喷头组件与原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术公开一种喷头组件与原子层沉积设备。所述原子层沉积设备的喷头组件用以喷洒反应前驱物至基板载台所承载的基板上，以实现原子层沉积制程。所述喷头组件包括第一梯形柱体部件、第二梯形柱体部件与柱体部件，第一梯形柱体部件透过其第一底边与第二梯形柱体部件的第二顶边彼此连接，以及第二梯形柱体部件的第二底边与柱体部件的柱体顶边彼此连接。所述第一梯形柱体部件具有第一底边尺径距离，第二梯形柱体部件具有第二垂直距离，以及柱体部件具有柱体垂直距离，柱体垂直距离与第二垂直距离的比值为大于或等于1.2，以及第二垂直距离与柱体垂直距离的加总小于第一底边尺径距离。透过上述设计，所述喷头组件改善反应前驱物喷洒到基板的均匀度。

【技术实现步骤摘要】
喷头组件与原子层沉积设备
本专利技术关于一种喷头组件与原子层沉积设备，尤其指一种具有特殊规格以在原子层沉积制程中优化基板均匀度的喷头组件，以及使用其的原子层沉积设备。
技术介绍
集成电路技术的发展已经成熟，且目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中的晶体管的微缩技术至关重要，小尺寸的晶体管会对电子产品的性能产生重要影响，当晶体管的尺寸愈小，可减少电流传输时间并降低耗能，以达到快速运算并节能的效果。在现今微小的晶体管中，部分关键的薄膜层几乎仅有几个原子的厚度，而发展这些微量结构的技术之一为原子层沉积制程(atomiclayerdepositionprocess,ALDprocess)。原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于基板表面的技术，其中在制程中，是使反应前驱物与基板或前一层膜的材料表面进行化学吸附，以生产既薄且均匀的薄膜。在原子层沉积制程中，均匀的沉积薄膜是晶体管微缩的重要基础，如何有效的控制薄膜均匀度为现今的晶体管发展的重要课题。目前原子层沉积制程的均匀度的控制仍未完善，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷头组件，适用于集成电路制程，其特征在于，所述喷头组件包括：/n第一梯形柱体部件，具有第一顶边、第一底边与第一中空部，其中所述第一梯形柱体部件的所述第一底边更包括第一底边尺径距离，其中在所述第一梯形柱体部件为第一梯形圆柱部件时，所述第一底边尺径距离为第一底边直径距离，在所述第一梯形柱体部件为第一梯形角柱部件时，所述第一底边尺径距离为第一底边对角线距离；/n第二梯形柱体部件，具有第二顶边、第二底边与第二中空部，所述第二顶边与所述第二底边之间具有第二垂直距离，其中所述第二顶边连接所述第一梯形柱体部件的所述第一底边，以使所述第二中空部连通所述第一中空部，其中所述第二梯形柱体部件的所述第二垂直...

【技术特征摘要】
1.一种喷头组件，适用于集成电路制程，其特征在于，所述喷头组件包括：
第一梯形柱体部件，具有第一顶边、第一底边与第一中空部，其中所述第一梯形柱体部件的所述第一底边更包括第一底边尺径距离，其中在所述第一梯形柱体部件为第一梯形圆柱部件时，所述第一底边尺径距离为第一底边直径距离，在所述第一梯形柱体部件为第一梯形角柱部件时，所述第一底边尺径距离为第一底边对角线距离；
第二梯形柱体部件，具有第二顶边、第二底边与第二中空部，所述第二顶边与所述第二底边之间具有第二垂直距离，其中所述第二顶边连接所述第一梯形柱体部件的所述第一底边，以使所述第二中空部连通所述第一中空部，其中所述第二梯形柱体部件的所述第二垂直距离与所述柱体垂直距离的加总小于所述第一底边尺径距离；以及
柱体部件，具有柱体顶边、柱体底部与多个喷嘴，所述柱体顶边与所述柱体底部之间具有柱体垂直距离，其中所述柱体顶边连接所述第二梯形柱体部件的所述第二底边，以使所述多个喷嘴连通所述第二中空部，而所述多个喷嘴为所述柱体部件中的多个垂直流道，且所述喷嘴的开口设置于所述柱体底部；
其中所述柱体垂直距离与所述第二垂直距离的比值为大于或等于1.2。


2.如权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，其中所述柱体垂直距离与所述第二垂直距离的比值为2-4。


3.如权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，其中所述第一梯形柱体部件、所述第二梯形柱体部件与所述柱体部件为一体成形或彼此组合形成所述喷头组件。


4.如权利要求1所述的喷头组件，其特征在于，其中所述柱体部件的所述多个喷嘴的开口的宽度为0.5-1.5毫米。


5.一种喷头组件，适用于集成电路制程，其特征在于，所述喷头组件包括：
第一梯形柱体部件，具有第一顶边、第一底边与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，易锦良，许雲齐，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35