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一种垂直存储器件包括在衬底上的栅电极。栅电极在垂直方向上彼此间隔开。沟道穿透栅电极并在垂直方向上延伸。隧道绝缘图案形成在沟道的外侧壁上。电荷俘获图案结构形成在隧道绝缘图案的在水平方向上邻近栅电极的外侧壁上。电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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