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本发明是一种原子层沉积设备与制程方法。原子层沉积设备包括腔体、基材载台、中空部件与挡件，其中中空部件具有抽气孔且其底部的一部份对应设置于基材载台的上方。所述挡件对应抽气孔设置，其中挡件具有纵向延伸部与横向延伸部。再者，中空部件上方可连接马达...
该专利属于鑫天虹(厦门)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鑫天虹(厦门)科技有限公司授权不得商用。

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