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一种半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构包括位于所述衬底上的密封层和位于所述密封层上的支撑层，所述密封层和所述支撑层都包括半导体材料；模制结构，所述模制结构位于所述下结构上，并且包括交替地堆叠的层间绝缘膜和导电膜；沟道孔，所述沟道孔穿透...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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