反应器系统以及其使用方法技术方案

公开了一种包括气体分配组件的反应器系统和使用所述反应器系统的方法。所述气体分配组件包括气体分配装置、气体膨胀区域和处于所述气体分配装置和所述膨胀区域下游的喷头板。

【技术实现步骤摘要】
反应器系统以及其使用方法
本公开大体上涉及制造装置的设备和方法。更具体地说，本公开涉及使用活化物质的反应器系统，涉及所述系统的部件，并且涉及使用所述反应器系统的方法。
技术介绍
反应器系统常常在制造例如半导体装置等电子装置期间使用。对于若干制造工艺，可能期望形成活化物质以例如允许所需反应在与不借助活化物质帮助所需反应时的温度相比相对较低的温度下发生。最近，因为钴吸引人的物理、机械和电学特性，所以钴和含钴膜的沉积已获得关注。举例来说，使用钴，而非其它金属可以增加装置的可靠性。与用例如铜等其它金属形成的装置相比，钴膜可以具有相对较高的对电迁移和扩散的抗性，从而产生较高的比较稳定性。另外，钴膜可以用于在集成电路中形成互连件。然而，钴层倾向于氧化，这可能会影响钴层和/或随后沉积的层，例如沉积到钴上的另一金属氧化物的特性。因此，对于许多应用，在接下来的沉积步骤之前对钴层进行处理。使用采用氢气和/或氘气进行的高温退火工艺，可以将氧化钴还原为钴金属。将氧化钴还原为钴金属的热还原通常需要高于400℃的温度。使用高温退火工艺来使氧化钴还原可能导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应器系统，包含：/n第一反应室；/n流体地联接到所述第一反应室的第一远程等离子体单元；以及/n接收来自所述第一远程等离子体单元的活化物质的气体分配组件，/n其中所述气体分配组件包含：/n气体分配装置；/n气体膨胀区域；以及/n处于所述气体分配装置和所述气体膨胀区域下游的喷头板，并且/n其中所述气体分配装置将所述活化物质分配在所述气体膨胀区域内。/n

【技术特征摘要】
20191008 US 62/912,5111.一种反应器系统，包含：
第一反应室；
流体地联接到所述第一反应室的第一远程等离子体单元；以及
接收来自所述第一远程等离子体单元的活化物质的气体分配组件，
其中所述气体分配组件包含：
气体分配装置；
气体膨胀区域；以及
处于所述气体分配装置和所述气体膨胀区域下游的喷头板，并且
其中所述气体分配装置将所述活化物质分配在所述气体膨胀区域内。


2.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述气体分配装置包含一个或多个孔。


3.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述气体分配装置包含一个或多个径向延伸的通道。


4.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述气体分配组件的表面的至少一部分涂布有氧化铝。


5.根据权利要求4所述的反应器系统，其中所述氧化铝的厚度在约100nm与约1μm之间。


6.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述气体分配组件的表面的至少一部分涂布有氧化钇。


7.根据权利要求6所述的反应器系统，其中所述氧化钇的厚度在约100nm与约1μm之间。


8.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述喷头板包含靠近所述喷头板的周边的第一组孔和靠近所述喷头板的中心的第二组孔，其中所述第一组孔的直径大于所述第二组孔的直径。


9.根据权利要求1所述的反应器系统，还包含流体地联接到所述第一远程等离子体单元的第二反应室。


10.根据权利要求1所述的反应器系统，还包含第二反应室和流体地联接到所述第二反应室的第二远程等离子体单元。


11.根据权利要求9所述的反应器系统，其中所述第一反应室和所述第二反应室包含共同基底。


12.根据权利要求9所述的反应器系统，还包含排气管线，其中所述第一反应室和所述第二反应室流体地联接到所述排气管线。


13.根据权利要求12所述的反应器系统，其中所述排气管线包含压力传感器和...

【专利技术属性】
技术研发人员：林兴，P高，P纳加拉杰，马明阳，王文涛，IH赵，A迪莫斯，P马，H埃姆萨德，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL