存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有双堆叠结构，双堆叠结构中具有贯穿至衬底的多个沟道孔阵列，各沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔；位于沟道孔阵列中部的任意一排沟道孔作为待刻蚀沟道孔列，减薄待刻蚀沟道孔列中间隔各沟道孔的双堆叠结构，形成顶部选择栅开口；在沟道孔中形成沟道结构，并在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线。通过将形成顶部选择栅切线的步骤移到形成贯穿双堆叠结构的沟道孔的之后，避免了形成顶部选择栅切线的工艺对形成沟道孔的工艺的影响，从而避免了沟道孔变形或倾斜，提高了器件的产率。

【技术实现步骤摘要】
存储器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储器的制作方法。
技术介绍
为了不断提高存储器密度容量，并且缩小存储器关键尺寸具有一定物理限制，因此，很多存储器设计与生产厂商改变了传统的2D集成模式，采用三维堆叠技术提高NAND闪存存储器的存储密度。在目前3DNAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。为了得到上述堆叠式的3DNAND存储器结构，需要在硅衬底上形成牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，并对堆叠结构刻蚀形成沟道(ChannelHole，CH)，在沟道中形成存储结构后，在堆叠结构中形成栅极隔槽(GateLineSlit，GLS)，然后去除牺牲层以填充与存储结构接触的栅极。随着垂直堆叠层数的逐渐增加，不仅难以保证堆叠结构的厚度精确性和均匀性，且高深宽比沟道的刻蚀难度也逐渐提升，从而易产生沟道扩孔(bowing)、歪斜(twisting)等问题。为了解决上述问题，现有技术中提出了双次堆叠技术(doublestacking)，即分为两次沉积堆叠结构与沟道，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底，所述衬底上具有双堆叠结构，所述双堆叠结构中具有贯穿至所述衬底的多个沟道孔阵列，各所述沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔；/n位于所述沟道孔阵列中部的任意一排所述沟道孔作为待刻蚀沟道孔列，减薄所述待刻蚀沟道孔列中间隔各所述沟道孔的所述双堆叠结构，形成顶部选择栅开口；/n在所述沟道孔中形成沟道结构，并在所述顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底，所述衬底上具有双堆叠结构，所述双堆叠结构中具有贯穿至所述衬底的多个沟道孔阵列，各所述沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔；
位于所述沟道孔阵列中部的任意一排所述沟道孔作为待刻蚀沟道孔列，减薄所述待刻蚀沟道孔列中间隔各所述沟道孔的所述双堆叠结构，形成顶部选择栅开口；
在所述沟道孔中形成沟道结构，并在所述顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟道孔阵列包括N排所述沟道孔，当所述N为奇数时，所述待刻蚀沟道孔列为第/2排所述沟道孔；
当所述N为偶数时，所述待刻蚀沟道孔列为第N/2排或第N/2+1排所述沟道孔。


3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括在所述衬底上形成具有所述沟道孔阵列的所述双堆叠结构的步骤：
在所述衬底上形成第一堆叠结构，形成贯穿所述第一堆叠结构至所述衬底的下沟道通孔阵列，所述下沟道通孔阵列包括多排沿第一方向分布的第一沟道通孔，在各所述第一沟道通孔中形成填充层；
在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构，形成贯穿所述第二堆叠结构至所述填充层的上沟道通孔阵列，所述上沟道通孔阵列包括与所述第一沟道通孔一一对应的第二沟道通孔，
在形成所述沟道结构和所述顶部选择栅切线的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：
去除所述填充层，以将所述第一沟道通孔与所述第二沟道通孔一一连通形成所述沟道孔。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅开口的步骤包括：
在所述第二堆叠结构上覆盖光刻胶，部分所述光刻胶填充于所述第二沟道通孔中；
图形化所述光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛晓明，李兆松，刘沙沙，李思晢，魏健蓝，高晶，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42