气弹簧的表面固定连接有挤压杆，所述挤压杆的底部固定连接有主动轮，所述主动轮的侧面穿插设置有啮合杆，所述啮合杆远离轮心的一侧固定连接有啮合板，所述啮合板远离轮心的一侧啮合连接有锥形轴，所述锥形轴的侧面啮合连接有过渡齿轮，所述主动轮的底部转动连接有顶杆，所述顶杆的底部转动连接有隔离板，所述隔离板的侧面滑动连接有出气块，所述发热箱的表面穿插设置有散热管，所述散热管的内部滑动连接有扇形圆盘，所述扇形圆盘的表面转动连接有偏转杆，所述偏转杆的底部转动连接有气压板。
[0008]优选的，所述气压板的侧面滑动连接有连通管。
[0009]优选的，所述喷气管的底部出口对准硅片的表面，使得反应气体能够快速与硅片
接触反应。
[0010]优选的，所述中轴的内部设置有缓冲弹簧，且与中轴固定连接，在中轴被挤压时提供挤压余量。
[0011]优选的，所述顶杆的侧面穿过承接板底部开设的弧形通孔，避免顶杆在移动时卡死。
[0012]优选的，所述发热箱的内部设置有持续发热的发热块。
[0013]优选的，所述连通管与空气弹簧连通，将空气弹簧内部气压力传递给连通管，在达到一定大小时对气压板造成挤压移动。
[0014]优选的，所述扇形圆盘在发热箱顶部设置的散热管内滑动，随扇形圆盘的转动改变发热箱单位时间出热量。
[0015](三)有益效果
[0016]与现有技术相比，本专利技术提供了一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，具备以下有益效果：
[0017]1、该基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，通过空气弹簧与锥形轴的配合使用，启动电机，主动轮将啮合杆甩出，使得啮合板与锥形轴斜面相互啮合，将锥形轴带动转动，锥形轴通过中轴带动支撑板转动，而当反应气体对硅片挤压力过大时，啮合板向下移动，使锥形轴转动速度降低，进而导致支撑板转速降低，从而达到了在硅片覆膜时自动调节硅片的移动速度，防止硅片表面的反应产物被甩出的效果。
[0018]2、该基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，通过连通管与偏转杆的配合使用，当反应气体对硅片挤压力过大时，外壳内单位反应气体过量，空气弹簧被压缩，将内部气体充入到与之连通的连通管内，将连通管内部的气压板向上顶动，气压板带动表面的偏转杆向上移动，将扇形圆盘带动转动，由于扇形圆盘在发热箱表面设置的散热管内，当其转动时，散热管单位时间喷出到硅片下方的热量增大，使得硅片反应速率被加快，从而达到了在反应气体过量出现在外壳时，增大硅片表面反应速率的效果。
附图说明
[0019]图1为本专利技术结构整体剖视示意图；
[0020]图2为本专利技术结构承接板剖视示意图；
[0021]图3为本专利技术结构图2中B部分放大示意图；
[0022]图4为本专利技术结构与空气弹簧连接机构示意图；
[0023]图5为本专利技术结构图4中A部分放大示意图。
[0024]图中：1、外壳；2、喷气箱；3、喷气管；4、承接板；5、中轴；6、支撑板；7、硅片；8、支撑杆；9、发热箱；10、空气弹簧；11、挤压杆；12、主动轮；13、啮合杆；14、啮合板；15、顶杆；16、隔离板；17、出气块；18、锥形轴；19、过渡齿轮；20、连通管；21、气压板；22、偏转杆；23、扇形圆盘。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1
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5，一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳1，外壳1的材料是不锈钢，可以有效防止设备被腐蚀，极大的延长了设备的使用年限，降低了生产成本，对企业有着不可或缺的作用，外壳1的上方设置有喷气箱2，喷气箱2的底部固定连接有喷气管3，喷气管3的底部出口对准硅片7的表面，使得反应气体能够快速与硅片7接触反应，外壳1的内底壁固定连接有承接板4，承接板4的表面转动连接有中轴5，中轴5的内部设置有缓冲弹簧，且与中轴5固定连接，在中轴5被挤压时提供挤压余量，中轴5的顶部固定连接有支撑板6，支撑板6的顶部设置有硅片7，支撑板6的底部转动连接有支撑杆8，支撑杆8的侧面固定连接有发热箱9，发热箱9的内部设置有持续发热的发热块，支撑杆8的内部且位于发热箱9的下方固定连接有空气弹簧10，空气弹簧10的表面固定连接有挤压杆11，挤压杆11的底部固定连接有主动轮12，主动轮12的侧面穿插设置有啮合杆13，啮合杆13远离轮心的一侧固定连接有啮合板14，啮合板14远离轮心的一侧啮合连接有锥形轴18，锥形轴18的侧面啮合连接有过渡齿轮19，主动轮12的底部转动连接有顶杆15，顶杆15的侧面穿过承接板4底部开设的弧形通孔，避免顶杆15在移动时卡死，顶杆15的底部转动连接有隔离板16，隔离板16的侧面滑动连接有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于传感器内部硅片成膜立式CVD装置，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的上方设置有喷气箱(2)，所述喷气箱(2)的底部固定连接有喷气管(3)，所述外壳(1)的内底壁固定连接有承接板(4)，所述承接板(4)的表面转动连接有中轴(5)，所述中轴(5)的顶部固定连接有支撑板(6)，所述支撑板(6)的顶部设置有硅片(7)，所述支撑板(6)的底部转动连接有支撑杆(8)，所述支撑杆(8)的侧面固定连接有发热箱(9)，所述支撑杆(8)的内部且位于发热箱(9)的下方固定连接有空气弹簧(10)，所述空气弹簧(10)的表面固定连接有挤压杆(11)，所述挤压杆(11)的底部固定连接有主动轮(12)，所述主动轮(12)的侧面穿插设置有啮合杆(13)，所述啮合杆(13)远离轮心的一侧固定连接有啮合板(14)，所述啮合板(14)远离轮心的一侧啮合连接有锥形轴(18)，所述锥形轴(18)的侧面啮合连接有过渡齿轮(19)，所述主动轮(12)的底部转动连接有顶杆(15)，所述顶杆(15)的底部转动连接有隔离板(16)，所述隔离板(16)的侧面滑动连接有出气块(17)，所述发热箱(9)的表面穿插设置有散热管(24)，所述散热管(24)的内部滑动连...
【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，
申请(专利权)人：上饶市卓龙商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：
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