【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件
本专利技术构思涉及垂直存储器件。更具体地，本专利技术构思涉及具有垂直沟道的垂直存储器件。
技术介绍
为了增加垂直存储器件的集成度，可以减小在器件中垂直堆叠的每个层的尺寸。然而，超过一定水平地按比例缩小垂直存储器件可能存在工艺限制。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施方式提供了具有改善的电特性的垂直存储器件。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，一种垂直存储器件包括在衬底上的栅电极。栅电极在实质上垂直于衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开。沟道穿透栅电极并在垂直方向上延伸。隧道绝缘图案形成在沟道的外侧壁上。电荷俘获图案结构形成在隧道绝缘图案的在实质上平行于衬底的上表面的水平方向上邻近栅电极的外侧壁上。电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案。阻挡图案形成在邻近电荷俘获图案结构的栅电极中的每个和电荷俘获图案结构之间。上电荷俘获图案的上表面高于邻近电荷俘获图案结构的栅电极的上表面。下电荷俘获图案的下表面低于邻近电荷俘获图案结构的栅电极的下表面。根据本专利技术构思的一示...
【技术保护点】
1.一种垂直存储器件，包括：/n在衬底上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；/n沟道，穿透所述栅电极并且在所述垂直方向上延伸；/n隧道绝缘图案，形成在所述沟道的外侧壁上；/n电荷俘获图案结构，形成在所述隧道绝缘图案的在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上邻近所述栅电极的外侧壁上，所述电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及/n阻挡图案，形成在邻近所述电荷俘获图案结构的所述栅电极中的每个和所述电荷俘获图案结构之间；/n其中所述上电荷俘获图案的上表面高于邻近所述电荷俘获图案结构的栅电极的上表面，以及/n其中所述下电荷俘获图案的下...
【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00677671.一种垂直存储器件，包括：
在衬底上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；
沟道，穿透所述栅电极并且在所述垂直方向上延伸；
隧道绝缘图案，形成在所述沟道的外侧壁上；
电荷俘获图案结构，形成在所述隧道绝缘图案的在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上邻近所述栅电极的外侧壁上，所述电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及
阻挡图案，形成在邻近所述电荷俘获图案结构的所述栅电极中的每个和所述电荷俘获图案结构之间；
其中所述上电荷俘获图案的上表面高于邻近所述电荷俘获图案结构的栅电极的上表面，以及
其中所述下电荷俘获图案的下表面低于邻近所述电荷俘获图案结构的栅电极的下表面。
2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述上电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分减小，并且所述下电荷俘获图案在所述水平方向上的厚度从顶部部分朝向底部部分增大。
3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案覆盖所述栅电极中的每个的所述上表面和所述下表面。
4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中：
所述阻挡图案是第二阻挡图案；以及
所述垂直存储器件还包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述上电荷俘获图案的所述上表面和所述下电荷俘获图案的所述下表面。
5.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中所述第二阻挡图案在所述垂直方向上具有比所述第一阻挡图案的厚度大的厚度。
6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中：
所述上电荷俘获图案和所述下电荷俘获图案通过所述隧道绝缘图案的一部分在所述垂直方向上彼此间隔开；以及
所述隧道绝缘图案包括在所述水平方向上远离所述沟道突出的突起。
7.根据权利要求6所述的垂直存储器件，其中所述阻挡图案的侧壁接触所述隧道绝缘图案的所述突起，并且朝向所述栅电极中的每个具有凸形。
8.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述栅电极中的每个的在所述水平方向上邻近所述沟道的侧壁朝向所述沟道具有凹形或凸形。
9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述栅电极中的每个的在所述水平方向上邻近所述沟道的侧壁朝向所述沟道具有波浪形状。
10.一种垂直存储器件，包括：
在衬底上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；
沟道，穿透所述栅电极并且在所述垂直方向上延伸；
隧道绝缘图案，形成在所述沟道的外侧壁上；
电荷俘获图案结构，形成在所述隧道绝缘图案的在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上邻近所述栅电极的外侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炅奂，金光洙，金泰勋，金容锡，金森宏治，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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