三维存储器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及位于相邻两个所述栅线之间的沟槽，所述沟槽的长度小于所述栅线的长度。本发明专利技术的三维存储器中包括多个沟槽形成的支撑结构，可以避免由于深孔结构的缺陷所造成的支撑不足乃至于塌陷等问题。本发明专利技术的三维存储器的制造方法工艺简单，极大地降低了三维存储器中的更高深宽比的刻蚀难度，并且增大了后续工艺的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及集成电路的制造领域，尤其涉及一种具有沟槽支撑结构的三维存储器及其制造方法。
技术介绍
为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发并大规模量产了具有三维(3D)结构的存储器件，其通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。随着3DNAND层数的不断增加，为了防止叠层结构的变形或坍塌，在不影响器件性能的前提下，在半导体器件中的一些区域会形成一些虚拟沟道孔作为支撑结构。然而随着半导体工艺的不断进步，三维存储器件经过各种工艺环境，例如高温、高压等环境之后，所形成的支撑结构发生变形甚至坍塌，从而不能起到有效的支撑作用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具有沟槽支撑结构的三维存储器及其制造方法。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种三维存储器，包括：衬底；形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及位于相邻两个所述栅线之间的沟槽，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，包括：/n衬底；/n形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；/n贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及/n位于相邻两个所述栅线之间的沟槽，所述沟槽的长度小于所述栅线的长度。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；
贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及
位于相邻两个所述栅线之间的沟槽，所述沟槽的长度小于所述栅线的长度。


2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：
形成于所述衬底上的顶部选择栅区，所述顶部选择栅区位于所述核心存储区和所述台阶区之间，所述栅线贯穿所述顶部选择栅区。


3.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟槽的宽度随着台阶高度变化。


4.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟槽靠近台阶的第一端的宽度小于远离所述台阶的第二端的宽度。


5.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟槽两端为圆弧形。


6.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，包括贯穿所述堆叠结构的虚拟沟道孔。


7.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟槽由多个不连续的沟槽构成。


8.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，多个所述沟槽中的至少两个相互交叉。


9.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述相互交叉的沟槽形成“丰”字型结构或“井”字型结构。


10.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟槽中填充有绝缘材料。


11.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器是3DNAND闪存。


12.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，李明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42