具有包括不同材料层的公共源线的存储器件制造技术

一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

【技术实现步骤摘要】
具有包括不同材料层的公共源线的存储器件本申请是申请日为2017年3月28日、申请号为201710195350.1的中国专利申请“具有包括不同材料层的公共源线的存储器件”的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2016年4月21日递交的美国临时专利申请No.62/325,565的优先权以及2016年5月26日递交的韩国专利申请No.10-2016-0064692的优先权，这二者的全部内容一并在此引入作为参考。
本专利技术构思一般地涉及半导体，更具体地涉及存储器件。
技术介绍
电子器件逐渐变得越来越小，但是更加需要处理大量的数据。因此，应该增加这些电子产品中使用的半导体存储器件的集成度。为了提供集成度增加的半导体存储器件，已经提出了一些具有竖直晶体管结构的存储器件来代替平面晶体管结构的存储器件。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施例提供了一种存储器件，所述存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：/n单元区，包括第一衬底、多个栅电极层、多个沟道区、源极区、侧墙间隔物和公共源线，其中所述多个沟道区在垂直于所述第一衬底的上表面的方向上延伸并穿过所述多个栅电极层，所述源极区形成在所述第一衬底中并掺杂有n型杂质，所述侧墙间隔物将所述多个栅电极层划分为多个部分，所述公共源线连接到所述源极区并在所述侧墙间隔物之间沿所述方向延伸；以及/n外围电路区，包括第二衬底和布置在所述第二衬底上的多个外围电路器件；/n其中所述单元区和所述外围电路区在所述方向上堆叠；以及/n其中所述公共源线包括：第一层，布置在所述源极区上的所述侧墙间隔物之间；以及第二层，具有在所述侧墙间隔物之间的所述第一...

【技术特征摘要】
20160526 KR 10-2016-0064692;20160421 US 62/325,5651.一种存储器件，包括：
单元区，包括第一衬底、多个栅电极层、多个沟道区、源极区、侧墙间隔物和公共源线，其中所述多个沟道区在垂直于所述第一衬底的上表面的方向上延伸并穿过所述多个栅电极层，所述源极区形成在所述第一衬底中并掺杂有n型杂质，所述侧墙间隔物将所述多个栅电极层划分为多个部分，所述公共源线连接到所述源极区并在所述侧墙间隔物之间沿所述方向延伸；以及
外围电路区，包括第二衬底和布置在所述第二衬底上的多个外围电路器件；
其中所述单元区和所述外围电路区在所述方向上堆叠；以及
其中所述公共源线包括：第一层，布置在所述源极区上的所述侧墙间隔物之间；以及第二层，具有在所述侧墙间隔物之间的所述第一层上的阻挡层和在所述阻挡层上的金属层。


2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一层包括掺杂有n型杂质的多晶硅，所述阻挡层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的存储器件，其中在平行于所述第一衬底的所述上表面的第一方向上，所述第二层的长度大于所述第一层的长度。


4.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一层的杂质浓度大于所述源极区的杂质浓度。


5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述公共源线包括布置在所述第二层上的第三层，所述第三层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。


6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第三层的厚度大于所述第二层的厚度。


7.根据权利要求5所述的存储器件，其中在平行于所述第一衬底的所述上表面的第一方向上，所述第三层的长度大于所述第一层的长度和所述第二层的长度。


8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一层的厚度大于所述第二层的厚度。


9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
层间绝缘层，布置在所述多个栅电极层上；
其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光洙，张在薰，孙炳根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR