原子层沉积设备与制程方法技术

本发明专利技术是一种原子层沉积设备与制程方法。原子层沉积设备包括腔体、基材载台、中空部件与挡件，其中中空部件具有抽气孔且其底部的一部份对应设置于基材载台的上方。所述挡件对应抽气孔设置，其中挡件具有纵向延伸部与横向延伸部。再者，中空部件上方可连接马达以形成上抽气装置。当上抽气装置做动时，挡件与中空部件之间可形成上抽气路径，以及挡件与基材载台之间可形成下抽气路径。所述上与下抽气路径分别包括第一纵向距离与第二纵向距离，其中第一与第二纵向距离之间的比例可受调整，进而调节腔体内的制程流体的流场，以使原子层沉积制程中的基材可受前驱物均匀的沉积。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积设备与制程方法
本专利技术关于一种原子层沉积设备与制程方法，尤其指一种具有中空部件并形成上与下抽气路径以调节制程流体的流场的原子层沉积设备，以及使用其的制程方法。
技术介绍
积体电路技术的发展已经成熟，且目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中的电晶体的微缩技术至关重要，小尺寸的电晶体会对电子产品的性能产生重要影响，当电晶体的尺寸愈小，可减少电流传输时间并降低耗能，以达到快速运算并节能的效果。在现今微小的电晶体中，部分关键的薄膜层几乎仅有几个原子的厚度，而发展这些微量结构的技术的其中一种为原子层沉积制程(atomiclayerdepositionprocess,ALDprocess)。原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于基材表面的技术，其中于制程中，使反应的前驱物与基材或前一层膜的材料表面进行化学吸附，以生产既薄且均匀的薄膜。于原子层沉积制程中，均匀的沉积薄膜是电晶体微缩的重要基础，如何有效的控制薄膜均匀度为现今的电晶体发展的重要课题。目前原子层沉积制程的均匀度的控制仍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括：/n一腔体，具有底部抽气口；/n一基材载台，设置于所述腔体中；/n一下抽气装置，通过所述底部抽气口，持续不间断地对所述腔体进行下抽气；/n一上抽气装置，具有复数抽气孔；以及/n一挡件，用于形成至少一上抽气路径于所述挡件与所述上抽气装置的底部之间，以及至少一下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间；/n其中所述上抽气装置在涤洗所述腔体的前驱物时对所述腔体进行上抽气。/n

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括：
一腔体，具有底部抽气口；
一基材载台，设置于所述腔体中；
一下抽气装置，通过所述底部抽气口，持续不间断地对所述腔体进行下抽气；
一上抽气装置，具有复数抽气孔；以及
一挡件，用于形成至少一上抽气路径于所述挡件与所述上抽气装置的底部之间，以及至少一下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间；
其中所述上抽气装置在涤洗所述腔体的前驱物时对所述腔体进行上抽气。


2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，其中所述挡件包括彼此连接的横向延伸部与复数纵向延伸部，其中所述横向延伸部连接所述基材载台的外缘，以及所述纵向延伸部的每一者对应于所述上抽气装置的所述抽气孔的其中一者，以形成上抽气路径于所述挡件与所述上抽气装置的底部之间，以及下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间。


3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，其中所述横向延伸部与所述上抽气装置的底部之间具有第一纵向距离，以及所述横向延伸部与基材载台之间具有小于所述第一纵向距离的第二纵向距离。


4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备更包括：
一喷头组件，提供至少一前驱物或涤洗气体至所述腔体内。


5.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括：
一腔体，具有底部抽气口；
一基材载台，设置于所述腔体中；
一挡件；以及
复数个中空部件，所述复数中空部件的每一者具有抽气孔，以及所述复数中空部件的底部的一部分对应设置于所述基材载台的上方；
其中所述复数中空部件的每一者的所述抽气孔对应设置有所述挡件，以形成有上抽气路径于所述挡件与所述中空部件的底部之间，以及下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间。

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【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，易锦良，许雲齐，姚信宇，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35