【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用于2019年6月10日在韩国知识产权局提交的名为“SemiconductorDeviceandMethodofFabricatingtheSame”(半导体器件及其制造方法)的韩国专利申请No.10-2019-0067686通过引用的方式全文结合于本申请中。
实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体的存储器件。半导体存储器件可以主要分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件是在供电中断时丢失所存储的数据的存储器件。易失性存储器件的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步DRAM等。非易失性存储器件是即使在供电中断时也能保持其数据的存储器件。非易失性存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、电阻式存储器件(例如，相变随机存取存储器(PRAM)、铁电...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n衬底；/n下结构，所述下结构包括位于所述衬底上的密封层和位于所述密封层上的支撑层，所述密封层和所述支撑层都包括半导体材料；/n模制结构，所述模制结构位于所述下结构上，所述模制结构包括交替地堆叠的层间绝缘膜和导电膜；/n沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构；/n沟道结构，所述沟道结构沿着所述沟道孔的侧壁延伸；/n隔离沟槽，所述隔离沟槽穿透所述模制结构并延伸到所述下结构中；以及/n多晶硅衬层，所述多晶硅衬层沿着所述隔离沟槽的侧壁延伸，所述多晶硅衬层连接到所述下结构并包括所述半导体材料。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190610 KR 10-2019-00676861.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底；
下结构，所述下结构包括位于所述衬底上的密封层和位于所述密封层上的支撑层，所述密封层和所述支撑层都包括半导体材料；
模制结构，所述模制结构位于所述下结构上，所述模制结构包括交替地堆叠的层间绝缘膜和导电膜；
沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构；
沟道结构，所述沟道结构沿着所述沟道孔的侧壁延伸；
隔离沟槽，所述隔离沟槽穿透所述模制结构并延伸到所述下结构中；以及
多晶硅衬层，所述多晶硅衬层沿着所述隔离沟槽的侧壁延伸，所述多晶硅衬层连接到所述下结构并包括所述半导体材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括形成为穿透所述沟道结构的一部分的对接层，
其中，所述对接层包括所述多晶硅衬层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括所述半导体材料。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的外围电路，
其中：
所述下结构和所述模制结构顺序地在所述衬底的第一表面上，并且
所述外围电路位于与所述衬底的所述第一表面相对的所述衬底的第二表面上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述隔离沟槽位于绝缘材料中。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述衬底包括高浓度掺杂区域，在所述高浓度掺杂区域中所述半导体材料被掺杂到高浓度，并且
所述高浓度掺杂区域的顶表面的一部分与所述多晶硅衬层接触。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离沟槽中包括子多晶硅衬层，所述子多晶硅衬层包括所述半导体材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封层和所述支撑层包括相同的半导体材料。
9.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底；
下结构，所述下结构包括位于所述衬底上的密封层和位于所述密封层上的支撑层，所述密封层和所述支撑层均包括半导体材料；
模制结构，所述模制结构位于所述下结构上，所述模制结构包括交替地堆叠的层间绝缘膜和导电膜；
第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽穿透所述模制结构并延伸到所述下结构中；
第二隔离沟槽，所述第二隔离沟槽穿透所述模制结构并接触所述衬底；
第一多晶硅衬层和第二多晶硅衬层，所述第一多晶硅衬层和所述第二多晶硅衬层分别沿着所述第一隔离沟槽的侧壁和所述第二隔离沟槽的侧壁延伸，并且均包括所述半导体材料；
沟道孔，所述沟道孔在所述第一隔离沟槽与所述第二隔离沟槽之间穿透所述模制结构；以及
半导体图案，所述半导体图案沿着所述沟道孔的侧壁延伸，
其中，所述第一多晶硅衬层连接到所述下结构。
技术研发人员：李奉镕，金泰勋，裵敏敬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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