本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，且公开了一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，包括支架，所述支架的内部固定连接有承接支块，两个所述承接支块之间设置有硅棒，所述承接支块的表面固定连接有喷气箱，所述喷气箱的内部设置有喷气扇，所述支撑杆的侧面固定连接有水平块，所述水平块的表面滑动同性磁块，所述同性磁块远离轮心的一侧设置有压感开关，所述同性磁块靠近轮心的一侧设置有滚轮，所述滚轮的表面转动连接有连动杆，所述连动杆靠近轮心的一侧固定连接有水银板。该用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，通过同性磁块与承接齿轮的配合使用，从而达到了在切割硅棒时，防止硅棒表面发生氧化反应的效果。发生氧化反应的效果。发生氧化反应的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体为一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备。
技术介绍
[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，它可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
[0003]在半导体器件生产过程中，需要使用硅片作为半导体，而这种硅片通常是从单晶硅棒上切割而来的，在对单晶硅棒进行切割时，切割轮与单晶硅棒之间的产生摩擦，而摩擦会产生热量，当单晶硅棒表面的温度达到一定大小时，便会与空气中氧气发生氧化反应，进而对硅棒造成污染。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，具备在切割硅棒时，防止硅棒表面发生氧化反应等优点，解决了现有在切割硅棒时，可能导致硅棒表面温度过大而发生氧化反应的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述在切割硅棒时，防止硅棒表面发生氧化反应的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，包括支架，所述支架的内部固定连接有承接支块，两个所述承接支块之间设置有硅棒，所述承接支块的表面固定连接有喷气箱，所述喷气箱的内部设置有喷气扇，所述硅棒的上方设置有切割轮，所述切割轮的内壁滑动连接有支撑体，所述支撑体的内部转动连接有伸缩杆，所述伸缩杆的侧面固定连接有支撑杆，所述支撑杆的底部转动连接有承接齿轮，所述承接齿轮的底部啮合连接有锥形螺杆，所述锥形螺杆的靠近切割轮的一侧设置有磁板，所述锥形螺杆远离切割轮的一侧通过连杆设置有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的底部滑动连接有槽块，所述槽块的底部固定连接有套箱，所述支撑杆的侧面固定连接有水平块，所述水平块的表面滑动同性磁块，所述同性磁块远离轮心的一侧设置有压感开关，所述同性磁块靠近轮心的一侧设置有滚轮，所述滚轮的表面转动连接有连动杆，所述连动杆靠近轮心的一侧固定连接有水银板。
[0008]优选的，所述水银板的侧面滑动连接有水银箱。
[0009]优选的，所述喷气箱的出口对准硅棒的切割面，在喷气扇转动时快速将切割面冷却。
[0010]优选的，所述切割轮的表面设置有切割片。
[0011]优选的，所述承接齿轮通过联轴器与切割轮连接，使二者同步转动。
[0012]优选的，所述水平块的表面开设有水平滑槽，同性磁块在滑槽内水平滑动。
[0013]优选的，所述水银板的侧面通过限位弹簧与水银箱连接，防止初始水银膨胀将水银板顶动。
[0014]优选的，所述支撑体与切割轮的内壁滑动连接，支撑切割轮上下移动。
[0015](三)有益效果
[0016]与现有技术相比，本专利技术提供了一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，具备以下有益效果：
[0017]1、该用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，通过同性磁块与承接齿轮的配合使用，在切割硅棒时，伸缩杆带动切割轮向下移动，切割轮对下方硅棒进行切割，当硅棒表面温度过大时，水银板通过连动杆带动滚轮对同性磁块进行挤压，同性磁块通过磁力带动磁板移动，使锥形螺杆与承接齿轮的啮合直径增大，而承接齿轮通过联轴器与切割轮同步转动，从而达到了在切割硅棒时，防止硅棒表面发生氧化反应的效果。
[0018]2、该用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，通过喷气箱与喷气扇的配合使用，在同性磁块移动时，会对水平块内部的压感开关造成挤压，使得下方控制喷气扇的电机启动，进而导致喷气扇转动，在喷气箱内产生喷气流，并将气流吹到硅棒的切割面处，使得硅棒快速冷却，从而达到了在硅棒温度过高时快速对其冷却的效果。
附图说明
[0019]图1为本专利技术结构整体剖视示意图；
[0020]图2为本专利技术结构切割轮剖视示意图；
[0021]图3为本专利技术结构水平块剖视示意图；
[0022]图4为本专利技术结构水银箱剖视示意图；
[0023]图5为本专利技术结构套箱剖视示意图；
[0024]图6为本专利技术结构喷气箱剖视示意图。
[0025]图中：1、支架；2、承接支块；3、硅棒；4、喷气箱；5、喷气扇；6、切割轮；7、伸缩杆；8、支撑杆；9、套箱；10、承接齿轮；11、锥形螺杆；12、磁板；13、缓冲弹簧；14、槽块；15、水平块；16、压感开关；17、同性磁块；18、滚轮；19、水银箱；20、水银板；21、连动杆；22、支撑体。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]请参阅图1-6，一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，包括支架1，支架1的材料是不锈钢，可以有效防止设备被腐蚀，极大的延长了设备的使用年限，降低了生产成本，对企业有着不可或缺的作用，支架1的内部固定连接有承接支块2，两个承接支块2之间设置有硅棒3，承接支块2的表面固定连接有喷气箱4，喷气箱4的出口对准硅棒3的切割面，在喷气扇5转动时快速将切割面冷却，喷气箱4的内部设置有喷气扇5，硅棒3的上方设置有切割轮6，切割轮6的表面设置有切割片，切割轮6的内壁滑动连接有支撑体22，支撑体22与切割
轮6的内壁滑动连接，支撑切割轮6上下移动，支撑体22的内部转动连接有伸缩杆7，伸缩杆7的侧面固定连接有支撑杆8，支撑杆8的底部转动连接有承接齿轮10，承接齿轮10通过联轴器与切割轮6连接，使二者同步转动，承接齿轮10的底部啮合连接有锥形螺杆11，锥形螺杆11的靠近切割轮6的一侧设置有磁板12，锥形螺杆11远离切割轮6的一侧通过连杆设置有缓冲弹簧13，缓冲弹簧13的底部滑动连接有槽块14，槽块14的底部固定连接有套箱9，支撑杆8的侧面固定连接有水平块15，水平块15的表面开设有水平滑槽，同性磁块17在滑槽内水平滑动，水平块15的表面滑动同性磁块17，同性磁块17远离轮心的一侧设置有压感开关16，同性磁块17靠近轮心的一侧设置有滚轮18，滚轮18的表面转动连接有连动杆21，连动杆21靠近轮心的一侧固定连接有水银板20，水银板20的侧面通过限位弹簧与水银箱19连接，防止初始水银膨胀将水银板20顶动，水银板20的侧面滑动连接有水银箱19。
[0028]工作原理:在切割硅棒3时，伸缩杆7通过支撑体22带动切割轮6向下移动，切割轮6通过侧面设置的切割片对下方硅棒3进行切割，导致切割轮6表面产生热量被其表面的水银箱19吸收，当热量达到一定大小时，水银膨胀将水银板20挤压，通过连动杆21带动滚轮18对同性磁块17造成挤压。
[0029]随着滚轮18的转动，同性磁块17被挤压沿水平块15表面开设的滑槽本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造的单晶硅棒切片设备，包括支架(1)，其特征在于：所述支架(1)的内部固定连接有承接支块(2)，两个所述承接支块(2)之间设置有硅棒(3)，所述承接支块(2)的表面固定连接有喷气箱(4)，所述喷气箱(4)的内部设置有喷气扇(5)，所述硅棒(3)的上方设置有切割轮(6)，所述切割轮(6)的内壁滑动连接有支撑体(22)，所述支撑体(22)的内部转动连接有伸缩杆(7)，所述伸缩杆(7)的侧面固定连接有支撑杆(8)，所述支撑杆(8)的底部转动连接有承接齿轮(10)，所述承接齿轮(10)的底部啮合连接有锥形螺杆(11)，所述锥形螺杆(11)的靠近切割轮(6)的一侧设置有磁板(12)，所述锥形螺杆(11)远离切割轮(6)的一侧通过连杆设置有缓冲弹簧(13)，所述缓冲弹簧(13)的底部滑动连接有槽块(14)，所述槽块(14)的底部固定连接有套箱(9)，所述支撑杆(8)的侧面固定连接有水平块(15)，所述水平块(15)的表面滑动同性磁块(17)，所述同性磁块(17)远离轮心的一侧设置有压感开关(16)，所述同性磁块(17)靠近轮心的一侧设置有滚轮(18...
【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，
申请(专利权)人：上饶市卓龙商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。