气体注入系统和包括其的反应器系统技术方案

公开了一种气体注入系统、包括所述气体注入系统的反应器系统以及使用所述气体注入系统和反应器系统的方法。气体注入系统可用于气相反应器系统中，以独立地监测和控制联接到反应室的气体注入系统的多个通道中的气体流速。

【技术实现步骤摘要】
气体注入系统和包括其的反应器系统
本公开大体上涉及气相反应器和系统。更具体地，本专利技术涉及用于将气体引入反应室的气体注入系统、包括气体注入系统的反应器和反应器系统，以及其使用方法。
技术介绍
气相反应器，例如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和原子层沉积(ALD)反应器，可用于多种应用，包括在衬底表面上沉积和蚀刻材料和/或清洁衬底表面。例如，气相反应器可用于在衬底上沉积并且/或者蚀刻各层，以形成半导体装置、平板显示装置、光伏装置、微电子机械系统(MEMS)等。典型的气相反应器系统包括反应器，该反应器包括反应室、流体联接到反应室的一个或多个前体和/或反应物气体源、流体联接到反应室的一个或多个载气源和/或吹扫气体源、递送气体(例如，一种或多种前体/反应物气体和/或一种或多种载气/吹扫气体)到反应室的气体注入系统，以及流体联接到反应室的排气源。通常，期望的是整个衬底表面具有均匀的膜特性(例如，膜厚度和膜组成)和/或能够控制膜特性的任何所需的变化。随着衬底表面上形成的功能部件的尺寸减小，控制膜特性(例如膜厚度、组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体注入系统，其包括：/n第一气体歧管，所述第一气体歧管包括第一气体入口和多个第一气体出口；/n第二气体歧管，所述第二气体歧管包括第二气体入口和多个第二气体出口；/n多个第一气体阀，其中所述多个第一气体出口中的每一个联接到所述多个第一气体阀中的至少一个；以及/n多个第二气体阀，其中所述多个第二气体出口中的每一个联接到所述多个第二气体阀中的至少一个，/n其中，所述第一气体入口接收包含第一前体和掺杂剂源的第一气体，并且/n其中，所述第二气体入口接收包含所述第一前体或第二前体和蚀刻剂的第二气体。/n

【技术特征摘要】
20191008 US 62/912,5211.一种气体注入系统，其包括：
第一气体歧管，所述第一气体歧管包括第一气体入口和多个第一气体出口；
第二气体歧管，所述第二气体歧管包括第二气体入口和多个第二气体出口；
多个第一气体阀，其中所述多个第一气体出口中的每一个联接到所述多个第一气体阀中的至少一个；以及
多个第二气体阀，其中所述多个第二气体出口中的每一个联接到所述多个第二气体阀中的至少一个，
其中，所述第一气体入口接收包含第一前体和掺杂剂源的第一气体，并且
其中，所述第二气体入口接收包含所述第一前体或第二前体和蚀刻剂的第二气体。


2.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中所述第二气体包括所述第一前体。


3.根据权利要求2所述的气体注入系统，其还包括联接到第一前体源和所述第一气体入口的第一流量控制器，以及联接到所述第一前体源和所述第二气体入口的第二流量控制器。


4.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中所述第一前体的化学式和所述第二前体的化学式包括一个或多个相同元素。


5.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中所述第一前体选自三氯硅烷、二氯硅烷、硅烷、乙硅烷、丙硅烷和四氯化硅。


6.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中所述掺杂剂选自锗烷、乙硼烷、磷化氢、胂和三氯化磷。


7.根据权利要求1所述的气体注入系统，其中所述蚀刻剂包括氯化氢。


8.一种气体注入系统，其包括：
第一气体歧管，所述第一气体歧管包括第一气体入口和多个第一气体出口；
第二气体歧管，所述第二气体歧管包括第二气体入口和多个第二气体出口；
多个第一气体阀，其中所述多个第一气体出口中的每一个联接到所述多个第一气体阀中的至少一个；以及
多个第二气体阀，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：TH阿科斯塔，A德莫斯，P韦斯特罗姆，C米斯金，A卡伊巴夫瓦拉，A莫巴莱格，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL